[發明專利]雙方向元件及其制造方法

有效

• 申請號: 200910136307.3
• 申請日: 2004-08-12
• 公開（公告）號: CN101567373A
• 公開（公告）日: 2009-10-28
• 發明（設計）人: 北村睦美;藤島直人
• 申請（專利權）人: 富士電機電子技術株式會社
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/336
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍 淳;劉春成

1.一種半導體裝置，其是將雙方向半導體裝置和該雙方向半導體裝置的控制電路集成在第二導電型的半導體基板上而成，其特征在于：

該雙方向半導體裝置包括：

位于所述半導體基板的第一導電型的阱區域；

位于所述阱區域內的溝槽；

位于所述阱區域的表面層、由所述溝槽相互分離且與所述溝槽相接觸的第二導電型的第一半導體區域和第二導電型的第二半導體區域；

位于所述第一半導體區域的表面層且與所述溝槽相接觸的第一導電型的第三半導體區域；

位于所述第二半導體區域的表面層且與所述溝槽相接觸的第一導電型的第四半導體區域；

位于所述第一半導體區域的表面層的第二導電型的第五半導體區域；

位于所述第二半導體區域的表面層的第二導電型的第六半導體區域；

位于在所述溝槽的側壁的所述阱區域與所述第三半導體區域之間的所述第一半導體區域上的絕緣膜上的第一控制電極；

位于在所述溝槽的側壁的所述阱區域與所述第四半導體區域之間的所述第二半導體區域上的絕緣膜上、與所述第一控制電極分離的第二控制電極；

與所述第三半導體區域和所述第五半導體區域相接觸的第一主電極；和

與所述第四半導體區域和所述第六半導體區域相接觸的第二主電極。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

控制電路具有：

第二導電型阱；

相互分離地存在于所述阱的表面層的第一導電型源極和第一導電型漏極；和

在所述源極和所述漏極之間的所述阱的表面層上存在于絕緣膜上的柵極電極。

3.一種雙方向元件，其特征在于，具有：

由在第一導電型半導體區域內形成的溝槽，將所述半導體區域的表面層分割形成的第一和第二分割半導體區域；

在所述溝槽的底面或底面和側壁上形成的第一導電型的第一區域；

分別在所述第一和第二分割半導體區域中形成的、與所述溝槽側壁和所述第一區域連接的第二導電型的第二和第三區域；

在所述第一分割半導體區域中，與所述溝槽側壁連接、與所述第二區域連接形成的第一導電型第四區域；

在所述第二分割半導體區域中，與所述溝槽側壁連接、與所述第三區域連接形成的第一導電型的第五區域；

在所述第一分割半導體區域的所述溝槽側壁上，從所述第一區域至所述第四區域，經第一絕緣膜形成的第一控制電極；

在所述第一分割半導體區域的所述溝槽側壁上，從所述第一區域至所述第五區域，經第二絕緣膜形成的第二控制電極；

在所述第四區域上形成的第一主電極；和

在所述第五區域上形成的第二主電極，

在所述第一區域和所述第二區域之間與所述第一區域和所述第三區域之間，具有比所述第一區域的雜質濃度低的第六區域，

在每一個所述控制電極的內側，具有經層間絕緣膜到達所述第一區域的導電體，

具有在所述溝槽底面形成的、與所述第二和第三區域連接的第二導電型的第七區域，

所述導電體通過層間絕緣膜到達所述第七區域。