[發明專利]基板處理裝置、加熱裝置及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 200910136937.0
• 申請日: 2009-04-28
• 公開（公告）號: CN101645393A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發明（設計）人: 島田真一
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/324;H01L21/22
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 陳 偉

技術領域

本發明涉及基板處理裝置及半導體裝置的制造方法。

背景技術

已知一種基板處理裝置，在具有用于處理基板的處理室和對該處理室進行加熱的加熱器單元的基板處理裝置中，具有：以包圍上述處理室的外側的方式敷設的發熱體；以包圍該發熱體的方式敷設的第一反射體；以隔有空間地包圍該第一反射體的外側的方式敷設的第二反射體；對上述空間進行排氣的排氣管；向上述空間供給氣體的供給管(專利文獻1)。

專利文獻1：日本特開2004-311648號

但是，在以往的基板處理裝置中，存在要對處理室內冷卻時耗費時間的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種能夠在短時間內冷卻處理室內的基板處理裝置及半導體裝置的制造方法。

本發明為基板處理裝置，具有：對基板進行處理的處理室；設在上述處理室的外周側并對上述處理室進行加熱的發熱體；設在上述發熱體的外周側的環狀的內側壁；與上述內側壁的外周側之間形成間隙地設置的環狀的外側壁；設在上述間隙中的被冷卻的環狀的冷卻部件；使上述冷卻部件在與上述內側壁及上述外側壁的至少一方接觸的接觸位置和與上述內側壁及上述外側壁都不接觸的非接觸位置之間移動的移動機構；對至少上述移動機構進行控制的控制部。

發明的效果

根據本發明，能夠提供一種在短時間內冷卻處理室內的基板處理裝置、加熱裝置及半導體裝置的制造方法。

附圖說明

圖1是表示本發明的第一實施方式的基板處理裝置的概要橫截面圖。

圖2是放大地表示本發明的第一實施方式的基板處理裝置的局部的截面圖。

圖3表示本發明的第一實施方式的基板處理裝置具有的水冷套，圖3(a)為表示水冷套的第一例的立體圖，圖3(b)為表示水冷套的第二例的立體圖。

圖4是表示本發明的第一實施方式的基板處理裝置具有的移動機構的截面圖。

圖5放大地表示本發明的第一實施方式的基板處理裝置具有的移動機構，圖5(a)是放大地表示圖4中由虛線A包圍的部分的截面圖，圖5(b)是表示圖4中的B-B線截面的截面圖。

圖6是表示本發明的第一實施方式的基板處理裝置具有的內側壁、外側壁以及水套主體的形狀的一例的截面圖。

圖7是表示本發明的第一實施方式的基板處理裝置具有的內側壁、外側壁以及水套主體的形狀的第一變形例的截面圖。

圖8是表示本發明的第一實施方式的基板處理裝置具有的內側壁、外側壁以及水套主體的形狀的第二變形例的截面圖。

圖9是表示本發明的第一實施方式的基板處理裝置具有的內側壁、外側壁以及水套主體的形狀的第三變形例的截面圖。

圖10表示本發明的第一實施方式的基板處理裝置具有外側壁的變形例，圖10(a)為截面圖，圖10(b)為從圖10(a)的C-C線側觀察的圖。

圖11是表示本發明的第一實施方式的基板處理裝置具有的控制器的框圖。

圖12是表示本發明的第一實施方式的基板處理裝置具有的加熱器發出的發熱溫度和峰值波長之間的關系的圖表。

圖13是表示由本發明的第一實施方式的基板處理裝置處理的晶片的熱特性的圖表。

圖14是表示本發明的第二實施方式的基板處理裝置的示意圖。

附圖標記說明

1???晶片

10??基板處理裝置

12??處理室

28??溫度傳感器

34??內側壁

35??外側壁

36??空間

39??加熱器

60??水冷套

62??水冷裝置

64??移動機構

66??水套主體

68??管

76??支承機構

100?控制器

102?控制電路

具體實施方式

下面，根據附圖對本發明的實施方式進行說明。

在圖1及圖2中示出了本發明的第一實施方式的基板處理裝置10。

基板處理裝置10構成為間歇式縱形熱壁形氧化·擴散裝置。

基板處理裝置10具有縱形的處理管11，縱形的處理管11以其中心線垂直的方式被縱向配置并固定地支承。處理管11采用石英(SiO₂)并形成為上端封閉且下端開口的圓筒形狀。

由處理管11的圓筒狀的中空部形成對作為基板使用的晶片1進行處理的處理室12。在處理室12中，對多個晶片1進行批量處理。另外，在處理管11的下端部形成的開口部作為爐口13使用。晶片1通過爐口13在處理室12內出入。