[發明專利]導線結構與其制作方法

有效

• 申請號: 200910118904.3
• 申請日: 2009-03-06
• 公開（公告）號: CN101825818A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發明（設計）人: 劉春福;鄒元昕
• 申請（專利權）人: 華映視訊(吳江)有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L21/768;H01L23/522;H01L21/84
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 孫長龍

1.一種液晶顯示器的制作方法，其特征在于，包含：

提供一基板，并于該基板上定義出一開關組件區、一導線區以及一像素區；

于該基板上形成一圖案化的第一金屬層，以分別在該開關組件區形成一柵極，以及在該導線區形成一第一導線；

于該基板上依序形成一絕緣層與一半導體層；

于該基板上形成一圖案化的重摻雜半導體層，以在該導線區形成一第二導線對應于該第一導線之上；

于該基板上形成一圖案化的第二金屬層，以在該開關組件區形成一源極與一漏極；

于該基板上形成一保護層；

于該開關組件區的該保護層中形成至少一第一接觸孔，以暴露出部分的該漏極，以及于該導線區的該保護層中形成至少兩第二接觸孔，以暴露出部分的該第一導線；

形成一圖案化的透明電極于該基板上，該圖案化的透明電極包含一像素電極與至少兩連接電極，其中該像素電極在該開關組件區內填入該第一接觸孔且與該漏極電性連接并延伸至該像素區，且各該連接電極在該導線區分別填入各該第二接觸孔以電性連接該第一導線與該第二導線。

2.如權利要求1所述的液晶顯示器的制作方法，其特征在于，形成該圖案化的重摻雜半導體層與該圖案化的第二金屬層之步驟，包含：

使用一第一半穿透式光罩以形成一光阻層，并形成一第一區域于該漏極與該源極的上方，形成一第二區域于部分該第一導線的上方，其余則為第三區域；

其中該第一區域的該光阻層最厚，該第二區域的該光阻層次之，該第三區域則無光阻層。

3.如權利要求2所述的液晶顯示器的制作方法，其特征在于，形成該圖案化的重摻雜半導體層與該圖案化的第二金屬層的步驟，包含一第一蝕刻步驟，以移除該第三區域的該第二金屬層。

4.如權利要求3所述的液晶顯示器的制作方法，其特征在于，形成該重摻雜半導體層與該第二金屬層的步驟，包含一第二蝕刻步驟，以移除該第三區域的該重摻雜半導體層與該半導體層。

5.如權利要求4所述的液晶顯示器的制作方法，其特征在于，形成該重摻雜半導體層與該第二金屬層的步驟，包含一第三蝕刻步驟，以移除該第二區域的該光阻層。

6.如權利要求5所述的液晶顯示器的制作方法，其特征在于，形成該重摻雜半導體層與該第二金屬層的步驟，包含一第四蝕刻步驟，以移除該第二區域的該第二金屬層。

7.如權利要求1所述的液晶顯示器的制作方法，其特征在于，形成該第一接觸孔與該第二接觸孔的步驟，包含使用一濕蝕刻步驟，該濕蝕刻步驟包含使用1％以內的氫氟酸作為蝕刻液。

8.如權利要求1所述的液晶顯示器的制作方法，其特征在于，還包含依序形成該半導體層后，于該半導體層上形成一圖案化的蝕刻停止層對應于該柵極的上方。

9.一種導線結構，其特征在于，包含：

一基板；

一導線層，設置于該基板上；

一絕緣層，設置于該導線層上；

兩接觸孔，貫穿該絕緣層并暴露出部分的該導線層；

一重摻雜半導體層，設置于該絕緣層上并對應該導線層；

二透明電極，設置于該兩接觸孔中，且電性連接該導線層與該重摻雜半導體層。

10.如權利要求9所述的導線結構，其特征在于，還包含一設置于該絕緣層與該重摻雜半導體層之間的半導體層以及一設置于該重摻雜半導體層之上的保護層。

11.如權利要求9所述的導線結構，其特征在于，該重摻雜半導體層可以包含有P型摻雜半導體，也可以包含有N型摻雜半導體。