[發(fā)明專利]基板處理裝置、加熱裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910136937.0
• 申請日: 2009-04-28
• 公開（公告）號: CN101645393A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 島田真一
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/324;H01L21/22
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所
• 代理人: 陳 偉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及基板處理裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)

已知一種基板處理裝置，在具有用于處理基板的處理室和對該處理室進(jìn)行加熱的加熱器單元的基板處理裝置中，具有：以包圍上述處理室的外側(cè)的方式敷設(shè)的發(fā)熱體；以包圍該發(fā)熱體的方式敷設(shè)的第一反射體；以隔有空間地包圍該第一反射體的外側(cè)的方式敷設(shè)的第二反射體；對上述空間進(jìn)行排氣的排氣管；向上述空間供給氣體的供給管(專利文獻(xiàn)1)。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2004-311648號

但是，在以往的基板處理裝置中，存在要對處理室內(nèi)冷卻時耗費(fèi)時間的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種能夠在短時間內(nèi)冷卻處理室內(nèi)的基板處理裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

本發(fā)明為基板處理裝置，具有：對基板進(jìn)行處理的處理室；設(shè)在上述處理室的外周側(cè)并對上述處理室進(jìn)行加熱的發(fā)熱體；設(shè)在上述發(fā)熱體的外周側(cè)的環(huán)狀的內(nèi)側(cè)壁；與上述內(nèi)側(cè)壁的外周側(cè)之間形成間隙地設(shè)置的環(huán)狀的外側(cè)壁；設(shè)在上述間隙中的被冷卻的環(huán)狀的冷卻部件；使上述冷卻部件在與上述內(nèi)側(cè)壁及上述外側(cè)壁的至少一方接觸的接觸位置和與上述內(nèi)側(cè)壁及上述外側(cè)壁都不接觸的非接觸位置之間移動的移動機(jī)構(gòu)；對至少上述移動機(jī)構(gòu)進(jìn)行控制的控制部。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種在短時間內(nèi)冷卻處理室內(nèi)的基板處理裝置、加熱裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板處理裝置的概要橫截面圖。

圖2是放大地表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板處理裝置的局部的截面圖。

圖3表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板處理裝置具有的水冷套，圖3(a)為表示水冷套的第一例的立體圖，圖3(b)為表示水冷套的第二例的立體圖。

圖4是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板處理裝置具有的移動機(jī)構(gòu)的截面圖。

圖5放大地表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板處理裝置具有的移動機(jī)構(gòu)，圖5(a)是放大地表示圖4中由虛線A包圍的部分的截面圖，圖5(b)是表示圖4中的B-B線截面的截面圖。

圖6是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板處理裝置具有的內(nèi)側(cè)壁、外側(cè)壁以及水套主體的形狀的一例的截面圖。

圖7是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板處理裝置具有的內(nèi)側(cè)壁、外側(cè)壁以及水套主體的形狀的第一變形例的截面圖。

圖8是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板處理裝置具有的內(nèi)側(cè)壁、外側(cè)壁以及水套主體的形狀的第二變形例的截面圖。

圖9是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板處理裝置具有的內(nèi)側(cè)壁、外側(cè)壁以及水套主體的形狀的第三變形例的截面圖。

圖10表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板處理裝置具有外側(cè)壁的變形例，圖10(a)為截面圖，圖10(b)為從圖10(a)的C-C線側(cè)觀察的圖。

圖11是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板處理裝置具有的控制器的框圖。

圖12是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板處理裝置具有的加熱器發(fā)出的發(fā)熱溫度和峰值波長之間的關(guān)系的圖表。

圖13是表示由本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板處理裝置處理的晶片的熱特性的圖表。

圖14是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的基板處理裝置的示意圖。

附圖標(biāo)記說明

1???晶片

10??基板處理裝置

12??處理室

28??溫度傳感器

34??內(nèi)側(cè)壁

35??外側(cè)壁

36??空間

39??加熱器

60??水冷套

62??水冷裝置

64??移動機(jī)構(gòu)

66??水套主體

68??管

76??支承機(jī)構(gòu)

100?控制器

102?控制電路

具體實(shí)施方式

下面，根據(jù)附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。

在圖1及圖2中示出了本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板處理裝置10。

基板處理裝置10構(gòu)成為間歇式縱形熱壁形氧化·擴(kuò)散裝置。

基板處理裝置10具有縱形的處理管11，縱形的處理管11以其中心線垂直的方式被縱向配置并固定地支承。處理管11采用石英(SiO₂)并形成為上端封閉且下端開口的圓筒形狀。

由處理管11的圓筒狀的中空部形成對作為基板使用的晶片1進(jìn)行處理的處理室12。在處理室12中，對多個晶片1進(jìn)行批量處理。另外，在處理管11的下端部形成的開口部作為爐口13使用。晶片1通過爐口13在處理室12內(nèi)出入。