[發明專利]有源矩陣式顯示裝置的像素結構無效
| 申請號: | 200910134853.3 | 申請日: | 2009-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN101859791A | 公開(公告)日: | 2010-10-13 |
| 發明(設計)人: | 劉俊彥;柯凱元;蔡軒名;吳元均;張立勛 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/32;G09G3/20 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有源 矩陣 顯示裝置 像素 結構 | ||
1.一種有源矩陣式顯示裝置的像素結構,其特征在于包含:
驅動電路,包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管以及存儲電容;該第一薄膜晶體管的漏極耦接至數據電壓,柵極耦接至第一掃描電壓,源極耦接至該第二薄膜晶體管的漏極和該第四薄膜晶體管的柵極;該第二薄膜晶體管的柵極耦接至第二掃描電壓,源極耦接至該第三薄膜晶體管的漏極和該存儲電容的第一端;該第三薄膜晶體管的柵極耦接至該第一掃描電壓,源極耦接至第一參考電壓;該第四薄膜晶體管的源極耦接至該第五薄膜晶體管的漏極和該存儲電容的第二端;該第五薄膜晶體管的柵極耦接至發射電壓,源極耦接至正電壓;發光組件,該發光組件的正極耦接至該第四薄膜晶體管的漏極,負極耦接至公共電壓;以及
分流電路,包含第六薄膜晶體管,該第六薄膜晶體管的柵極耦接至該第一掃描電壓,該第六薄膜晶體管的源極耦接至該第四薄膜晶體管的漏極,該第六薄膜晶體管的漏極耦接至第二參考電壓。
2.如權利要求1所述的有源矩陣式顯示裝置的像素結構,其特征在于:該發光組件為OLED。
3.如權利要求1所述的有源矩陣式顯示裝置的像素結構,其特征在于:該第一參考電壓為電源負極或接地電位。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





