[發明專利]薄膜晶體管數組基板

有效

• 申請號: 200910132644.5
• 申請日: 2009-03-30
• 公開（公告）號: CN101515590A
• 公開（公告）日: 2009-08-26
• 發明（設計）人: 曾慶安;侯鴻龍;李佳育;陳介偉;朱公勍;黃彥衡;陳宗凱;林以尊;邱駿仁
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/528;H01L29/786;H01L29/423
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 梁 揮;祁建國

技術領域

本發明是有關于一種顯示器，且特別是有關于一種液晶顯示器。

背景技術

對液晶顯示器而言，像素開口率的大小會直接影響到背光源的利用率，亦 會影響顯示器的顯示亮度，而影響像素開口率大小的主要因素之一，就是薄膜 晶體管數組基板上的通孔(contact?hole)的面積。一般而言，通孔的面積越小， 像素區域的面積就會越大，像素開口率也會越大。

然而，受限于目前的蝕刻技術，若是通孔的面積過小，通孔往往無法順利 貫穿絕緣層。特別是對于彩色濾光片整于基板(COA；color?filter?on?array)結構 或高開口率(UHA；Ultra-High?Aperture)結構而言，由于目前蝕刻技術很難在 色阻上制作高深寬比(aspect-ratio)的通孔，因此在設計上通孔的面積必須夠大， 才能確保一定的良品率。但這種設計又勢必會影響到像素開口率，因此設計者 往往會受困于這兩難的問題中，無法突破。

發明內容

本發明的一技術態樣為薄膜晶體管數組基板，其利用堆棧結構墊高薄膜晶 體管的汲極的延伸電極，因此通孔不需要太深即可暴露出汲極的延伸電極，讓 像素電極接觸。

根據本發明的一實施方式，一種薄膜晶體管數組基板包含基材、第一圖案 化導電層、第一絕緣層、半導體層、第二圖案化導電層、第二絕緣層、通孔與 像素電極。第一圖案化導電層位于基材上，且此第一圖案化導電層包含掃描線、 閘極及浮置電極，其中閘極電性連接掃描線。第一絕緣層位于第一圖案化導電 層上。半導體層位于第一絕緣層上，且此半導體層包含通道區。第二圖案化導 電層位于第一絕緣層上，且此第二圖案化導電層包含源極、汲極、和掃描線交 錯的數據線及汲極的延伸電極，上述的閘極、源極、汲極及通道區構成薄膜晶 體管，其中源極電性連接數據線且汲極的延伸電極部分和浮置電極重迭。第二 絕緣層位于第二圖案化導電層上。通孔貫穿第二絕緣層，并暴露出部分汲極的 延伸電極。像素電極通過通孔，電性連接汲極的延伸電極。

上述的薄膜晶體管數組基板，其中，該半導體層更包含一第一半導體區， 位于該汲極的延伸電極與該第一絕緣層之間。

上述的薄膜晶體管數組基板，其中，該第一半導體區與該通道區彼此相連。

上述的薄膜晶體管數組基板，其中，該第一半導體區與該通道區彼此分開 設置。

上述的薄膜晶體管數組基板，其中，該汲極的延伸電極的邊緣對齊該浮置 電極的邊緣。

上述的薄膜晶體管數組基板，其中，該汲極的延伸電極其在遠離汲極方向 的邊緣的投影位置較該浮置電極其在遠離閘極方向的邊緣內縮0μm至10μm。

上述的薄膜晶體管數組基板，其中，該汲極的延伸電極其在遠離汲極方向 的邊緣的投影位置較該浮置電極其在遠離閘極方向的邊緣凸出0μm至10μm。

上述的薄膜晶體管數組基板，其中，該基材表面至該通孔所曝露出該汲極 的延伸電極的上表面的高度為至

上述的薄膜晶體管數組基板，其中，該基材表面至該汲極的延伸電極的與 該第一半導體區接觸的下表面的高度為至

上述的薄膜晶體管數組基板，其中，該浮置電極的形狀呈方形、多邊形、 橢圓形或圓形。

上述的薄膜晶體管數組基板，其中，該第二絕緣層的材料為有機材料或無 機材料。

上述的薄膜晶體管數組基板，其中，在第二絕緣層上方更包含一第三絕緣 層。

上述的薄膜晶體管數組基板，其中，該第三絕緣層的材料為有機材料或無 機材料。

上述的薄膜晶體管數組基板，其中，該第二絕緣層為彩色濾光層。

上述的薄膜晶體管數組基板，其中，該第三絕緣層為彩色濾光層。