[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200910133629.2
• 申請日: 2009-04-02
• 公開（公告）號: CN101552276A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發明（設計）人: 金相民
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L23/528;H01L23/485;H01L21/8247;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉繼富;顧晉偉

1.一種半導體存儲器件，包括：

在半導體襯底上形成的接觸塞，每個接觸塞均布置在柵極圖案之間；

在不同方向上延伸的第一和第二導電墊，每一個所述第一和第二導電墊連接至所述接觸塞之一；

分別在所述第一和第二導電墊的延伸的外周上形成的第一和第二墊接觸塞，其中每一個所述第一墊接觸塞的高度均不同于每一個所述第二墊接觸塞的高度；

分別連接至所述第一墊接觸塞的第一位線；和

分別連接至所述第二墊接觸塞的第二位線。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述柵極圖案包括在所述半導體襯底上依次層疊而形成的隧道絕緣層、浮置柵極、介電層和控制柵極。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述第一導電墊和所述第二導電墊是交替布置的。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述第一和第二導電墊布置為使得待連接至所述第一和第二墊接觸塞的部分的寬度大于待連接至所述接觸塞的部分的寬度。

5.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述第一位線和所述第二位線形成在不同的層上。

6.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，還包括連接至所述接觸塞的結區，每一個結區形成在所述柵極圖案之間的所述半導體襯底上。

7.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，還包括：

在所述半導體襯底上形成的第一絕緣層，其中所述第一絕緣層包括其中形成所述接觸塞的接觸孔；

在所述第一絕緣層上形成的第二絕緣層，其中所述第二絕緣層包括其中形成所述第一和第二導電墊的墊孔；

在所述第二絕緣層上形成的第三絕緣層，其中所述第三絕緣層包括其中形成所述第一墊接觸塞和所述第一位線的雙鑲嵌圖案，并且所述第三絕緣層包括其中形成所述第二接觸塞的墊接觸孔；和

在所述第三絕緣層上形成的第四絕緣層，其中所述第四絕緣層包括其中形成所述第二位線的溝槽。

8.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述第二墊接觸塞形成為使得每一個所述第二墊接觸塞的高度大于每一個所述第一墊接觸塞的高度。

9.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述第一和第二導電墊延伸為使得所述柵極圖案與所述第一和第二導電墊交叉。

10.一種制造半導體存儲器件的方法，所述方法包括：

提供其上形成有結區和接觸塞的半導體襯底，所述結區形成在柵極圖案之間，所述接觸塞在覆蓋所述柵極圖案的第一絕緣層中連接至所述相應的結區；

形成包括第一和第二墊孔的第二絕緣層，其中所述第一和第二墊孔在不同的方向上延伸，所述第一和第二墊孔暴露所述接觸塞；

在所述第一和第二墊孔中分別形成第一和第二導電墊；

形成包括雙鑲嵌圖案和墊接觸孔的第三絕緣層，其中所述雙鑲嵌圖案暴露所述第一導電墊的延伸部分，所述墊接觸孔暴露所述第二導電墊的延伸部分；

在所述雙鑲嵌圖案中形成第一墊接觸塞和第一位線；

在所述墊接觸孔中形成第二墊接觸塞；

形成包括暴露所述第二墊接觸塞的溝槽的第四絕緣層；和

在所述溝槽中形成第二位線。

11.根據權利要求10所述的制造半導體存儲器件的方法，其中所述柵極圖案包括在所述半導體襯底上依次層疊而形成的隧道絕緣層、浮置柵極、介電層和控制柵極。

12.根據權利要求10所述的制造半導體存儲器件的方法，其中所述第一導電墊和所述第二導電墊是交替布置的。

13.根據權利要求10所述的制造半導體存儲器件的方法，其中所述第一和第二導電墊設置為使得待連接至所述第一和第二墊接觸塞的部分的寬度大于通過其暴露所述接觸塞的部分的寬度。

14.根據權利要求10所述的制造半導體存儲器件的方法，其中每一個所述第二墊接觸塞的高度大于每一個所述第一墊接觸塞的高度。

15.根據權利要求10所述的制造半導體存儲器件的方法，其中所述第一和第二導電墊延伸為使得所述柵極圖案與所述第一和第二導電墊交叉。