[發(fā)明專利]雙波長半導(dǎo)體激光器裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910127499.1
• 申請日: 2009-03-13
• 公開（公告）號: CN101533991A
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 早川功二;高山徹;粂雅博;佐藤智也;木戶口勛
• 申請（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: H01S5/40
• 分類號: H01S5/40;H01S5/30;H01S5/343;H01S5/22
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 汪惠民

1.一種半導(dǎo)體激光器裝置，其特征在于，

在基板上設(shè)有第1發(fā)光部；和用大于所述第1發(fā)光部的波長進行發(fā)光的第2發(fā)光部，

所述第1發(fā)光部和所述第2發(fā)光部分別具備：第1導(dǎo)電型包覆層、設(shè)在所述第1導(dǎo)電型包覆層上的活性層、和設(shè)在所述活性層上的用來注入載流子的具有條狀脊構(gòu)造的第2導(dǎo)電型包覆層，

所述第1發(fā)光部中的所述脊構(gòu)造包括：

第1前端區(qū)域，寬度為Wf1，且距離前端面的長度為L3；

第1后端區(qū)域，寬度為Wr1，且距離后端面的長度為L1；和

第1錐狀區(qū)域，位于所述第1前端區(qū)域和所述第1后端區(qū)域之間，寬度從前端面?zhèn)认蚝蠖嗣鎮(zhèn)茸兓议L度為L2，

Wf1>Wr1的關(guān)系成立，

所述第2發(fā)光部中的所述脊構(gòu)造包括：

第2前端區(qū)域，寬度為Wf2，且距離前端面的長度為L6；

第2后端區(qū)域，寬度為Wr2，且距離后端面的長度為L4；和

第2錐狀區(qū)域，位于所述第2前端區(qū)域和所述第2后端區(qū)域之間，寬度從前端面?zhèn)认蚝蠖嗣鎮(zhèn)茸兓议L度為L5，

Wf2>Wr2的關(guān)系成立，

并且，L1+L2+L3＝L4+L5+L6、Wf1<Wf2以及L1>L4的關(guān)系成立。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器裝置，其特征在于，

滿足L3>L2以及L5>L6的關(guān)系。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器裝置，其特征在于，

當(dāng)設(shè)前端面的反射率為Rf，后端面的反射率為Rr時，滿足Rf<Rr的關(guān)系。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器裝置，其特征在于，

所述第1前端區(qū)域、所述第1后端區(qū)域、所述第2前端區(qū)域和所述第2后端區(qū)域，均具有寬度在±10％以下變動的形狀。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器裝置，其特征在于，

在所述第1發(fā)光部和所述第2發(fā)光部兩方中的所述第1導(dǎo)電型包覆層和所述第2導(dǎo)電型包覆層均由AlGaInP類材料組成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器裝置，其特征在于，

所述第1發(fā)光部中的所述活性層由GaInP系列或AlGaInP類材料組成，

所述第2發(fā)光部中的所述活性層由GaAs系列或AlGaAs類材料組成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器裝置，其特征在于，

所述第1發(fā)光部和所述第2發(fā)光部中至少一方的所述活性層是量子阱活性層，

在包含所述量子阱活性層的共振器的前端面和后端面中至少一方附近，通過雜質(zhì)擴散使得所述量子阱活性層無序化。