[發明專利]集成電路有效
| 申請號: | 200910130068.0 | 申請日: | 2009-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN101740533A | 公開(公告)日: | 2010-06-16 |
| 發明(設計)人: | 蕭全成;李洪松;林奕成;饒哲源 | 申請(專利權)人: | 聯發科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/485 | 分類號: | H01L23/485;H01L23/528;H01L23/525 |
| 代理公司: | 北京萬慧達知識產權代理有限公司 11111 | 代理人: | 葛強;張一軍 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 | ||
技術領域
本發明有關于一種復合集成電路(complex?integrated?circuit)的連接墊陣列 (bond?pad?array),且特別有關于一種具有小連接墊間距(pitch)及良好電遷移 (electro-migration)特性的連接墊陣列。
背景技術
集成電路(Integrated?Circuit,以下簡稱為IC)芯片是利用金屬連接墊從其 它電路接收信號,以及將信號提供給其它電路。所述連接墊是由多個金屬層構 成,其通常為矩形,而所述金屬層中的某些金屬層也可用于在連接墊及IC芯片 的其它電路間傳送信號。由一個或多個金屬層形成的導線(conductive?line)將 連接墊連接至電路。
對于芯片來說,連接墊尺寸相對較大,因此連接墊的排列(arrangement) 限制了電路的剩余空間。連接墊通常排列在IC芯片邊緣周圍。為了更有效地利 用空間,復合IC芯片包含由連接墊構成的兩個或更多同心環,其位置交錯排列。 連接墊的交錯排列可使外部連接墊列的導線位于內部連接墊列的連接墊之間。
請參考圖1。圖1是現有技術中復合IC芯片100一部分的結構的示意圖。 如圖所示,復合IC芯片100包含5個連接墊112、114、116、122及124,其中 連接墊112、114、116、122形成復合IC芯片100的外部連接墊列,連接墊122、 124形成復合IC芯片100的內部連接墊列。導線113、115、117位于內部連接 墊列的連接墊之間,并分別耦接至外部連接墊列的連接墊112、114、116。導線 123、125分別耦接至內部連接墊列的連接墊122、124。由圖示可看出,耦接于 外部連接墊列的連接墊112、114、116的導線113、115、117的寬度受限于內部 連接墊列的連接墊122、124。
此外,請參考圖2,圖2是圖1中連接墊122的連接墊結構120的剖面示意 圖。如圖所示,完整的連接墊結構120包含多層,其包含頂部金屬層Mtop?123 (即導線123)、連接墊122、用于將連接墊122與頂部金屬層Mtop?123連接的 通孔20以及透過通孔12及14連接至頂部金屬層Mtop?123的金屬層Mtop-1?123a。 通孔的連接使頂部金屬層Mtop?123與金屬層Mtop-1?123a具有相同的電位。由圖示 可看出,連接墊122的位置與連接墊開窗(pad?opening)相關,且頂部金屬層 Mtop?123與金屬層Mtop-1?123a都比連接墊122寬。請注意,頂部金屬層Mtop?123 及金屬層Mtop-1?123a其中之一可用于將信號傳送至復合IC芯片100的電路。
導線(金屬層123或123a)的尺寸(或寬度)可影響連接墊122提供給復 合IC芯片100的功率量(amount?ofpower),利用較寬導線可以比利用較窄導線 提供更多功率。如圖1所示,若連接墊間距(相鄰連接墊間的距離)增加,則 導線寬度也可增加。復合IC芯片100的功率與連接墊數量之間,需要一種權衡 (trade-off)。此外,若連接墊間距減小(連接墊的位置相互更接近),則電遷移 問題很可能發生。
發明內容
為了減小集成電路芯片連接墊間距并保持良好電遷移特性,特提供以下技 術方案:
本發明實施例提供一種集成電路,包含襯底以及位于襯底上的連接墊陣列。 所述連接墊陣列包含內部連接墊列、多個第一內部金屬層、外部連接墊列以及 多個第一外部金屬層。所述內部連接墊列中每一內部連接墊的位置都與多個內 部連接墊開窗相關;所述多個第一內部金屬層分別耦接至所述內部連接墊列的 多個內部連接墊,以在所述多個內部連接墊與內部電路間傳送信號,其中至少 一個第一內部金屬層的寬度小于對應的內部連接墊的寬度;所述外部連接墊列 中每一外部連接墊的位置都與多個內部連接墊開窗相關,且所述外部連接墊列 與所述內部連接墊列相互交錯;以及所述多個第一外部金屬層分別耦接至所述 外部連接墊列的多個外部連接墊,以在所述多個外部連接墊與所述內部電路間 傳送信號,其中至少一個內部連接墊與相鄰的第一外部金屬層重疊。
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