[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910131108.3
• 申請日: 2009-04-02
• 公開（公告）號: CN101771011A
• 公開（公告）日: 2010-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 饒哲源;張圣明
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/482
• 分類號: H01L23/482;H01L25/00;H01L23/52;H01L23/48
• 代理公司: 北京萬慧達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11111
• 代理人: 葛強(qiáng);張一軍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明有關(guān)于半導(dǎo)體裝置，更具體地，有關(guān)于一種能夠消除半導(dǎo)體裸晶(die)電壓降(IR?drop)的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

許多傳統(tǒng)的半導(dǎo)體裝置黏著于例如四面扁平封裝(Quad?Flat?Packs，QFPs)和插針球柵陣列(Pin?Ball?Gate?Arrays，PBGAs)的封裝上，在這些封裝中，輸入和輸出終端沿著半導(dǎo)體裸晶的邊緣排布。沿著半導(dǎo)體裸晶的邊緣排布輸入和輸出終端，會導(dǎo)致在硅上相對較長的布線(wiring)來向半導(dǎo)體裸晶的中心提供電源或接地。這些長的布線通常具有相對高的電阻，這將產(chǎn)生不可接受的電壓降(IR降)。

已有一些傳統(tǒng)的方法可解決半導(dǎo)體裸晶的IR降。例如，其中一種傳統(tǒng)的方法為增加金屬層(metal?layer)以降低半導(dǎo)體裸晶的總電阻；另外一種傳統(tǒng)的方法為增加金屬厚度以降低半導(dǎo)體裸晶的總電阻；另外一種傳統(tǒng)的方法為使用倒裝(flip?chip)裸晶技術(shù)以直接連接裸晶內(nèi)部節(jié)點(diǎn)。

然而，增加金屬層和使用倒裝裸晶技術(shù)的傳統(tǒng)方法成本很高，以及增加金屬厚度的傳統(tǒng)方法幫助很小。

發(fā)明內(nèi)容

為了能夠解決半導(dǎo)體裸晶的電壓降問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置。

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，包括：半導(dǎo)體裸晶，其中所述半導(dǎo)體裸晶包括：裸晶核心，具有至少兩個接合焊盤，所述接合焊盤的電壓值相等，且所述接合焊盤間經(jīng)由至少一個接合引線電性連接；以及輸入/輸出外圍，所述輸入/輸出外圍與所述裸晶核心鄰接。

本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體裝置，包括：第一半導(dǎo)體裸晶，包括：第一裸晶核心，具有至少一個接合焊盤；以及第一輸入/輸出外圍，具有至少一個輸入/輸出接合焊盤；以及第二半導(dǎo)體裸晶，包括：第二裸晶核心，具有至少一個接合焊盤，所述第二裸晶核心的所述接合焊盤的電壓值與所述第一裸晶核心的所述接合焊盤的電壓值相等；以及第二輸入/輸出外圍，具有至少一個輸入/輸出接合焊盤；其中，所述第一裸晶核心的所述接合焊盤與所述第二裸晶核心的所述接合焊盤經(jīng)由至少一個接合引線電性連接。

本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體裝置，包括：第一半導(dǎo)體裸晶，包括：第一裸晶核心，具有至少一個接合焊盤；以及第一輸入/輸出外圍，具有至少一個輸入/輸出接合焊盤；以及第二半導(dǎo)體裸晶，包括：第二裸晶核心，具有至少一個接合焊盤，所述第二半裸晶核心的所述接合焊盤的電壓值與所述第一裸晶核心的所述接合焊盤的電壓值相等；以及第二輸入/輸出外圍，具有至少一個輸入/輸出接合焊盤，所述第二輸入/輸出外圍的所述輸入/輸出接合焊盤的電壓值與所述第一裸晶核心的所述接合焊盤的電壓值相等；其中，所述第一裸晶核心的所述接合焊盤與所述第二輸入/輸出外圍的所述輸入/輸出接合焊盤經(jīng)由至少一個接合引線電性連接。

本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體裝置，包括：半導(dǎo)體裸晶，包括：裸晶核心，具有至少一個接合焊盤；以及輸入/輸出外圍；以及虛設(shè)裸晶，具有至少一個接合焊盤，所述虛設(shè)裸晶的所述接合焊盤的電壓值與所述裸晶核心的所述接合焊盤的電壓值相等；其中，所述裸晶核心的所述接合焊盤與所述虛設(shè)裸晶的所述接合焊盤經(jīng)由至少一個接合引線電性連接。

本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體裝置，包括：半導(dǎo)體裸晶，包括：裸晶核心，具有至少一個接合焊盤；以及輸入/輸出外圍；以及金屬膜，具有至少一個接合焊盤，所述金屬膜的所述接合焊盤的電壓值與所述裸晶核心的所述接合焊盤的電壓值相等；其中，所述裸晶核心的所述接合焊盤與所述金屬膜的所述接合焊盤經(jīng)由至少一個接合引線電性連接。

利用本發(fā)明所提供的的半導(dǎo)體裝置可明顯的能以低成本解決半導(dǎo)體裸晶的IR降。除了解決IR降的問題外，本發(fā)明揭示的半導(dǎo)體裝置還可通過形成電源/接地屏蔽線陣列以吸收從半導(dǎo)體裸晶放射的噪聲，而用于電磁干擾噪聲抑制。

以下為根據(jù)多個圖式對本發(fā)明之較佳實施例進(jìn)行詳細(xì)描述，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員閱讀后應(yīng)可明確了解本發(fā)明的目的。

附圖說明

圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體裝置的簡略示意圖。

圖2為圖1所示的半導(dǎo)體裝置的第一種變形。

圖3為圖1所示的半導(dǎo)體裝置的第二種變形。

圖4為根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體裝置的簡略示意圖。

圖5為圖4所示的半導(dǎo)體裝置的第一種變形。

圖6為圖4所示的半導(dǎo)體裝置的第二種變形。

圖7為圖4所示的半導(dǎo)體裝置的第三種變形。

圖8為根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體裝置的簡略示意圖。

圖9為根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體裝置的簡略示意圖。

圖10為圖9所示的半導(dǎo)體裝置的第一種變形。

圖11為圖9所示的半導(dǎo)體裝置的第二種變形。