[發明專利]基板處理裝置、加熱裝置及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 200910136937.0
• 申請日: 2009-04-28
• 公開（公告）號: CN101645393A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發明（設計）人: 島田真一
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/324;H01L21/22
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 陳 偉

1.一種基板處理裝置，其特征在于，具有：

對基板進行處理的處理室；

設在所述處理室的外周側并對所述處理室進行加熱的發熱體；

設在所述發熱體的外周側的環狀的內側壁；

與所述內側壁的外周側之間形成間隙地設置的環狀的外側壁；

設在所述間隙中的被冷卻的環狀的冷卻部件；

使所述冷卻部件在與所述內側壁及所述外側壁的至少一方接觸的接觸位置和與所述內側壁及所述外側壁都不接觸的非接觸位置之間移動的移動機構；

至少控制所述移動機構的控制部。

2.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述冷卻部件的與所述內側壁相對的面的曲率和所述內側壁的與所述冷卻部件相對的面的曲率相等。

3.如權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，所述冷卻部件的與所述外側壁相對的面的曲率和所述外側壁的與所述冷卻部件相對的面的曲率相等。

4.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述控制部根據所述處理室內的溫度及該溫度的變化中的至少一方對所述移動機構進行控制。

5.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，在所述處理室內的基板的處理溫度被設定為25℃以上且不足250℃時，所述控制部對所述移動機構進行控制，以使所述冷卻部件與所述內側壁接觸。

6.如權利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于，在所述處理室內的基板的處理溫度被設定為25℃以上且不足250℃時，在以下任何一個工序中，所述控制部對所述移動機構進行控制，以使所述冷卻部件與所述內側壁接觸，所述工序為：使所述處理室內的溫度上升的工序；使所述處理室內的溫度穩定在上升的溫度的工序；在所述處理室內對基板進行處理的工序；以及使所述處理室內的溫度下降的工序。

7.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，在所述處理室內的基板的處理溫度被設定為25℃以上且不足500℃時，至少在使所述處理室內的溫度上升的工序中，所述控制部對所述移動機構進行控制，以使所述冷卻部件與所述內側壁接觸。

8.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，在所述處理室內的基板的處理溫度被設定為500℃以上且1050℃以下時，至少在所述處理室內對基板進行處理的工序中，所述控制部對所述移動機構進行控制，以使所述冷卻部件與所述外側壁接觸。

9.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述移動機構使所述冷卻部件在垂直于所述內側壁的與所述冷卻部件相對的面的方向上移動。

10.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，至少所述內側壁由與所述發熱體相同的材質構成。

11.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述控制部以如下方式對所述移動機構進行控制而對基板進行處理，所述方式為：在所述處理室內的基板的處理溫度為預定的規定溫度以上的情況下，使所述冷卻部件與所述外側壁接觸；在所述處理室內的處理溫度比所述規定溫度低的情況下，使所述冷卻部件與所述內側壁接觸。

12.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述控制部以如下方式對所述移動機構進行控制，所述方式為：根據在所述處理室內的基板的處理溫度處于預先被確定范圍的多個溫度區域中的哪一個范圍內，相應地將所述冷卻部件配置在與所述內側壁及所述外側壁都不接觸的位置、與所述內側壁接觸的位置以及與所述外側壁接觸的位置中的某一個位置上。

13.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述控制部以如下方式對所述移動機構進行控制，所述方式為：根據所述處理室內的溫度的變動狀態以及所述處理室內的基板的處理溫度處于預先被確定范圍的多個溫度區域中的哪一個范圍內，相應地將所述冷卻部件配置在與所述內側壁及所述外側壁都不接觸的位置、與所述內側壁接觸的位置以及與所述外側壁接觸的位置中的某一個位置上。