[發明專利]元件搭載用基板及其制造方法、半導體組件及便攜式設備

無效

• 申請號: 200910130758.6
• 申請日: 2009-02-01
• 公開（公告）號: CN101510538A
• 公開（公告）日: 2009-08-19
• 發明（設計）人: 臼井良輔;中村岳史;葛生知宏;五十嵐優助
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/48;H01L23/13;H01L21/48
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 岳雪蘭

技術領域

本發明涉及一種元件搭載用基板及其制造方法、以及半導體組件及搭 載此半導體組件的便攜式設備。

背景技術

在加速手機、PDA、DVC、DSC這樣的便攜式電子設備的高功能化的 過程中，為了能被市場接受，必須使這樣的產品小型化/輕量化，為了實現 小型化/輕量化，要求高度集成的系統LSI。另一方面，對于這些電子設備 要求使用更加便利，對于在設備中使用的LSI則要求高功能化、高性能化。 因此，隨著LSI芯片的高集成化，其I/O數增大，另一方面，強烈要求封裝 自身的小型化、薄型化，為了兼顧這兩方面，強烈要求開發適合于半導體 部件的高密度的基板安裝的半導體封裝。為了應對這樣的需求，則要求用 于搭載半導體部件的元件搭載用基板進一步薄型化。

圖14表示現有的具有二層配線結構的元件搭載用基板的剖面。如圖14 所示，隔著絕緣層500層疊有配線層510和配線層520。在絕緣層500形成 有貫通孔530，沿貫通孔530的側壁利用電鍍法形成有通路導體540。通過 此通路導體540電連接配線層510和配線層520。

在現有的元件搭載用基板中，由于形成在貫通孔中的通路導體是10μm 左右的薄膜，所以存在在貫通孔中容易從絕緣膜剝離這樣的課題。特別是， 在絕緣層設置貫通孔的情況下，實施鉆孔加工。因此，貫通孔的側壁為從 元件搭載用基板的一個面朝向另一面的直線狀。此時，當施加使元件搭載 用基板彎曲等的力時，在貫通孔中在絕緣層和通路導體之間因應力而容易 產生上下方向的偏移，恐怕會導致元件搭載用基板的連接可靠性下降。

發明內容

本發明是鑒于這樣的課題而作出的，其目的在于提供如下技術，使通 路導體和絕緣層的密接性提高，進而使元件搭載用基板的連接可靠性提高， 該通路導體電連接在隔著絕緣層而層疊的配線層間。

本發明的元件搭載用基板，其特征在于，包括：絕緣層、設置在絕緣 層的一個面的第一配線層、設置在絕緣層的另一個面的第二配線層、貫通 絕緣層的貫通孔、以及沿貫通孔的側壁設置且電連接第一配線層和第二配 線層的導體，在貫通孔設置有臺階。

根據該實施方式，通過在貫通孔中設置臺階，由于利用臺階部分可抑 制通路導體向基板層疊方向(貫通孔的軸向)移動，所以可以抑制通路導 體從絕緣層偏移而剝離。

在上述方式中，貫通孔由在絕緣層的一表面側具有開口的第一區域和 在絕緣層的另一表面側具有開口并與第一區域連結的第二區域構成，第一 區域也可相對于第二區域在絕緣層的表面方向偏移。此情況下，第一區域 的上述貫通孔的孔徑和第二區域的上述貫通孔的孔徑也可相同。

此外，在上述方式中，貫通孔由在絕緣層的一表面側具有開口的第一 區域和在絕緣層的另一表面側具有開口并與第一區域連結的第二區域構 成，從與絕緣層的表面垂直的投影方向看時，第二區域的至少一部分也可 位于第一區域的內側。

本發明的另一方式提供一種元件搭載用基板的制造方法。該元件搭載 用基板的制造方法的特征在于，包括：準備絕緣層的工序，該絕緣層在一 表面設置有第一金屬層，在另一表面設置有第二金屬層；選擇地去除第一 金屬層的規定區域而形成第一開口部的工序；在相比第一金屬層的規定區 域在表面方向部分地偏移的位置處，去除第二金屬層的規定區域的一部分 而形成第二開口部的工序；對第一開口部照射激光，將絕緣層開孔至其中 途，在絕緣層形成第一孔的工序；對第二開口部照射激光，將絕緣層開孔 至其中途，在絕緣層形成與第一孔連結的第二孔，從而在絕緣層設置貫通 孔的工序；沿貫通孔的側壁形成導體，電連接第一金屬層和第二金屬層的 工序；對第一金屬層進行構圖而形成第一配線層的工序；以及對第二金屬 層進行構圖而形成第二配線層的工序。

根據此方式，能夠在絕緣層中形成具有臺階的貫通孔，并沿該貫通孔 形成通路導體。由此，由于利用臺階部分可抑制通路導體向基板層疊方向 (貫通孔的軸向)移動，所以可以抑制通路導體從絕緣層偏移而剝離。

在上述方式的制造方法中，從上述第二開口部照射的激光的直徑也可 以與從上述第一開口部照射的激光的直徑不同。

本發明的再一方式提供一種半導體組件。該半導體組件的特征在于， 包括：上述的任一方式的元件搭載用基板和安裝在元件搭載用基板上的半 導體元件。

根據此方式，能夠提高半導體組件的連接可靠性。