[發明專利]固晶裝置無效
| 申請號: | 200910134964.4 | 申請日: | 2009-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN101587826A | 公開(公告)日: | 2009-11-25 |
| 發明(設計)人: | 陳猷仁 | 申請(專利權)人: | 啟耀光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/683;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京泛誠知識產權代理有限公司 | 代理人: | 文 琦;陳 波 |
| 地址: | 中國臺灣臺南*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 | ||
1、一種固晶裝置,其與具有一晶粒的一承載體和具有一晶粒接合面的一基板相配合,該固晶裝置包括:
一晶粒頂出機構,其具有至少一個頂針單元;以及
一基板保持機構,其保持所述基板,并與所述晶粒頂出機構對向設置,所述基板與所述晶粒頂出機構以平行所述晶粒接合面的方向二維地相對移動,
其中,所述承載體位于所述晶粒頂出機構與所述基板之間,所述頂針單元頂抵所述承載體,以使所述承載體上的所述晶粒轉置于所述基板的所述晶粒接合面上。
2、如權利要求1所述的固晶裝置,其中所述基板保持機構為一塑料基板保持機構、或一玻璃基板保持機構、或一印刷電路基板保持機構。
3、如權利要求1所述的固晶裝置,其中所述基板的所述晶粒接合面朝下,并且所述基板設置于所述頂針單元的上方,所述頂針單元由下向上頂抵所述承載體。
4、如權利要求1所述的固晶裝置,其中所述基板保持機構具有一保持單元,其保持所述基板而與所述晶粒頂出機構對向設置。
5、如權利要求4所述的固晶裝置,其中所述保持單元為一吸附單元、或一氣浮單元、或一夾持單元、或一托持單元或一懸吊單元、或一吸附氣浮單元。
6、如權利要求4所述的固晶裝置,其中所述基板保持機構還具有一第一位移單元,其驅動所述保持單元產生位移。
7、如權利要求1所述的固晶裝置,其中所述晶粒頂出機構還具有一第二位移單元,其驅動所述頂針單元產生位移。
8、如權利要求1所述的固晶裝置,其中所述晶粒頂出機構還具有一吸附單元,其鄰設或環設于所述頂針單元,并吸附所述承載體。
9、如權利要求1所述的固晶裝置,還包括一粘接材料設置機構,其將一粘接材料設置于所述基板的所述晶粒接合面上,或所述晶粒上。
10、如權利要求1所述的固晶裝置,還包括一定位偵測機構,其中所述基板位于所述定位偵測機構與所述晶粒頂出機構之間。
11、如權利要求10所述的固晶裝置,其中所述定位偵測機構偵測所述承載體上的所述晶粒、所述晶粒頂出機構和所述基板的至少其中兩個沿平行所述晶粒接合面方向的二維地相對位置。
12、如權利要求10所述的固晶裝置,其中所述定位偵測機構偵測所述承載體上的所述晶粒和所述基板沿垂直所述晶粒接合面方向的間距。
13、如權利要求10所述的固晶裝置,其中所述定位偵測機構為一光學定位偵測機構。
14、如權利要求1所述的固晶裝置,還包括:
一第三位移單元,其驅動所述承載體產生位移。
15、如權利要求14所述的固晶裝置,其中所述第三位移單元驅動所述承載體相對所述晶粒頂出機構產生二維方向的位移。
16、如權利要求4所述的固晶裝置,其中當所述保持單元為一吸附氣浮單元時,所述吸附氣浮單元維持所述保持單元與基板之間有一間隙。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





