[發明專利]元件搭載用基板及其制造方法、半導體組件及便攜式設備

無效

• 申請號: 200910130758.6
• 申請日: 2009-02-01
• 公開（公告）號: CN101510538A
• 公開（公告）日: 2009-08-19
• 發明（設計）人: 臼井良輔;中村岳史;葛生知宏;五十嵐優助
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/48;H01L23/13;H01L21/48
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 岳雪蘭

1、一種元件搭載用基板，其特征在于，包括：

絕緣層；

設置在所述絕緣層的一表面的第一配線層；

設置在所述絕緣層的另一表面的第二配線層；

貫通所述絕緣層的貫通孔；以及

沿所述貫通孔的側壁設置且電連接所述第一配線層和所述第二配線層 的導體；其中，

在所述貫通孔設置有臺階。

2、根據權利要求1所述的元件搭載用基板，其特征在于，

所述貫通孔由在所述絕緣層的一表面側具有開口的第一區域和在所述 絕緣層的另一表面側具有開口并與所述第一區域連結的第二區域構成，

所述第一區域相對于所述第二區域在所述絕緣層的表面方向偏移。

3、根據權利要求2所述的元件搭載用基板，其特征在于，

所述第一區域的所述貫通孔的孔徑和所述第二區域的所述貫通孔的孔 徑相同。

4、根據權利要求1所述的元件搭載用基板，其特征在于，

所述貫通孔由在所述絕緣層的一表面側具有開口的第一區域和在所述 絕緣層的另一表面側具有開口并與所述第一區域連結的第二區域構成；

從與所述絕緣層的表面垂直的投影方向看時，所述第二區域的至少一 部分位于所述第一區域的內側。

5、一種元件搭載用基板的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

準備絕緣層的工序，該絕緣層在一表面設置有第一金屬層，在另一表 面設置有第二金屬層；

選擇地去除所述第一金屬層的規定區域而形成第一開口部的工序；

在相比所述第一金屬層的規定區域在表面方向部分地偏移的位置處， 去除所述第二金屬層的規定區域的一部分而形成第二開口部的工序；

對所述第一開口部照射激光，將所述絕緣層開孔至其中途，在所述絕 緣層形成第一孔的工序；

對所述第二開口部照射激光，將所述絕緣層開孔至其中途，在所述絕 緣層形成與所述第一孔連結的第二孔，從而在所述絕緣層設置貫通孔的工 序；

沿所述貫通孔的側壁形成導體，電連接所述第一金屬層和所述第二金 屬層的工序；

對所述第一金屬層進行構圖而形成第一配線層的工序；以及

對所述第二金屬層進行構圖而形成第二配線層的工序。

6、根據權利要求5所述的元件搭載用基板的制造方法，其特征在于，

從所述第二開口部照射的激光的直徑與從所述第一開口部照射的激光 的直徑不同。

7、一種半導體組件，其特征在于，包括：

權利要求1所述的元件搭載用基板；和

安裝在所述元件搭載用基板上的半導體元件。