[發明專利]半導體制造設備的清潔方法及裝置

無效

• 申請號: 200910134148.3
• 申請日: 2009-04-13
• 公開（公告）號: CN101740344A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 古紹延;楊棋銘;徐子正
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/673;B08B3/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

技術領域

本發明涉及從半導體制造設備中移除雜質的方法及裝置，且特別涉及以超臨界流體移除半導體制造設備中的雜質的方法及裝置。

背景技術

半導體制造設備，例如前開式晶片盒(wafer?FOUP)、晶片盒(PODs)、晶片載具(wafer?carriers)、光掩模載具(reticle?carriers)等，皆經常使用在各種工藝中，處理及制造各種半導體裝置。半導體裝置產生的污染物經常會污染這些設備。例如，像是光致抗蝕劑及高分子殘余物通常會污染前開式晶片盒(wafe?FOUP)及晶片盒(PODs)的夾縫，除非將這些污染物完全移除，否則這些污染物仍會交互污染其他的半導體裝置，即會影響到半導體裝置效能及降低良率。目前，已發展各種濕式(例如去離子水及溶液)及干式(例如等離子體)的清潔工藝用于消除各式各樣的污染物。然而，隨著半導體產業轉進更大的晶片尺寸，例如18英寸的晶片，在前開式晶片盒(waferFOUP)中的夾縫數量及夾縫區域也隨之劇增以承載450mm的晶片。現有用于清潔半導體制造設備的方法并不足以有效徹底清潔這些設備。例如前開式晶片盒為封閉式的設計，如使用傳統的潤洗方法非常難以清潔。而且，這些設備通常相當巨大、昂貴及復雜，必須使用多種不同形態清潔容器及進行連續不斷地的清潔，其需消耗相當可觀的清潔流體，也表示需要耗費許多成本以清潔這些設備。

發明內容

根據上述及其他在下列會詳述的理由，本發明提供一種改良方法來清潔這些半導體制造設備，以改善使用傳統清潔方法的缺點。

本發明提供一種半導體制造設備的清潔方法，包括：將一半導體制造設備置于一腔室中；導入一超臨界流體至該腔室中；以該超臨界流體接觸該半導體制造設備來清潔該半導體制造設備；自該腔室中移去該超臨界流體；以及自該腔室中移去該半導體制造設備。

本發明也提供一種一半導體制造設備的清潔方法，包括：將該半導體制造設備置于一腔室中；導入一流體至該腔室；控制該流體的壓力及溫度使該流體到達超臨界狀態；通過該超臨界流體接觸該半導體制造設備來清潔該半導體制造設備：自該腔室中移去該超臨界流體；以及自該腔室中移去該半導體制造設備。

本發明更提供一種半導體制造設備的清潔裝置，包括：一流體供應來源；一連接至該流體供應來源的腔室，該半導體制造設備置于該腔室中，其中該腔室用于接收從流體供應來源流進的一流體，用以清潔該半導體制造設備；一溫度及壓力控制系統，用以使該流體進入超臨界狀態；以及一連接至該腔室的儲存槽，該儲存槽用于收集由該腔室流出的污染的超臨界流體。

本發明在清洗半導體設備時不但清洗效率高，而且清洗設備使用方便，成本較低。

為讓本發明的上述和其他目的、特征、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。

附圖說明

圖1為一實施例的半導體制造設備的清潔裝置剖面圖。

圖2為一實施例的半導體制造設備的清潔流程圖。

上述附圖中的附圖標記說明如下：

100～半導體制造設備的清潔裝置

110～反應腔室

115～半導體制造設備

120～加熱單元????????????125～液體供應來源

130～泵??????????????????135～液體供應管路

140～廢物回收管路????????145～儲存槽

150～冷卻單元

具體實施方式

本發明提供以超臨界流體來清潔半導體制造設備的方法及裝置。這些超臨界流體包括，但不限于：二氧化碳、氙氣、氬氣、氦氣、氪氣、氮氣、甲烷、乙烷、丙烷、戊烷、乙烯、甲醇、乙醇、異丙醇、異丁醇、環己醇、氨氣、一氧化二氮(nitrous?oxide)、氧氣、六氟化硅、氟甲烷(methyl?fluoride)、一氯三氟甲烷(chlorotrifluoromethane)、水或前述的組合。