[發明專利]快閃存儲器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200910138456.3
• 申請日: 2009-05-13
• 公開（公告）號: CN101582429A
• 公開（公告）日: 2009-11-18
• 發明（設計）人: 趙揮元;蘇南佑;鄭哲謨;金正根
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247;H01L21/762;H01L21/311
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉繼富;顧晉偉

1.一種快閃存儲器件，包括：

在半導體襯底的隔離區上形成的隔離層；

在所述半導體襯底的有源區上形成的隧道絕緣層；

在所述隧道絕緣層上形成的第一導電層；

在所述第一導電層和所述隔離層上形成的介電層，所述介電層具有用 于暴露所述隔離層的凹槽；和

在包含所述凹槽的所述介電層上形成的第二導電層。

2.根據權利要求1所述的快閃存儲器件，其中所述隔離層的頂表面位于 所述半導體襯底的所述有源區的頂表面與所述第一導電層的頂表面之間。

3.根據權利要求1所述的快閃存儲器件，其中所述介電層的所述凹槽在 所述隔離層的頂部的中心部形成。

4.根據權利要求1所述的快閃存儲器件，還包括通過延伸所述凹槽而在 所述隔離層上形成的溝槽。

5.根據權利要求4所述的快閃存儲器件，其中所述溝槽在所述隔離層的 中心部形成。

6.根據權利要求4所述的快閃存儲器件，其中所述溝槽延伸直至對應于 所述半導體襯底的所述有源區的頂表面的深度。

7.根據權利要求1所述的快閃存儲器件，還包括在所述介電層上形成的 覆蓋層，其中所述凹槽通過所述覆蓋層而暴露。

8.根據權利要求1所述的快閃存儲器件，其中：

所述介電層具有第一氧化物層、氮化物層、和第二氧化物層的堆疊結 構，和

通過所述凹槽暴露的所述氮化物層比通過所述凹槽暴露的所述第一和 第二氧化物層更突出。

9.一種制造快閃存儲器件的方法，包括：

提供包括隔離區和有源區的半導體襯底，其中每個所述隔離區均包括 隔離層，每個所述有源區均包括包含隧道絕緣層和第一導電層的堆疊層；

在所述隔離層和所述第一導電層上形成介電層；

蝕刻在所述隔離層上形成的所述介電層，由此形成凹槽；和

在包含所述凹槽的所述介電層上形成第二導電層。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述隔離層的頂部表面置于所述半 導體襯底的所述有源區的頂表面與所述第一導電層的頂表面之間。

11.根據權利要求9所述的方法，其中所述介電層的所述凹槽在所述隔離 層的頂部的中心部形成。

12.根據權利要求9所述的方法，還包括在形成所述凹槽的步驟之后，蝕 刻暴露的隔離層，由此在所述隔離層中形成溝槽。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述溝槽在所述隔離層的中心部形 成。

14.根據權利要求12所述的方法，其中所述溝槽延伸直至對應于所述半導 體襯底的所述有源區的頂表面的深度。

15.根據權利要求9所述的方法，其中所述凹槽的形成還包括：

在所述介電層上形成蝕刻阻擋層，其中所述蝕刻阻擋層在所述隔離層 上的厚度大于在所述第一導電層上的厚度；和

移除在所述蝕刻阻擋層的垂直部分之間的所述蝕刻阻擋層和所述介電 層，使得各單元的介電層彼此分隔開。

16.根據權利要求15所述的方法，其中所述蝕刻阻擋層使用下列中的任意 一種形成：非晶碳層、碳基材料層、硅氮化物(SixNy：“x”和“y”是正整 數)層、氧氮化硅(SiON)層、氧化物層和氮化硼(BN)層。

17.根據權利要求16所述的方法，其中使用等離子體增強的化學氣相沉積 (PECVD)方法或旋涂形成所述蝕刻阻擋層。

18.根據權利要求15所述的方法，其中所述凹槽通過僅僅使用干蝕刻的第 一蝕刻工藝或使用干蝕刻和濕蝕刻二者的第二蝕刻工藝來形成。