[發(fā)明專(zhuān)利]多層/多輸入/多輸出(MLMIMO)模型和使用方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910133608.0
• 申請(qǐng)日: 2009-03-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101551834A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-10-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 麥里特·法克;拉哈·桑達(dá)拉拉簡(jiǎn);李俊華;丹尼爾·帕格;山下朝夫
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): G06F17/50
• 分類(lèi)號(hào): G06F17/50;H01L21/66;H01L21/28
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 柳春雷;南 霆

1.一種用于建立多層/多輸入/多輸出模型的方法，包括：

確定第一多層處理程序以在一個(gè)或者多個(gè)多層?xùn)沤Y(jié)構(gòu)中形成一個(gè)或者 多個(gè)最終多柵結(jié)構(gòu)，其中，所述第一多層處理程序包括一個(gè)或者多個(gè)第一 測(cè)量工序、一個(gè)或者多個(gè)局部蝕刻工序、一個(gè)或者多個(gè)最終蝕刻工序以及 一個(gè)或者多個(gè)第二測(cè)量工序，其中，最終多柵結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)側(cè)壁角度 和至少一個(gè)柵寬度，所述側(cè)壁角度在八十五度和九十二度之間，并且所述 柵寬度在二十納米和五十納米之間；

選擇第一多層/多輸入/多輸出模型，其被構(gòu)造成模擬所述第一多層處 理程序，所述第一多層/多輸入/多輸出包括多個(gè)控制變量CV、多個(gè)操縱變 量MV和多個(gè)干擾變量DV；

確定與所述第一多層/多輸入/多輸出相關(guān)的第一組干擾變量，其中， 所述第一測(cè)量工序中的一個(gè)或者多個(gè)被構(gòu)造成提供所述干擾變量中的一個(gè) 或者多個(gè)；

確定與所述第一多層/多輸入/多輸出相關(guān)的第一組控制變量和與所述 控制變量相關(guān)的范圍，其中，所述控制變量包括與所述最終多柵結(jié)構(gòu)相關(guān) 的一個(gè)或者多個(gè)臨界尺寸和與所述最終多柵結(jié)構(gòu)相關(guān)的一個(gè)或者多個(gè)側(cè)壁 角度，其中，所述第二測(cè)量工序中的一個(gè)或者多個(gè)被構(gòu)造成提供所述第一 組控制變量中的一個(gè)或者多個(gè)；

使用一個(gè)或者多個(gè)候補(bǔ)配方(recipe)建立與所述第一多層/多輸入/多 輸出相關(guān)的第一組操縱變量，其中，所述第一組操縱變量包括被構(gòu)造成在 襯底正被處理的同時(shí)變化的一個(gè)或者多個(gè)晶片內(nèi)操縱變量和被構(gòu)造成在所 述襯底已經(jīng)被處理之后變化的一個(gè)或者多個(gè)晶片間操縱變量；

分析所述多層/多輸入/多輸出模型，其中，選擇一個(gè)或者多個(gè)統(tǒng)計(jì)模 型，為所述控制變量和所述操縱變量提供一個(gè)或者多個(gè)范圍，并且執(zhí)行一 個(gè)或者多個(gè)統(tǒng)計(jì)分析工序以建立實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)，其中，所述統(tǒng)計(jì)模型被構(gòu) 造成將一個(gè)或者多個(gè)操縱變量與一個(gè)或者多個(gè)控制變量相關(guān)聯(lián)；

通過(guò)使用最小平方技術(shù)和統(tǒng)計(jì)軟件建立具有二次和互相作用項(xiàng)的一個(gè) 或者多個(gè)非線性模型；

使用所述實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)形成一個(gè)或者多個(gè)穩(wěn)態(tài)線性增益矩陣G，其 中，每個(gè)增益矩陣包括第一數(shù)量的操縱變量和第二數(shù)量的控制變量；

使用所述穩(wěn)態(tài)線性增益矩陣G計(jì)算一個(gè)或者多個(gè)相對(duì)增益陣列 RGA，其中，和表示項(xiàng)與項(xiàng)相乘；

使用一個(gè)或者多個(gè)配對(duì)規(guī)則優(yōu)化一組或者多組操縱變量；

為所述多層/多輸入/多輸出確定一個(gè)或者多個(gè)穩(wěn)定條件；以及

使用與第一組處理工具相關(guān)的性能參數(shù)優(yōu)化所述多層/多輸入/多輸 出，所述第一組處理工具被構(gòu)造成執(zhí)行所述第一多層處理程序。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用G＝USV^T確定增益矩陣G 的條件，其中，G、U、S和V是使用單值分解確定的矩陣。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一測(cè)量工序包括：

使用第一計(jì)量子系統(tǒng)獲得用于第一評(píng)估襯底的第一計(jì)量數(shù)據(jù)，所述第 一計(jì)量數(shù)據(jù)包括用于與所述最終多柵結(jié)構(gòu)相關(guān)的光刻膠層中的第一光刻膠 特征的集成計(jì)量數(shù)據(jù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第一計(jì)量數(shù)據(jù)包括用于中 心區(qū)域中的一個(gè)或者多個(gè)第一光刻膠特征和用于邊緣區(qū)域中的一個(gè)或者多 個(gè)第二光刻膠特征的厚度數(shù)據(jù)、頂部臨界尺寸數(shù)據(jù)、底部臨界尺寸數(shù)據(jù)、 側(cè)壁角度數(shù)據(jù)或者光學(xué)數(shù)據(jù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在第一局部蝕刻工序期間和在第一最終蝕刻工序期間，在從0.1MHz 到200MHz的第一頻率范圍和在從100瓦特到700瓦特的第一功率范圍操 作第一射頻源，其中，所述第一射頻源連接到所述第一蝕刻室中的上電 極；并且

在所述第一局部蝕刻工序期間和在所述第一最終蝕刻工序期間在從 0.1MHz到100MHz的第二頻率范圍和在從10瓦特到170瓦特的第二功率 范圍操作第二射頻源，其中，所述第二射頻源連接到所述第一蝕刻室中的 下電極。