[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910136415.0
• 申請日: 2009-05-06
• 公開（公告）號: CN101577277A
• 公開（公告）日: 2009-11-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 森野直純;平巖篤;越久和俊;伊藤俊明;五十嵐元繁;佐佐木隆行;杉山雅夫;柳田博史;渡會慎一
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社瑞薩科技
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/772;H01L29/06;H01L23/522;H01L29/861;H01L29/41
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 劉國偉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，特別是涉及適用于一種半導(dǎo)體裝置的有效的技術(shù)，所 述半導(dǎo)體裝置形成有所謂的三阱結(jié)構(gòu)(triple?well)，即，在第1導(dǎo)電型的基板內(nèi)具有與 第1導(dǎo)電型不同的第2導(dǎo)電型的深阱、且在所述深阱內(nèi)具有第1導(dǎo)電型的淺阱的三層構(gòu) 造的阱。

背景技術(shù)

例如，在日本專利特開2006-303753號公報(專利文獻1)中，記載有一種具有所 謂的三阱結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體集成電路裝置的邏輯電路以及I/O(Input/Output，輸入/輸出)電 路，所述三阱結(jié)構(gòu)是在p型半導(dǎo)體基板內(nèi)制作深n阱，并在所述深n阱內(nèi)制作用來構(gòu)成 p型MISFET的n阱及用來構(gòu)成n型MISFET的p阱。

并且，在日本專利特開平11-97560號公報(專利文獻2)中揭示有如下技術(shù)：在 半導(dǎo)體基板上具有浮動?xùn)烹姌O以及控制柵電極的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲裝置中，在p型半 導(dǎo)體基板上形成n阱，在n阱內(nèi)形成p阱，在p阱內(nèi)形成n型的防靜電用的擴散層，并 將所述防靜電用的擴散層與控制柵電極加以電連接，以此防止布線層蝕刻時的帶電所導(dǎo) 致的絕緣膜可靠性降低或者絕緣破壞。

并且，在日本專利特開2005-340548號公報(專利文獻3)中揭示有如下技術(shù)：使 浮動布線連接于箝位二極管(clamp?diode)，將流動于浮動布線中的電荷向箝位二極管 放掉，以此防止浮動布線與鄰接于此浮動布線的接地布線產(chǎn)生短路。

另外，在日本專利特開2001-358143號公報(專利文獻4)中揭示有如下技術(shù)：具 備含有分別與多個柵電極電連接的多個轉(zhuǎn)接銷的至少一層布線層、以及含有分別與多個 轉(zhuǎn)接銷電連接的多個布線圖案的最上層布線層，使用最上層的布線圖案進行柵電極的布 線，從而將布線層在蝕刻加工時的帶電電荷向柵電極以外的區(qū)域放掉，以防止柵極絕緣 膜劣化。

專利文獻1：日本專利特開2006-303753號公報

專利文獻2：日本專利特開平11-97560號公報

專利文獻3：日本專利特開2005-340548號公報

專利文獻4：日本專利特開2001-358143號公報

發(fā)明內(nèi)容

在系統(tǒng)芯片(System?On?Chip，SOC)產(chǎn)品中，為了減少待機時的耗電等而使用具 有三阱結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。但是，關(guān)于具有三阱結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，存在有以下將說明 的各種技術(shù)問題。

一般而言，為了進行信號交換，根據(jù)需要而將分別形成于不同的三阱區(qū)域上的場效 應(yīng)晶體管之間、以及形成于三阱區(qū)域上的場效應(yīng)晶體管和形成于基板區(qū)域上的場效應(yīng)晶 體管之間加以電連接。但是，本發(fā)明者等人經(jīng)研究后明確了解，在特定的電路中，會產(chǎn) 生因三阱結(jié)構(gòu)而引起的場效應(yīng)晶體管的柵極絕緣膜的絕緣破壞。作為防止所述絕緣破壞 的有效方法之一，可考慮例如經(jīng)由電平位移電路而將分別形成于不同的三阱區(qū)域上的場 效應(yīng)晶體管之間加以電連接的方法。但是，電平位移電路本來是為了將電源電壓互不相 同的區(qū)域之間加以連接而設(shè)計，如果將所述電平位移電路針對電源電壓彼此相同的區(qū)域 間的每條信號線而設(shè)置，則不僅會使設(shè)計變得繁瑣，而且因為電平位移電路占用半導(dǎo)體 裝置的一部分區(qū)域而會產(chǎn)生半導(dǎo)體裝置變大、產(chǎn)品的制造成本價變高等的問題。

本發(fā)明的目的在于提供一種對于具有三阱結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置能夠提高制造良率以 及產(chǎn)品可靠性的技術(shù)。

本發(fā)明的所述目的和其他目的以及新穎特征，將通過本說明書的記述以及附圖而變 得明確。

以下，對本申請案所揭示的發(fā)明中代表性發(fā)明的一實施方式進行簡單說明。