[發(fā)明專利]能夠運(yùn)載處理對(duì)象進(jìn)入并離開真空室的真空處理系統(tǒng)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910134580.2
• 申請(qǐng)日: 2004-03-25
• 公開（公告）號(hào): CN101533765A
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 玉井忠素
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 玉井忠素
• 主分類號(hào): H01L21/00
• 分類號(hào): H01L21/00;H01L21/677
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 史雁鳴

相互引用的相關(guān)申請(qǐng)

本申請(qǐng)是2004年3月25日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?004100304874、發(fā)明名稱為《能夠運(yùn)載處理對(duì)象進(jìn)入并離開真空室的真空處理系統(tǒng)》的專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

本申請(qǐng)以2003年3月25日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)No.2003-81815為基礎(chǔ)，并要求其優(yōu)先權(quán)，其全文并入此處以做參考。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種真空處理系統(tǒng)，尤其是一種用于運(yùn)載處理對(duì)象進(jìn)入并離開真空室且具有至少兩個(gè)加載鎖定機(jī)構(gòu)的真空處理系統(tǒng)。

背景技術(shù)

以離子注入器為例說(shuō)明傳統(tǒng)的晶片運(yùn)送方法。JPA?HEI3-29258(JPBHEI7-54668)公開了一種具有一個(gè)裝有兩個(gè)加載鎖定室的真空室離子注入器。晶片借助所述的加載鎖定室送入或運(yùn)出。

為了運(yùn)送晶片，首先一個(gè)機(jī)械臂從所述加載鎖定室撿起一塊處理過(guò)的晶片，并將其運(yùn)送到晶片供應(yīng)區(qū)。然后，從晶片供應(yīng)區(qū)撿起一塊仍未處理的新晶片，并將其放在一個(gè)校準(zhǔn)器上，以調(diào)節(jié)晶片的姿勢(shì)(以凹口或定向平面為基礎(chǔ)的位置校準(zhǔn))。然后，所述機(jī)械臂從所述校準(zhǔn)器將所述晶片運(yùn)送到所述加載鎖定室。

由于使用了兩個(gè)加載鎖定室，因此晶片運(yùn)送過(guò)程可以被加速。

在傳統(tǒng)的離子注入器中，將晶片送入或運(yùn)出加載鎖定室以及將晶片送往另一個(gè)位置所花的時(shí)間比將離子注入晶片實(shí)際所花的時(shí)間要長(zhǎng)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個(gè)目的是為了縮短將一個(gè)處理對(duì)象送入或運(yùn)出加載鎖定室以及將其送往另一個(gè)位置所花的時(shí)間，并改進(jìn)真空處理系統(tǒng)的工藝性能。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種真空處理系統(tǒng)，包括：一個(gè)真空室，用于限定一個(gè)能夠被抽成真空的內(nèi)室；一個(gè)第一加載鎖定機(jī)構(gòu)，能夠?qū)⒁粋€(gè)處理對(duì)象送入或運(yùn)出保持真空狀態(tài)的所述真空室；一個(gè)第二加載鎖定機(jī)構(gòu)，能夠?qū)⒁粋€(gè)處理對(duì)象送入或運(yùn)出保持真空狀態(tài)的所述真空室；一個(gè)外臂，安置在所述真空室的外面，且能夠保持所述待處理的對(duì)象，并將所保持的處理對(duì)象要么送入第一加載鎖定機(jī)構(gòu)要么送入第二加載鎖定機(jī)構(gòu)；一個(gè)第一機(jī)械臂，安置在所述真空室的外面，且能夠在真空室外面的供應(yīng)位置和第一加載鎖定機(jī)構(gòu)之間以及在所述供應(yīng)位置和所述外臂之間傳遞所述處理對(duì)象；以及一個(gè)第二機(jī)械臂，安置在所述真空室的外面，且能夠在所述供應(yīng)位置和第二加載鎖定機(jī)構(gòu)之間以及在所述供應(yīng)位置和所述外臂之間傳遞所述處理對(duì)象。

所述處理對(duì)象可以從所述第一機(jī)械臂傳遞到所述外臂，然后從所述外臂運(yùn)送回所述第一或第二加載鎖定機(jī)構(gòu)。在所述外臂運(yùn)送所述處理對(duì)象期間，第一機(jī)械臂可以將一個(gè)處理過(guò)的對(duì)象運(yùn)出所述第一加載鎖定機(jī)構(gòu)。

因此本發(fā)明可以改進(jìn)將一個(gè)處理對(duì)象送入所述真空室的運(yùn)送性能以及真空處理效率。

附圖說(shuō)明

圖1是如一個(gè)實(shí)施例所述的離子注入器的平面剖視圖。

圖2是如那個(gè)實(shí)施例所述的離子注入器的加載鎖定機(jī)構(gòu)的橫截面視圖。

圖3是將一個(gè)晶片送入如那個(gè)實(shí)施例所述的離子注入器內(nèi)的方法的示意圖。

具體實(shí)施方式

圖1是如本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例所述的離子注入器的平面剖視圖。第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1和第二加載鎖定機(jī)構(gòu)2安裝在真空室50的底部上，真空室50的內(nèi)部可以被抽成真空。第一和第二加載鎖定機(jī)構(gòu)1和2的詳細(xì)結(jié)構(gòu)后面將參照?qǐng)D2加以說(shuō)明。通過(guò)第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1和第二加載鎖定機(jī)構(gòu)2運(yùn)載一塊晶片進(jìn)入并離開真空室50。

掃描臂9安置在真空室50內(nèi)。安裝在掃描臂9末端的臺(tái)板10保持晶片并將其放在離子束30的傳播路徑上。離子束30的傳播路徑一般是水平的，且晶片相對(duì)于離子束30的傳播方向保持垂直或傾斜。掃描電機(jī)20支承掃描臂9，使其在某一角度范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)。由臺(tái)板10保持的晶片因此可以在離子束30的傳播路徑的橫向上往復(fù)運(yùn)動(dòng)。用于測(cè)量離子流的法拉第圓筒31相對(duì)于離子束30安置在下游。

支承掃描電機(jī)20的支承軸穿過(guò)真空室50的室壁延伸到真空室之外。俯仰電機(jī)21使該支承軸旋轉(zhuǎn)。通過(guò)運(yùn)轉(zhuǎn)俯仰電機(jī)21，可使臺(tái)板10傾斜，并使其位于加載位置10A上。當(dāng)臺(tái)板10位于加載位置10A上時(shí)，晶片一般保持水平狀態(tài)。

內(nèi)臂7和8安置在真空室50內(nèi)。內(nèi)臂7和8繞與第一和第二加載鎖定機(jī)構(gòu)1和2等距安置的旋轉(zhuǎn)軸12旋轉(zhuǎn)。加載位置10A和旋轉(zhuǎn)軸12之間的距離等于第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1和旋轉(zhuǎn)軸12之間的距離。