[發(fā)明專利]用于評估半導(dǎo)體元件與晶片制造的技術(shù)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910130303.4
• 申請日: 2004-08-25
• 公開（公告）號: CN101556930A
• 公開（公告）日: 2009-10-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬吉德·阿迦巴扎德赫;喬斯·J·埃斯塔比爾;納達爾·帕克達曼;加里·L·施泰因布呂克;詹姆斯·S·維克斯
• 申請（專利權(quán)）人: 陶-梅特里克斯公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L23/544;G01R31/28
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 余 剛;吳孟秋

1.一種用于評估部分被制造的晶片的電子元件系統(tǒng)，其中所述系 統(tǒng)包括：

電路元件，設(shè)置在所述晶片的晶粒的有源區(qū)內(nèi)，其中所 述電路元件被配置為在一時間段內(nèi)工作，在該時間段內(nèi)，多個 制造工藝步驟中的僅僅一些已被執(zhí)行，用于完成所述晶片的制 造，從而使得所述電路元件在剩余晶粒開始工作之前工作；

一個或多個接收器，設(shè)置在所述晶粒的所述有源區(qū)中， 并連接到所述電路元件，其中所述一個或多個接收器被設(shè)置為 接收一個或多個輸入，并在所述時間段期間，從所述一個或多 個輸入生成一個或多個信號，用于所述電路元件；

其中在制造工藝步驟被執(zhí)行以使得所述晶粒能夠工作之 前，所述電路元件被設(shè)置為通過展示電活性而對所述一個或多 個輸入進行響應(yīng)，所述電活性具有在所述時間段期間改變的特 征，并通過探針檢測到，而不影響由所述晶粒形成的芯片的可 用性；以及

其中，在多個制造工藝步驟中的用于使所述剩余晶粒工 作的僅僅一些步驟已被執(zhí)行的時間段的任意給定瞬間，所述電 路元件展示出的所述電活性的特征表示一個或多個制造工藝 步驟。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述一個或多個接收器被配 置為響應(yīng)于接收同樣激活所述電路元件的能量輸入來生成用 于所述電路元件的測試信號。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述一個或多個接收器被配 置為接收調(diào)制的輸入以生成功率信號、測試信號或觸發(fā)信號中 的一個或多個。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述一個或多個接收器包括 功率接收器，所述功率接收器被設(shè)置為產(chǎn)生作為對所述功率輸 入的響應(yīng)的用于所述電路元件的功率信號。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述一個或多個接收器包 括功率接收器，所述功率接收器被設(shè)置為接收所述功率輸入， 而不接觸所述功率輸入的源。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其中所述功率接收器被設(shè)置為接 收所述功率輸入作為從所述源發(fā)送的射頻傳輸。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其中所述功率接收器被設(shè)置為通 過與所述源的電感耦合或者電容耦合來接收所述功率輸入。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其中所述功率接收器被設(shè)置為從 電子束源接收能量。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其中所述功率接收器被設(shè)置為從 離子束源接收能量。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述一個或多個接收器包 括功率接收器，所述功率接收器包括升壓裝置，用于在將所述 功率信號提供給所述電路元件之前，增加所述功率信號的電 壓。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述一個或多個接收器包 括功率接收器，所述功率接收器包括光接收器。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中：

所述一個或多個接收器包括功率接收器，所述功率接收 器被設(shè)置為響應(yīng)于接收連續(xù)的能量束，產(chǎn)生用于所述電路元件 的功率信號；

以及其中，所述一個或多個接收器響應(yīng)于接收調(diào)制的激 光束，產(chǎn)生用于所述電路元件的測試信號或觸發(fā)信號中至少之 一。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述電路元件被設(shè)置為顯示 對應(yīng)于可檢測的光子的產(chǎn)生的電活性。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，所述電路元件被設(shè)置為顯示產(chǎn)生 來自所述電路元件的輸出信號的所述電活性。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，進一步包括：

使檢測到的電活性與一個或多個性能參數(shù)相關(guān)的計算組 件，其中所述電路元件的性能參數(shù)單獨地或者與其他電路元件 的性能參數(shù)相結(jié)合地顯示設(shè)計或者一個或多個制造工藝的步 驟。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述電活性包括光接收器可 檢測的光子發(fā)射。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述電活性包括光電子探針 可檢測的光電效應(yīng)。