[發(fā)明專利]雙波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光器裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910127499.1
• 申請(qǐng)日: 2009-03-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101533991A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-09-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 早川功二;高山徹;粂雅博;佐藤智也;木戶口勛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01S5/40
• 分類號(hào): H01S5/40;H01S5/30;H01S5/343;H01S5/22
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 汪惠民

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種被用作光盤(pán)裝置的光拾取器用光源、或其它電子裝置、信息處理裝置等光源的半導(dǎo)體激光器裝置，特別涉及紅色區(qū)域和紅外區(qū)域的雙波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光器裝置。

背景技術(shù)

以往，可以進(jìn)行高密度記錄的大容量多功能數(shù)碼光盤(pán)(DVD)以及DVD再生裝置已在市場(chǎng)上出售，作為未來(lái)需求越來(lái)越大的商品備受關(guān)注。由于DVD是高密度記錄的，所以記錄和再生用激光光源就使用了發(fā)光波長(zhǎng)為650nm的AlGaInP類半導(dǎo)體激光器。這樣，現(xiàn)有的DVD裝置的光學(xué)拾取器，就無(wú)法記錄·再生使用發(fā)光波長(zhǎng)為780nm的AlGaAs類半導(dǎo)體激光器記錄·再生的可寫(xiě)光盤(pán)(CDR)。

因此，采用了一種搭載雙波長(zhǎng)激光器的光學(xué)拾取器，分別將發(fā)光波長(zhǎng)為650nm頻帶的AlGaInP類半導(dǎo)體激光器(紅色激光器)和發(fā)光波長(zhǎng)為780nm頻帶的AlGaAs類半導(dǎo)體激光器(紅外激光器)組裝到不同的封裝件(package)來(lái)作為激光器芯片。這樣，就實(shí)現(xiàn)了DVD和CDR均可記錄·再生的裝置。

但是，由于上述光學(xué)拾取器搭載了兩個(gè)封裝件：AlGaInP類半導(dǎo)體激光器和AlGaAs類半導(dǎo)體激光器，所以尺寸就會(huì)變大。因此，采用這種光學(xué)拾取器的DVD裝置的尺寸也就會(huì)變大。

相對(duì)于此，已知一種集成型半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括多種半導(dǎo)體發(fā)光元件，由同一基板上生長(zhǎng)的半導(dǎo)體層形成發(fā)光元件構(gòu)造，且發(fā)光波長(zhǎng)彼此不同。特開(kāi)平11-186651號(hào)公報(bào)(下稱文獻(xiàn)1)的半導(dǎo)體裝置就是這樣的例子。

圖11表示文獻(xiàn)1所述的一例集成型半導(dǎo)體發(fā)光裝置。如圖11所示，現(xiàn)有的集成型半導(dǎo)體激光器裝置100，在同一n型GaAs基板101上，以彼此分離的狀態(tài)，集成了發(fā)光波長(zhǎng)為700nm頻帶(例如780nm)的AlGaAs類半導(dǎo)體激光器LD1和發(fā)光波長(zhǎng)為600nm頻帶(例如650nm)的AlGaInP類半導(dǎo)體激光器LD2。

這里，n型GaAs基板101，例如是具有(100)面方位，或者以偏離(100)面例如5～15°的面為主面。

此外，AlGaAs類半導(dǎo)體激光器LD1中，在n型GaAs基板101上按照以下順序，依次疊層了n型GaAs緩沖層111、n型AlGaAs包覆層112、具有單一量子阱(SQW)構(gòu)造或多重量子阱(MQW)構(gòu)造的活性層113、p型AlGaAs包覆層114和p型GaAs覆蓋(cap)層115。

p型AlGaAs包覆層114的上部以及p型GaAs覆蓋層115，構(gòu)成了向一個(gè)方向延伸的條形。在這樣的條形部的兩側(cè)部分，設(shè)有n型GaAs限流層(電流狹窄層)116，這樣就形成了限流結(jié)構(gòu)(電流狹窄結(jié)構(gòu))。在條狀的p型GaAs覆蓋層115以及n型GaAs限流層116上，設(shè)有p側(cè)電極117，與p型GaAs覆蓋層115形成接觸電阻。p側(cè)電極117，例如使用了Ti/Pt/Au電極。

此外，在AlGaInP類半導(dǎo)體激光器LD2中，在n型GaAs基板101上按照以下順序，依次疊層了n型GaAs緩沖層121、n型AlGaInP包覆層122、具有SQW構(gòu)造或MQW構(gòu)造的活性層123、p型AlGaInP包覆層124、p型GaInP中間層125和p型GaAs覆蓋層126。

p型AlGaInP包覆層124的上部、p型GaInP中間層125以及p型GaAs覆蓋層126構(gòu)成了向一個(gè)方向延伸的條形。在這樣的條形部的兩側(cè)部分，設(shè)有n型GaAs限流層127，這樣就形成了限流結(jié)構(gòu)。在條狀的p型GaAs覆蓋層126以及n型GaAs限流層127上設(shè)有p側(cè)電極128，與p型GaAs覆蓋層126形成接觸電阻。p側(cè)電極128例如使用了Ti/Pt/Au電極。

另外，在n型GaAs基板101背面設(shè)有n側(cè)電極129，與n型GaAs基板101形成接觸電阻。n側(cè)電極129例如使用了AuGe/Ni電極或In電極。

此外，AlGaAs類半導(dǎo)體激光器LD1的p側(cè)電極117和AlGaInP類半導(dǎo)體激光器LD2的p側(cè)電極128，分別被用AuSn等，焊接在外殼基座(package?base)130上彼此以電分離狀態(tài)設(shè)置的散熱器H1和散熱器H2上。