[發明專利]薄膜晶體管數組基板

有效

• 申請號: 200910132644.5
• 申請日: 2009-03-30
• 公開（公告）號: CN101515590A
• 公開（公告）日: 2009-08-26
• 發明（設計）人: 曾慶安;侯鴻龍;李佳育;陳介偉;朱公勍;黃彥衡;陳宗凱;林以尊;邱駿仁
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/528;H01L29/786;H01L29/423
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 梁 揮;祁建國

1.一種薄膜晶體管數組基板，其特征在于，包含：

一基材；

一第一圖案化導電層位于該基材上，其中該第一圖案化導電層包 含一掃描線、一閘極及一浮置電極，其中該閘極電性連接該掃描線；

一第一絕緣層位于該第一圖案化導電層上；

一半導體層，位于該第一絕緣層上，其中該半導體層包含一通道 區；

一第二圖案化導電層位于該第一絕緣層上，其中該第二圖案化導 電層包含一源極、一汲極、和掃描線交錯的數據線及一汲極的延伸電 極，且該閘極、該源極、該汲極及該通道區構成一薄膜晶體管，其中 該源極電性連接該數據線且該汲極的延伸電極部分和該浮置電極重 疊，以墊高該汲極的延伸電極，其中，該浮置電極不與該數據線交錯 或重疊且與任何組件都非電性連接，且該浮置電極的電位等于或接近 于接地電位；

一第二絕緣層位于該第二圖案化導電層上；

一通孔，貫穿該第二絕緣層，并暴露出部分該汲極的延伸電極； 以及

一像素電極，通過該通孔，電性連接該汲極的延伸電極。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管數組基板，其特征在于， 該半導體層更包含一第一半導體區，位于該汲極的延伸電極與該第一 絕緣層之間。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管數組基板，其特征在于， 該第一半導體區與該通道區彼此相連。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管數組基板，其特征在于， 該汲極的延伸電極的邊緣對齊該浮置電極的邊緣。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管數組基板，其特征在于， 該汲極的延伸電極在遠離汲極方向的邊緣的投影位置較該浮置電極 其在遠離閘極方向的邊緣內縮0μm至10μm。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管數組基板，其特征在于， 該汲極的延伸電極在遠離汲極方向的邊緣的投影位置較該浮置電極 其在遠離閘極方向的邊緣凸出0μm至10μm。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管數組基板，其特征在于， 該基材表面至該通孔所暴露出該汲極的延伸電極的上表面的高度為 至

8.根據權利要求2所述的薄膜晶體管數組基板，其特征在于， 該基材表面至該汲極的延伸電極與該第一半導體區接觸的下表面的 高度為至

9.根據權利要求1所述的薄膜晶體管數組基板，其特征在于， 該浮置電極的形狀呈多邊形、橢圓形或圓形。

10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管數組基板，其特征在于， 該浮置電極的形狀呈方形。

11.根據權利要求1所述的薄膜晶體管數組基板，其特征在于， 該第二絕緣層的材料為有機材料或無機材料。

12.根據權利要求1所述的薄膜晶體管數組基板，其特征在于， 在第二絕緣層上方更包含一第三絕緣層。

13.根據權利要求12所述的薄膜晶體管數組基板，其特征在于， 該第三絕緣層的材料為有機材料或無機材料。

14.根據權利要求1所述的薄膜晶體管數組基板，其特征在于， 該第二絕緣層為彩色濾光層。

15.根據權利要求12所述的薄膜晶體管數組基板，其特征在于， 該第三絕緣層為彩色濾光層。