[發(fā)明專利]基板處理裝置、加熱裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910136937.0
• 申請日: 2009-04-28
• 公開（公告）號: CN101645393A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 島田真一
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/324;H01L21/22
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所
• 代理人: 陳 偉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及基板處理裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)

已知一種基板處理裝置，在具有用于處理基板的處理室和對該處理室進行加熱的加熱器單元的基板處理裝置中，具有：以包圍上述處理室的外側(cè)的方式敷設(shè)的發(fā)熱體；以包圍該發(fā)熱體的方式敷設(shè)的第一反射體；以隔有空間地包圍該第一反射體的外側(cè)的方式敷設(shè)的第二反射體；對上述空間進行排氣的排氣管；向上述空間供給氣體的供給管(專利文獻1)。

專利文獻1：日本特開2004-311648號

但是，在以往的基板處理裝置中，存在要對處理室內(nèi)冷卻時耗費時間的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種能夠在短時間內(nèi)冷卻處理室內(nèi)的基板處理裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

本發(fā)明為基板處理裝置，具有：對基板進行處理的處理室；設(shè)在上述處理室的外周側(cè)并對上述處理室進行加熱的發(fā)熱體；設(shè)在上述發(fā)熱體的外周側(cè)的環(huán)狀的內(nèi)側(cè)壁；與上述內(nèi)側(cè)壁的外周側(cè)之間形成間隙地設(shè)置的環(huán)狀的外側(cè)壁；設(shè)在上述間隙中的被冷卻的環(huán)狀的冷卻部件；使上述冷卻部件在與上述內(nèi)側(cè)壁及上述外側(cè)壁的至少一方接觸的接觸位置和與上述內(nèi)側(cè)壁及上述外側(cè)壁都不接觸的非接觸位置之間移動的移動機構(gòu)；對至少上述移動機構(gòu)進行控制的控制部。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種在短時間內(nèi)冷卻處理室內(nèi)的基板處理裝置、加熱裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的第一實施方式的基板處理裝置的概要橫截面圖。

圖2是放大地表示本發(fā)明的第一實施方式的基板處理裝置的局部的截面圖。

圖3表示本發(fā)明的第一實施方式的基板處理裝置具有的水冷套，圖3(a)為表示水冷套的第一例的立體圖，圖3(b)為表示水冷套的第二例的立體圖。

圖4是表示本發(fā)明的第一實施方式的基板處理裝置具有的移動機構(gòu)的截面圖。

圖5放大地表示本發(fā)明的第一實施方式的基板處理裝置具有的移動機構(gòu)，圖5(a)是放大地表示圖4中由虛線A包圍的部分的截面圖，圖5(b)是表示圖4中的B-B線截面的截面圖。

圖6是表示本發(fā)明的第一實施方式的基板處理裝置具有的內(nèi)側(cè)壁、外側(cè)壁以及水套主體的形狀的一例的截面圖。

圖7是表示本發(fā)明的第一實施方式的基板處理裝置具有的內(nèi)側(cè)壁、外側(cè)壁以及水套主體的形狀的第一變形例的截面圖。

圖8是表示本發(fā)明的第一實施方式的基板處理裝置具有的內(nèi)側(cè)壁、外側(cè)壁以及水套主體的形狀的第二變形例的截面圖。

圖9是表示本發(fā)明的第一實施方式的基板處理裝置具有的內(nèi)側(cè)壁、外側(cè)壁以及水套主體的形狀的第三變形例的截面圖。

圖10表示本發(fā)明的第一實施方式的基板處理裝置具有外側(cè)壁的變形例，圖10(a)為截面圖，圖10(b)為從圖10(a)的C-C線側(cè)觀察的圖。

圖11是表示本發(fā)明的第一實施方式的基板處理裝置具有的控制器的框圖。

圖12是表示本發(fā)明的第一實施方式的基板處理裝置具有的加熱器發(fā)出的發(fā)熱溫度和峰值波長之間的關(guān)系的圖表。

圖13是表示由本發(fā)明的第一實施方式的基板處理裝置處理的晶片的熱特性的圖表。

圖14是表示本發(fā)明的第二實施方式的基板處理裝置的示意圖。

附圖標(biāo)記說明

1???晶片

10??基板處理裝置

12??處理室

28??溫度傳感器

34??內(nèi)側(cè)壁

35??外側(cè)壁

36??空間

39??加熱器

60??水冷套

62??水冷裝置

64??移動機構(gòu)

66??水套主體

68??管

76??支承機構(gòu)

100?控制器

102?控制電路

具體實施方式

下面，根據(jù)附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。

在圖1及圖2中示出了本發(fā)明的第一實施方式的基板處理裝置10。

基板處理裝置10構(gòu)成為間歇式縱形熱壁形氧化·擴散裝置。

基板處理裝置10具有縱形的處理管11，縱形的處理管11以其中心線垂直的方式被縱向配置并固定地支承。處理管11采用石英(SiO₂)并形成為上端封閉且下端開口的圓筒形狀。

由處理管11的圓筒狀的中空部形成對作為基板使用的晶片1進行處理的處理室12。在處理室12中，對多個晶片1進行批量處理。另外，在處理管11的下端部形成的開口部作為爐口13使用。晶片1通過爐口13在處理室12內(nèi)出入。