[發明專利]側面出光型發光組件封裝結構及其制造方法無效
| 申請號: | 200910119986.3 | 申請日: | 2009-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN101826516A | 公開(公告)日: | 2010-09-08 |
| 發明(設計)人: | 郭子毅;羅杏芬;陳濱全 | 申請(專利權)人: | 先進開發光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/075 | 分類號: | H01L25/075;H01L21/56;H01L33/00 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 王玉雙;黃艷 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 側面 出光型 發光 組件 封裝 結構 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種發光組件封裝結構及其制造方法,特別是一種側面出光型發光組件封裝結構及其制造方法。
背景技術
現今,半導體發光組件通常有正向發光(top?view或top-emitting)或側向發光(side?view或side-emitting)的發光形式。在側向發光的半導體發光組件通常會有發光亮度(illumination)不夠及封裝結構能承受的應力不足等問題。因此,有許多的發明與研究針對側面出光的半導體發光組件的相關技術有提出許多改進的方法。另外,半導體發光晶粒大都利用轉注成型(transfer-molding)或灌膠(dispensing)等方式來進行芯片封裝(package)。兩者相較之下,灌膠的封裝方式通常是用在塑料引腳晶粒載體(PLCC;plastic?leadframe?chip?carrier)的發光二極管產品封裝上。并且半導體發光晶粒利用灌膠的封裝方式,通常會導致制造成本較高。
一項現有技術,如圖1所示,其為日本專利號5-315651所揭露的現有技術。其結構包含一長方形的覆蓋層46形成于基板45上,并且覆蓋住發光二極管芯片43。基板45與覆蓋層46之間有一透明層44,透明層44為一圓弧結構。利用此圓弧結構當作反射層,將發光二極管芯片43所發出的光線反射出封裝結構的側面,形成一側面出光型發光二極管。此現有技術揭露的制造方法,是以灌膠的方式形成覆蓋層與透明層,導致其制造成本高。
另外,一種現有技術也是利用灌膠的方式形成封裝結構,如美國專利號US?6919586B2與US?7312479B2所揭露的現有技術,請參照圖2。其中封裝膠體14為不透明的長方體結構,并且在基板12與封裝膠體14之間有一透明層16。利用長方體結構封裝膠體14當作反射層,將發光二極管芯片43所發出的光反射至封裝體側邊,形成一側面出光型發光二極管。如圖3所示,其示出了圖2的封裝結構的制作方式,在一模塊34中有多個封裝結構。其中每一封裝結構具有一發光二極管芯片43。上述的發光二極管芯片43的封裝方式是由此模塊上方孔洞24灌入透明膠體。之后,如圖4所示,于膠體上層黏貼框架36。最后再切割出單一個側面出光效果的發光二極管芯片封裝結構。此現有技術揭露的結構為一長方體結構的反射層,并且制造方法是以灌膠的方式形成覆蓋層與透明層。因此,導致側面出光效果不佳及其制造成本較高等缺陷。
為了改進上述的缺陷,一種現有技術被揭露,其是中國臺灣專利號M329243所揭露的現有技術,如圖5所示。上述現有技術的封裝結構包含半導體發光組件20及覆蓋其上的封裝膠體40,其中透明層16具有一矩形出光面302。利用封裝膠體40當作反射層,將半導體發光組件20發出的光線射出矩形出光面302形成側面出光效果。其制作過程,如圖6所示,首先在半導體發光組件20上覆蓋多個長條型模具單元3,其中每一個封裝膠體上表面及出光面分別具有一膠體弧面30S及一膠體矩形出光面302。接著,如圖7所示,分別將另一模具單元M3覆蓋于長條型模具單元3之上,并且灌膠以制作出框架層4’。最后再切割出單一側面出光效果的半導體發光組件20封裝結構。
另一項相似的現有技術被揭露,是中國臺灣專利號M339080所揭露的現有技術,如圖8所示。其中封裝結構具有多層分別覆蓋于半導體發光組件20上的封裝膠體40。其中透明膠體300上表面及出光面分別具有一弧面30S及一粗糙矩形出光面301S。利用此弧面30S當作反射層,將半導體發光組件20發出的光線反射出粗糙矩形出光面301S,形成側面出光效果的封裝結構。其制作過程,如圖9所示,封裝結構制作具有多個分別覆蓋于半導體發光組件20上的多個長條型模具單元3,其中每一個封裝膠體上表面具有一弧面30S。如圖10所示,分別將模具單元M3覆蓋于長條型模具單元3上,并灌膠以制作出框架層4’。最后切割出單一側面出光效果的半導體發光組件20封裝結構。
另一項相似的現有技術被揭露,是中國臺灣專利號M329081所揭露的現有技術,如圖11所示。封裝結構具有多層分別覆蓋于半導體發光組件20上的封裝膠體40,其中透明膠體300上表面及出光面分別具有一弧面及一矩形出光面302。利用此弧面當作反光層,將半導體發光組件20發出的光線反射出矩形出光面302形成側面出光效果。如圖12所示,封裝結構制作具有多個分別覆蓋于半導體發光組件20上的長條型模具單元3,其中封裝膠體上表面具有一弧面30S與一矩形302。如圖13所示,將模具單元M2覆蓋于長條型模具單元3上,并灌膠以制作出框架層4。最后切割出單一側面出光效果的半導體發光組件20封裝結構。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于先進開發光電股份有限公司,未經先進開發光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910119986.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類





