[發(fā)明專(zhuān)利]高耐壓半導(dǎo)體集成電路裝置、電介質(zhì)分離型半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910130270.3
• 申請(qǐng)日: 2007-03-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101521213A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 渡邊篤雄;本田光利;石塚典男;伊藤昌弘;田畑利仁;栗田信一;神岡秀和
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社日立制作所
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/12;H01L21/762;H01L21/31
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 汪惠民

1.一種電介質(zhì)分離型半導(dǎo)體裝置，

具備：半導(dǎo)體基板、在該半導(dǎo)體基板的一方之面上形成的第一絕緣膜、 和在該第一絕緣膜上形成的低雜質(zhì)濃度的半導(dǎo)體層，

上述低雜質(zhì)濃度的半導(dǎo)體層比由施加到元件的最高的電壓所形成的 耗盡層的擴(kuò)展要深，并且上述低雜質(zhì)濃度的半導(dǎo)體層具有形成中性區(qū)域的 厚度，

在上述低雜質(zhì)濃度的半導(dǎo)體層上，設(shè)置有形成半導(dǎo)體元件的區(qū)域和以 圍住該元件形成區(qū)域的方式形成的元件分離區(qū)域，

在上述元件分離區(qū)域中，形成了到達(dá)上述第一絕緣膜的平面狀的閉環(huán) 結(jié)構(gòu)的深槽，

在上述深槽的兩面的側(cè)壁形成有n型高雜質(zhì)濃度層，第二絕緣膜與該 n型高雜質(zhì)濃度層鄰接并配置在上述深槽中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)分離型半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

還在形成上述第二絕緣膜的上述深槽的側(cè)壁之間填充有多晶半導(dǎo)體 層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)分離型半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

在上述第一絕緣膜和上述低雜質(zhì)濃度的半導(dǎo)體層之間形成有高雜質(zhì) 濃度層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)分離型半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述第一絕緣膜及上述第二絕緣膜是利用熱氧化法形成的硅氧化膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電介質(zhì)分離型半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

構(gòu)成上述元件分離區(qū)域的上述n型高雜質(zhì)濃度層、上述第二絕緣膜及 上述多晶半導(dǎo)體層，針對(duì)到達(dá)上述第一絕緣膜的上述深槽全部以自匹配方 式形成。

6.一種預(yù)驅(qū)動(dòng)器IC，具備權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)分離型半導(dǎo)體裝 置。

7.一種單片變換器，具備權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)分離型半導(dǎo)體裝 置。

8.一種電介質(zhì)分離型半導(dǎo)體裝置的制造方法，

具備：

準(zhǔn)備SOI基板的工序，該SOI基板在硅支撐基板上層疊有第一硅氧化 膜及硅層；

形成從上述硅層的主表面到達(dá)硅氧化膜的垂直的分離槽的工序；

在上述分離槽的側(cè)面高濃度地?fù)诫sn型雜質(zhì)元素的工序；

在上述分離槽中埋入熱氧化膜和多晶硅的工序；

通過(guò)選擇氧化形成用于使元件活性層分離的具有至少兩種以上的膜 厚的區(qū)域氧化膜的工序，其中所述元件活性層是比由施加到元件的最高的 電壓所形成的耗盡層的擴(kuò)展要深的結(jié)構(gòu)，并且所述元件活性層具備以包圍 該元件活性層的方式形成的元件分離區(qū)域；

將上述硅層形成得比由施加到元件的最高的電壓所形成的耗盡層的 擴(kuò)展要深，并且上述硅層具有形成中性區(qū)域的厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電介質(zhì)分離型半導(dǎo)體裝置的制造方法，其 特征在于，

上述形成分離槽的工序中，形成多個(gè)分離槽，

在上述進(jìn)行摻雜的工序中，對(duì)上述多個(gè)分離槽的各個(gè)側(cè)面高濃度地?fù)? 雜n型雜質(zhì)元素，

在上述進(jìn)行埋入的工序中，在上述多個(gè)分離槽中埋入熱氧化膜和多晶 硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電介質(zhì)分離型半導(dǎo)體裝置的制造方法，其 特征在于，

在上述準(zhǔn)備SOI基板的工序中，提供一種在上述第一硅氧化膜和上述 硅層之間形成有n型雜質(zhì)濃度層的SOI基板。