[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 200910136415.0
• 申請日: 2009-05-06
• 公開（公告）號: CN101577277A
• 公開（公告）日: 2009-11-11
• 發明（設計）人: 森野直純;平巖篤;越久和俊;伊藤俊明;五十嵐元繁;佐佐木隆行;杉山雅夫;柳田博史;渡會慎一
• 申請（專利權）人: 株式會社瑞薩科技
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/772;H01L29/06;H01L23/522;H01L29/861;H01L29/41
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 劉國偉

1.一種半導體裝置，其特征在于，

包含：第1導電型的基板；形成于所述基板內的與所述第1導電型不同的第2 導電型的深阱；形成于所述基板內的互不相同區域上的所述第1導電型的第1淺阱 和所述第2導電型的第2淺阱；形成于所述第1淺阱內的所述第2導電型的第1場 效應晶體管；形成于所述第2淺阱內的所述第1導電型的第2場效應晶體管；形成 于所述深阱內的互不相同區域上的所述第1導電型的第3淺阱和所述第2導電型的 第4淺阱；形成于所述第3淺阱內的所述第2導電型的第3場效應晶體管；以及形 成于所述第4淺阱內的所述第1導電型的第4場效應晶體管，

還包含：在所述基板內的與形成有所述深阱、所述第1淺阱和所述第2淺阱 的區域所不同的區域上所形成的所述第1導電型的第5淺阱；以及形成于所述第5 淺阱內的所述第1導電型的第5擴散分接頭，

使用第n層布線將所述第5擴散分接頭、與形成于所述第3淺阱內的所述第1 導電型的第3擴散分接頭加以連接，并且使用第n層以上的布線，將所述第3場效 應晶體管的柵電極以及所述第4場效應晶體管的柵電極、與所述第1場效應晶體管 的漏電極以及所述第2場效應晶體管的漏電極加以連接。

2.一種半導體裝置，其特征在于，

包含：第1導電型的基板；形成于所述基板內的與所述第1導電型不同的第2 導電型的深阱；形成于所述基板內的互不相同區域上的所述第1導電型的第1淺阱 和所述第2導電型的第2淺阱；形成于所述第1淺阱內的所述第2導電型的第1場 效應晶體管；形成于所述第2淺阱內的所述第1導電型的第2場效應晶體管；形成 于所述深阱內的互不相同區域上的所述第1導電型的第3淺阱和所述第2導電型的 第4淺阱；形成于所述第3淺阱內的所述第2導電型的第3場效應晶體管；以及形 成于所述第4淺阱內的所述第1導電型的第4場效應晶體管，

使用第n層布線將形成于所述第1淺阱內的所述第1導電型的第1擴散分接 頭、與形成于所述第3淺阱內的所述第1導電型的第3擴散分接頭加以連接，并且 使用第n層以上的布線，將所述第3場效應晶體管的柵電極以及所述第4場效應晶 體管的柵電極、與所述第1場效應晶體管的漏電極以及所述第2場效應晶體管的漏 電極加以連接。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，所述基板與所述第3淺阱為 同電位。

4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第n層布線為第2層布 線。

5.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第1場效應晶體管與所 述第2場效應晶體管構成一倒相電路，所述第3場效應晶體管與所述第4場效應晶 體管構成另一倒相電路。

6.一種半導體裝置，其特征在于，

包含：第1導電型的基板；形成于所述基板內的與所述第1導電型不同的第2 導電型的深阱；形成于所述基板內的互不相同區域上的所述第1導電型的第1淺阱 和所述第2導電型的第2淺阱；形成于所述第1淺阱內的所述第2導電型的第1場 效應晶體管；形成于所述第2淺阱內的所述第1導電型的第2場效應晶體管；形成 于所述深阱內的互不相同區域上的所述第1導電型的第3淺阱和所述第2導電型的 第4淺阱；形成于所述第3淺阱內的所述第2導電型的第3場效應晶體管；以及形 成于所述第4淺阱內的所述第1導電型的第4場效應晶體管，

還包含：在所述基板內的與形成有所述深阱、所述第1淺阱和所述第2淺阱 的區域所不同的區域上所形成的所述第1導電型的第6淺阱；以及形成于所述第6 淺阱內的所述第2導電型的擴散層，

使用第n層布線將所述擴散層、與形成于所述第4淺阱內的所述第2導電型 的第4擴散分接頭加以連接，并且使用第n層以上的布線，將所述第3場效應晶體 管的柵電極以及所述第4場效應晶體管的柵電極、與所述第1場效應晶體管的漏電 極以及所述第2場效應晶體管的漏電極加以連接。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述第1場效應晶體管與第2場 效應晶體管構成數字電路，所述第3場效應晶體管與第4場效應晶體管構成模擬電 路。