[發(fā)明專利]非易失性動態(tài)隨機存取存儲設備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910128114.3
• 申請日: 2004-08-18
• 公開（公告）號: CN101494084A
• 公開（公告）日: 2009-07-29
• 發(fā)明（設計）人: 安進弘;洪祥熏;樸榮俊;李相敦;金一旭;裵基鉉
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G11C14/00
• 分類號: G11C14/00;G11C16/04
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 楊林森;康建峰

1.一種用于驅(qū)動非易失性動態(tài)隨機存取存儲器(NVDRAM)中包 括多個單位單元的多個存儲單元模塊的電路，包括：

用于接收外部電壓和產(chǎn)生具有各不同電平的多個內(nèi)部電壓的內(nèi) 部電壓產(chǎn)生器；

用于將多個內(nèi)部電壓的其中之一供應到字線、位線和電容器板 線的開關裝置；及

用于控制開關裝置的模式控制器，

其中，所述模式控制器控制所述開關裝置，通過調(diào)整所述單位 單元中浮動柵極的閾值電壓而操作在正常化模式下。

2.如權利要求1所述的電路，其特征在于：開關裝置包括：

用于將多個內(nèi)部電壓的其中之一供應到字線的字線電壓開關模 塊；

用于將多個內(nèi)部電壓的其中之一供應到位線的位線預充電電壓 開關模塊；及

用于將多個內(nèi)部電壓的其中之一供應到電容器板線的板線電壓 開關模塊。

3.如權利要求1所述的電路，其特征在于：多個內(nèi)部電壓的范 圍從約-3V到約+5V。

4.如權利要求1所述的電路，其特征在于：模式控制器控制開 關裝置，當供應外部電壓時，操作在回叫模式下，即存儲在單位單 元的浮動柵極中的數(shù)據(jù)重新存儲在相同單位單元的電容器中。

5.如權利要求4所述的電路，其特征在于：模式控制器控制開 關裝置，在隔離外部電壓之后，耗盡外部電壓之前，操作在程序模 式下，即存儲在單位單元的電容器中的數(shù)據(jù)被加載到相同單位單元 的浮動柵極中。

6.如權利要求1所述的電路，還包括：

用于備份存儲在各單位單元中的數(shù)據(jù)的備份存儲單元模塊。

7.如權利要求6所述的電路，其特征在于：備份數(shù)據(jù)的大小基 于備份存儲單元模塊的大小。

8.如權利要求7所述的電路，其特征在于：備份存儲單元模塊 的大小和各存儲單元模塊的大小相同。

9.如權利要求1所述的電路，其特征在于：所述單位單元具有 浮動柵極，當隔離外部電壓時，用于存儲數(shù)據(jù)。

10.如權利要求1所述的電路，其特征在于：所述單位單元具有 硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)結構。

11.如權利要求1所述的電路，其特征在于：所述單位單元具有 金屬-氮化物-氧化物-硅(MNOS)結構。