[發(fā)明專利]半導體制造設(shè)備的清潔方法及裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910134148.3
• 申請日: 2009-04-13
• 公開（公告）號: CN101740344A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 古紹延;楊棋銘;徐子正
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/673;B08B3/00
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

1.一種半導體制造設(shè)備的清潔方法，包括：

將一半導體制造設(shè)備置于一腔室中；

導入一超臨界流體至該腔室中；

以該超臨界流體接觸該半導體制造設(shè)備來清潔該半導體制造設(shè)備：

自該腔室中移去該超臨界流體；以及

自該腔室中移去該半導體制造設(shè)備。

2.如權(quán)利要求1所述的半導體制造設(shè)備的清潔方法，其中該半導體制造設(shè)備為一晶片載具、前開式晶片盒、晶舟盒、光掩模載具、晶片盒、光掩模儲存盒、前開式儲存箱、轉(zhuǎn)盤組件或通用群集箱。

3.如權(quán)利要求1所述的半導體制造設(shè)備的清潔方法，其中該超臨界流體擇自由下列組成的組：二氧化碳、氮氣、氬氣、氙氣、氦氣、氪氣、甲烷、乙烷、丙烷、戊烷、乙烯、甲醇、乙醇、異丙醇、異丁醇、環(huán)己醇、氨氣、一氧化二氮、氧氣、六氟化硅、氟甲烷、一氯三氟甲烷、水及前述的組合。

4.如權(quán)利要求1所述的半導體制造設(shè)備的清潔方法，其中該清潔方法為在約500psi至5000psi的氣壓下且在約0℃至100℃的溫度下進行。

5.如權(quán)利要求1所述的半導體制造設(shè)備的清潔方法，還包含導入一助溶劑(至該腔室中的該超臨界流體。

6.如權(quán)利要求1所述的半導體制造設(shè)備的清潔方法，還包含對該腔室減壓。

7.如權(quán)利要求1所述的半導體制造設(shè)備的清潔方法，其中該半導體制造設(shè)備上具有一廢物層，且清潔該半導體制造設(shè)備的方法包含移除位于該半導體制造設(shè)備上的該廢物層。

8.一種半導體制造設(shè)備的清潔方法，包括：

將該半導體制造設(shè)備置于一腔室中；

導入一流體至該腔室；

控制該流體的壓力及溫度使該流體到達超臨界狀態(tài)；

通過該超臨界流體接觸該半導體制造設(shè)備來清潔該半導體制造設(shè)備：

自該腔室中移去該超臨界流體；以及

自該腔室中移去該半導體制造設(shè)備。

9.如權(quán)利要求8所述的半導體制造設(shè)備的清潔方法，其中該半導體制造設(shè)備為一晶片載具、前開式晶片盒、晶舟盒、光掩模載具、晶片盒、光掩模儲存盒、前開式儲存箱、轉(zhuǎn)盤組件或通用群集箱。

10.如權(quán)利要求8所述的半導體制造設(shè)備的清潔方法，其中該超臨界流體擇自由下列組成的組：二氧化碳、氮氣、氬氣、氙氣、氦氣、氪氣、甲烷、乙烷、丙烷、戊烷、乙烯、甲醇、乙醇、異丙醇、異丁醇、環(huán)己醇、氨氣、一氧化二氮、氧氣、六氟化硅、氟甲烷、一氯三氟甲烷、水及前述的組合。

11.如權(quán)利要求8所述的半導體制造設(shè)備的清潔方法，其中該清潔方法為在約500psi至5000psi的氣壓下且約0℃至100℃的溫度下進行。

12.如權(quán)利要求8所述的半導體制造設(shè)備的清潔方法，還包含導入一助溶劑至該腔室中的該超臨界流體。

13.如權(quán)利要求8所述的半導體制造設(shè)備的清潔方法，其中該半導體制造設(shè)備上具有一廢物層，且清潔該半導體制造設(shè)備的方法包含移除位于該半導體制造設(shè)備上的該廢物層。

14.一種半導體制造設(shè)備的清潔裝置，包括：

一流體供應(yīng)來源；

一連接至該流體供應(yīng)來源的腔室，該半導體制造設(shè)備置于該腔室中，其中該腔室用于接收從流體供應(yīng)來源流進的一流體，用以清潔該半導體制造設(shè)備；

一溫度及壓力控制系統(tǒng)，用以使該流體進入超臨界狀態(tài)；以及

一連接至該腔室的儲存槽，該儲存槽用于收集由該腔室流出的污染的超臨界流體。

15.如權(quán)利要求14所述的半導體制造設(shè)備的清潔裝置，其中該半導體制造設(shè)備為一晶片載具、前開式晶片盒、晶舟盒、光掩模載具、晶片盒、光掩模儲存盒、前開式儲存箱、轉(zhuǎn)盤組件或通用群集箱。