[發明專利]無核心封裝基板及其制造方法有效
| 申請號: | 200910118552.1 | 申請日: | 2009-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN101826469A | 公開(公告)日: | 2010-09-08 |
| 發明(設計)人: | 王建皓;李明錦 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 邱軍 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 核心 封裝 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種封裝基板及其制造方法,特別是涉及一種無核心封裝基板及其制造方法。
背景技術
參考圖1及圖2,顯示已知封裝基板的制造方法。首先,提供核心基板11,該核心基板11包括芯層111、第一線路層112、第二線路層113及至少一穿導孔114。該芯層111包括第一表面1111及第二表面1112。該第一線路層112位于該芯層111的第一表面1111。該第二線路層113位于該芯層111的第二表面1112。該穿導孔114貫穿該芯層111,且電性導通該第一線路層112及該第二線路層113。
接著,分別形成第一介電層12及第二介電層13于該第一線路層112及該第二線路層113上,其中該第一介電層12具有至少一第一開口121以顯露該第一線路層112,該第二介電層13具有至少一第二開口131以顯露該第二線路層113。接著,形成第一導電金屬14于該第一介電層12及顯露的第一線路層112上,并形成第二導電金屬15于該第二介電層13及顯露的第二線路層113上。最后,進行圖案化及電鍍工藝,以在該第一導電金屬14上形成第三線路層16及至少一第一導電孔17,且在該第二導電金屬15上形成第四線路層18及至少一第二導電孔19,以制得已知封裝基板1。
該已知封裝基板1的制造方法的缺點如下。該制造方法由該核心基板11開始,其具有一定厚度,故所得的已知封裝基板1布線密度低。此外,該核心基板11經過鉆孔、鍍金屬、塞孔、線路成型等工藝完成內層結構,使該工藝步驟繁復,且制作成本昂貴。
因此,有必要提供一種無核心封裝基板及其制造方法,以解決上述問題。
發明內容
本發明提供一種無核心封裝基板。該基板包括第一介電層、第一內埋線路、至少一第一焊墊及第一防焊層。該第一介電層,具有第一表面及第二表面。該第一內埋線路,位于該第一介電層內,且顯露于該第一表面。該第一焊墊,位于該第一介電層的第一表面上,且電性連接該第一內埋線路。該第一防焊層,覆蓋該第一介電層的第一表面及該第一內埋線路,且顯露該至少一第一焊墊。
本發明另提供一種無核心封裝基板。該基板包括第一介電層、第一內埋線路、至少一第一焊墊、第一防焊層、至少一第一導通孔、至少一積層線路、至少一下焊墊及下防焊層。該第一介電層具有第一表面及第二表面。該第一內埋線路位于該第一介電層內,且顯露于該第一表面。該第一焊墊位于該第一介電層的第一表面及該第一內埋線路上,且電性連接該第一內埋線路。該第一防焊層位于該第一介電層的第一表面及該第一內埋線路上,且顯露該至少一第一焊墊。該第一導通孔電性連接該第一內埋線路。該積層線路位于該第一介電層的第二表面下方,其包括積層介電層、積層內埋線路及至少一積層導通孔。該積層介電層具有第一表面及第二表面。該積層內埋線路位于該積層介電層內,且顯露于該第一表面。該積層導通孔位于該積層介電層內,且電性連接該積層內埋線路至該第一內埋線路。該下焊墊位于該積層線路的表面,且電性連接該積層線路的積層導通孔。該下防焊層位于該積層線路的表面,且顯露該下焊墊。
由此,本發明的無核心封裝基板可提高線路布線密度,減少制作成本,且降低產品厚度。
本發明再提供一種無核心封裝基板的制造方法。該制造方法包括以下步驟:(a)提供載板及第一導電層,該載板具有第一表面及第二表面,該第一導電層位于該載板的第一表面;(b)形成第一內埋線路于該第一導電層上;(c)形成第一介電層,以覆蓋該第一內埋線路;(d)移除該載板;(e)移除部分該第一導電層,以形成至少一第一焊墊;及(f)形成第一防焊層,以覆蓋該第一內埋線路及該第一介電層,并顯露該至少一第一焊墊。
附圖說明
圖1及圖2顯示已知封裝基板的制造方法的示意圖;
圖3至圖8顯示本發明無核心封裝基板的第一實施例的制造方法的示意圖;
圖9至圖15顯示本發明無核心封裝基板的第二實施例的制造方法的示意圖;
圖16至圖29顯示本發明無核心封裝基板的第三實施例的制造方法的示意圖;及
圖30顯示本發明無核心封裝基板的第四實施例的剖面示意圖。附圖標記說明
1:已知封裝基板
2:本發明無核心封裝基板的第一實施例
3:本發明無核心封裝基板的第二實施例
4:本發明無核心封裝基板的第三實施例
5:本發明無核心封裝基板的第四實施例
11:核心基板????????12:第一介電層
13:第二介電層??????14:第一導電金屬
15:第二導電金屬????16:第三線路層
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





