[發(fā)明專利]無核心封裝基板及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910118552.1 | 申請日: | 2009-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN101826469A | 公開(公告)日: | 2010-09-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王建皓;李明錦 | 申請(專利權(quán))人: | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 邱軍 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 核心 封裝 及其 制造 方法 | ||
1.一種無核心封裝基板的制造方法,包括:
(a)提供載板及第一導(dǎo)電層,該載板具有第一表面及第二表面,該第一導(dǎo)電層位于該載板的第一表面;
(b)形成第一內(nèi)埋線路于該第一導(dǎo)電層上;
(c)形成第一介電層,以覆蓋該第一內(nèi)埋線路;
(d)移除該載板;
(e)移除部分該第一導(dǎo)電層,以形成至少一第一焊墊;及
(f)形成第一防焊層,以覆蓋該第一內(nèi)埋線路及該第一介電層,并顯露該至少一第一焊墊。
2.如權(quán)利要求1的方法,其中該步驟(b)包括:
(b1)形成第一干膜于該第一導(dǎo)電層上;
(b2)移除部分該第一干膜,以形成第一圖案,而顯露部分該第一導(dǎo)電層;
(b3)電鍍第一導(dǎo)電材料于該第一圖案,以形成該第一內(nèi)埋線路;及
(b4)移除該第一干膜。
3.如權(quán)利要求1的方法,其中該步驟(e)包括:
(e1)形成第二干膜于該第一導(dǎo)電層上;
(e2)移除部分該第二干膜,以形成第二圖案,而顯露部分該第一導(dǎo)電層;
(e3)蝕刻顯露的部分該第一導(dǎo)電層;及
(e4)移除該第二干膜,以形成該第一焊墊。
4.如權(quán)利要求1的方法,其中該步驟(c)之后還包括:
(c1)形成第二導(dǎo)電層于該第一介電層上;
(c2)在該第一介電層形成至少一第一開孔,該第一開孔貫穿該第二導(dǎo)電層,且顯露部分該第一內(nèi)埋線路;及
(c3)形成第二導(dǎo)電材料于該第一開孔內(nèi),以形成至少一第一導(dǎo)通孔。
5.如權(quán)利要求4的方法,其中該步驟(c3)中,該第二導(dǎo)電材料還在該第一介電層的表面上形成第二內(nèi)埋線路,該步驟(c3)之后還包括形成至少一積層線路的步驟,其中該積層線路包括積層介電層、積層內(nèi)埋線路及至少一積層導(dǎo)通孔。
6.如權(quán)利要求5的方法,其中該步驟(c3)包括:
(c31)形成第三干膜于該第二導(dǎo)電層上;
(c32)移除部分該第三干膜,以形成第三圖案,而顯露部分該第二導(dǎo)電層及該第一開孔;
(c33)形成該第二導(dǎo)電材料于該第二導(dǎo)電層上及該第一開孔內(nèi),以形成該至少一第一導(dǎo)通孔;
(c34)移除該第三干膜,顯露部分該第二導(dǎo)電層;及
(c35)蝕刻顯露的部分該第二導(dǎo)電層,以形成該第二內(nèi)埋線路,該第二內(nèi)埋線路通過該第一導(dǎo)通孔電性連接至該第一內(nèi)埋線路。
7.如權(quán)利要求5的方法,其中該步驟(c3)之后包括:
(c4)形成第二介電層,以覆蓋該第二內(nèi)埋線路;
(c5)形成第三導(dǎo)電層于該第二介電層上;
(c6)于該第二介電層形成至少一第二開孔,該第二開孔貫穿該第三導(dǎo)電層,且顯露部分該第二內(nèi)埋線路;及
(c7)形成第三導(dǎo)電材料于該第二開孔內(nèi),以形成至少一第二導(dǎo)通孔。
8.一種無核心封裝基板,包括:
第一介電層,具有第一表面及第二表面;
第一內(nèi)埋線路,位于該第一介電層內(nèi),且顯露于該第一表面;
至少一第一焊墊,位于該第一介電層的第一表面上,且電性連接該第一內(nèi)埋線路;及
第一防焊層,覆蓋該第一介電層的第一表面及該第一內(nèi)埋線路,且顯露該至少一第一焊墊。
9.如權(quán)利要求8的基板,還包括:
至少一第二焊墊,位于該第一介電層的第二表面上,且通過該第一導(dǎo)通孔電性連接至該第一內(nèi)埋線路;
至少一第一導(dǎo)通孔,位于該第一介電層內(nèi),且電性連接該第二焊墊及該第一內(nèi)埋線路;及
第二防焊層,覆蓋該第一介電層的第二表面,且顯露該至少一第二焊墊。
10.一種無核心封裝基板,包括:
第一介電層,具有第一表面及第二表面;
第一內(nèi)埋線路,位于該第一介電層內(nèi),且顯露于該第一表面;
至少一第一焊墊,位于該第一介電層的第一表面及該第一內(nèi)埋線路上,且電性連接該第一內(nèi)埋線路;
第一防焊層,位于該第一介電層的第一表面及該第一內(nèi)埋線路上,且顯露該至少一第一焊墊;
至少一第一導(dǎo)通孔,電性連接該第一內(nèi)埋線路;
至少一積層線路,位于該第一介電層的第二表面下方,該積層線路包括:
積層介電層,具有第一表面及第二表面;
積層內(nèi)埋線路,位于該積層介電層內(nèi),且顯露于該第一表面;及
至少一積層導(dǎo)通孔,位于該積層介電層內(nèi),且電性連接該積層內(nèi)埋線路至該第一內(nèi)埋線路;
至少一下焊墊,位于該積層線路的表面,且電性連接該積層線路的積層導(dǎo)通孔;及
下防焊層,位于該積層線路的表面,且顯露該下焊墊。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





