[發明專利]從電源VDD到IO管腳之間的一種新型NMOS箝位及其應用方法無效
| 申請號： | 200910133598.0 | 申請日： | 2009-04-13 |
| 公開（公告）號： | CN101859766A | 公開（公告）日： | 2010-10-13 |
| 發明（設計）人： | 胡煜 | 申請（專利權）人： | 蘇州芯美微電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/06 | 分類號： | H01L27/06;H01L23/60 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215300 江蘇省昆*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電源 vdd io 管腳 之間 一種 新型 nmos 箝位 及其 應用 方法 | ||
【權利要求書】：
1.在電源VDD和IO管腳之間或在兩條有著相同或不同電位的電源線之間使用一種NMOS。
2.權利要求1的VDD-NMOS設置由以下構件組成：1)帶一個P-基底的芯片；2)在正常p-P阱上的第一n+區域；3)在該P阱中的第二n+區域，在兩個第一第二n+區域之間的一個柵極；4)一個寄生的NPN結構包括：由第一n+擴散區形成的發射極，由p阱形成的寄生基底和由第二n+擴散區形成的集電極。
3.根據權利要求2，連接vdd-nmos的多晶柵極具有正常的N溝道注入。
4.根據權利要求1，此設置具有連接到地位的p-基底的基底引線。
5.權利要求1中的NMOS管其源端是接VDD的；而其漏端接輸入輸出管腳，或是任意不同電位的電源線。
6.權利要求5中的NMOS管其基底是懸浮的而且不和任意以個n+的擴散區相連接。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
