[發明專利]半導體制造設備的清潔方法及裝置

無效

• 申請號: 200910134148.3
• 申請日: 2009-04-13
• 公開（公告）號: CN101740344A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 古紹延;楊棋銘;徐子正
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/673;B08B3/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

1.一種半導體制造設備的清潔方法，包括：

將一半導體制造設備置于一腔室中；

導入一超臨界流體至該腔室中；

以該超臨界流體接觸該半導體制造設備來清潔該半導體制造設備：

自該腔室中移去該超臨界流體；以及

自該腔室中移去該半導體制造設備。

2.如權利要求1所述的半導體制造設備的清潔方法，其中該半導體制造設備為一晶片載具、前開式晶片盒、晶舟盒、光掩模載具、晶片盒、光掩模儲存盒、前開式儲存箱、轉盤組件或通用群集箱。

3.如權利要求1所述的半導體制造設備的清潔方法，其中該超臨界流體擇自由下列組成的組：二氧化碳、氮氣、氬氣、氙氣、氦氣、氪氣、甲烷、乙烷、丙烷、戊烷、乙烯、甲醇、乙醇、異丙醇、異丁醇、環己醇、氨氣、一氧化二氮、氧氣、六氟化硅、氟甲烷、一氯三氟甲烷、水及前述的組合。

4.如權利要求1所述的半導體制造設備的清潔方法，其中該清潔方法為在約500psi至5000psi的氣壓下且在約0℃至100℃的溫度下進行。

5.如權利要求1所述的半導體制造設備的清潔方法，還包含導入一助溶劑(至該腔室中的該超臨界流體。

6.如權利要求1所述的半導體制造設備的清潔方法，還包含對該腔室減壓。

7.如權利要求1所述的半導體制造設備的清潔方法，其中該半導體制造設備上具有一廢物層，且清潔該半導體制造設備的方法包含移除位于該半導體制造設備上的該廢物層。

8.一種半導體制造設備的清潔方法，包括：

將該半導體制造設備置于一腔室中；

導入一流體至該腔室；

控制該流體的壓力及溫度使該流體到達超臨界狀態；

通過該超臨界流體接觸該半導體制造設備來清潔該半導體制造設備：

自該腔室中移去該超臨界流體；以及

自該腔室中移去該半導體制造設備。

9.如權利要求8所述的半導體制造設備的清潔方法，其中該半導體制造設備為一晶片載具、前開式晶片盒、晶舟盒、光掩模載具、晶片盒、光掩模儲存盒、前開式儲存箱、轉盤組件或通用群集箱。

10.如權利要求8所述的半導體制造設備的清潔方法，其中該超臨界流體擇自由下列組成的組：二氧化碳、氮氣、氬氣、氙氣、氦氣、氪氣、甲烷、乙烷、丙烷、戊烷、乙烯、甲醇、乙醇、異丙醇、異丁醇、環己醇、氨氣、一氧化二氮、氧氣、六氟化硅、氟甲烷、一氯三氟甲烷、水及前述的組合。

11.如權利要求8所述的半導體制造設備的清潔方法，其中該清潔方法為在約500psi至5000psi的氣壓下且約0℃至100℃的溫度下進行。

12.如權利要求8所述的半導體制造設備的清潔方法，還包含導入一助溶劑至該腔室中的該超臨界流體。

13.如權利要求8所述的半導體制造設備的清潔方法，其中該半導體制造設備上具有一廢物層，且清潔該半導體制造設備的方法包含移除位于該半導體制造設備上的該廢物層。

14.一種半導體制造設備的清潔裝置，包括：

一流體供應來源；

一連接至該流體供應來源的腔室，該半導體制造設備置于該腔室中，其中該腔室用于接收從流體供應來源流進的一流體，用以清潔該半導體制造設備；

一溫度及壓力控制系統，用以使該流體進入超臨界狀態；以及

一連接至該腔室的儲存槽，該儲存槽用于收集由該腔室流出的污染的超臨界流體。

15.如權利要求14所述的半導體制造設備的清潔裝置，其中該半導體制造設備為一晶片載具、前開式晶片盒、晶舟盒、光掩模載具、晶片盒、光掩模儲存盒、前開式儲存箱、轉盤組件或通用群集箱。