[發(fā)明專利]有機(jī)光阻去除劑組合物

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910134457.0
• 申請(qǐng)日: 2009-04-16
• 公開（公告）號(hào): CN101866118A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王儷颕;蘇國(guó)禎;張明欽;涂勝宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 巴斯夫公司
• 主分類號(hào): G03F7/42
• 分類號(hào): G03F7/42;H01L21/02
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 孟銳

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明系關(guān)于一種包含極性有機(jī)溶劑、堿性的一級(jí)或二級(jí)醇胺化合物或其組合、三級(jí)胺化合物及防止金屬蝕刻的抑制劑的光阻去除劑組合物。

背景技術(shù)

蝕刻制程系半導(dǎo)體及液晶薄膜顯示器產(chǎn)業(yè)的微影制程中最重要的步驟之一。一般而言，光罩上的組件圖案系先藉由微影制程而轉(zhuǎn)移至光阻上，接著再利用蝕刻制程以達(dá)到將圖案轉(zhuǎn)移至薄膜上的最終目的，此經(jīng)微影與蝕刻的薄膜將成為半導(dǎo)體組件的一部份。以金氧半導(dǎo)體組件或互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體組件的制程為例，該薄膜可為二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)、復(fù)晶硅(Poly-Si)、鋁合金、銅或磷硅玻璃(phosphosilicate，PSG)等，換言之，幾乎所有構(gòu)成半導(dǎo)體組件的主要材料皆須經(jīng)過薄膜沈積、微影及蝕刻的流程，以便一層一層地進(jìn)行組件的制作。

舉例而言，于一般形成導(dǎo)體圖案的制程中，通常會(huì)先于基材上依序形成一層氧化硅層與一層導(dǎo)體層(復(fù)晶硅或其它如鋁或銅的金屬材料)后，再于該導(dǎo)體層上形成一圖案化光阻層，接著利用光阻層作為蝕刻罩幕，將曝露的導(dǎo)體層經(jīng)干蝕刻以形成導(dǎo)體圖案，之后再去除光阻層。

于上述形成導(dǎo)體圖案的制程中，用于蝕刻導(dǎo)體層的氣體系含有碳、氯或氧，然而，此等氣體會(huì)與光阻層及導(dǎo)體層產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)而在光阻層及導(dǎo)體層的側(cè)壁形成高分子殘留物，此高分子殘留物不但會(huì)影響后續(xù)制程，還會(huì)降低導(dǎo)體層的效能。因此，于圖案化光阻層移除后，通常會(huì)進(jìn)行一洗凈制程以移除在干蝕刻后附著于導(dǎo)體圖案表面的高分子殘留物。

例如，在液晶薄膜顯示器的數(shù)組制程中，首先提供一基材，此基材上至少具有銅金屬導(dǎo)線層及位于銅金屬導(dǎo)線層上的介電層，之后利用光罩定義出所需的蝕刻圖案，再進(jìn)行蝕刻，形成曝露部份銅金屬導(dǎo)線的開口。

先前技藝中已有光阻剝離組合物的相關(guān)揭示。例如，JP?2005-043874揭示一種光阻剝離液組合物，其包含5重量％至50重量％的有機(jī)胺化合物、10重量％至50重量％的乙二醇醚化合物、0重量％至30重量％的水溶性有機(jī)溶劑、0.1重量％至10重量％的防腐劑及剩余量的去離子水。

WO?2007/139315亦有關(guān)一種光阻剝離劑組合物，其包含腐蝕抑制劑、含量為腐蝕抑制劑重量2至50倍的水溶性有機(jī)胺化合物及極性溶劑。此等組合物可輕易地剝除在濕蝕刻或干蝕刻程序中所生成的硬化光阻，而不損傷暴露于組合物下部的金屬膜質(zhì)和氧化膜質(zhì)，且僅需用水來進(jìn)行后續(xù)沖洗步驟。

WO?2007/037628提供一種光阻剝離組合物，其包含5重量％至30重量％的有機(jī)胺化合物、10重量％至30重量％的乙二醇醚化合物、10重量％至50重量％的水溶性有機(jī)溶劑、0.1重量％至10重量％的腐蝕抑制劑、0.1重量％至5重量％的氧化物助溶劑及剩余量的去離子水，此組合物可同時(shí)去除光阻及在去除光阻時(shí)由基材所排出的氧化物，諸如ITO(銦錫氧化物)及IZO(銦鋅氧化物)。

TW546553系揭示一種光阻用剝離液組成物，其包括烷醇胺類、糖類、水溶性有機(jī)溶媒、苯并三唑或其衍生物及水。TW228640系揭示一種光阻去除劑組成，其包括水溶性有機(jī)溶劑、水、烷基胺或醇胺、醋酸、化合物、有機(jī)酚化合物及三唑化合物。

本案發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明的光阻去除劑組合物可有效地剝離有機(jī)光阻，同時(shí)不會(huì)對(duì)金屬基材造成蝕刻，且亦可去除金屬表面的氧化物。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的系提供一種光阻去除劑組合物，其包含：

(1)極性有機(jī)溶劑；

(2)堿性的一級(jí)或二級(jí)醇胺化合物或其組合；

(3)三級(jí)胺化合物；及

(4)防止金屬蝕刻的抑制劑。

本發(fā)明的另一目的系提供一種光阻去除劑組合物，其包含：

(1)極性有機(jī)溶劑；

(2)堿性的一級(jí)或二級(jí)醇胺化合物或其組合；

(3)三級(jí)胺化合物；

(4)防止金屬蝕刻的抑制劑；及

(5)有機(jī)酸。

本發(fā)明組合物可輕易且迅速地去除在干蝕刻、拋光或離子移植加工期間所轉(zhuǎn)化和硬化于基材上的光阻膜，及在該加工期間從底部金屬膜所蝕刻的金屬副產(chǎn)品所轉(zhuǎn)化成的光阻膜，且此組合物亦可降低在去除光阻期間對(duì)底部金屬線(尤其是銅線)的腐蝕，并可去除金屬表面的氧化物。

本發(fā)明的再一目的系以本發(fā)明光阻去除劑組合物于去除在干蝕刻、拋光或離子移植加工期間所轉(zhuǎn)化和硬化的光阻膜的用途。

本發(fā)明的又一目的系以本發(fā)明光阻去除劑組合物移除基材上的光阻膜的方法。

本發(fā)明的另又一目的系提供一種以本發(fā)明光阻去除劑組合物制造半導(dǎo)體組件的方法。

附圖說明