[發明專利]半導體硅片磷擴散后涂膠前表面處理工藝

無效

• 申請號: 200910117738.5
• 申請日: 2009-12-14
• 公開（公告）號: CN101710570A
• 公開（公告）日: 2010-05-19
• 發明（設計）人: 徐謙剛;王林;蒲耀川;李昊;張志向;張曉情;崔振華;楊保書;梁小龍;邵晏平
• 申請（專利權）人: 天水天光半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302;H01L21/306
• 代理公司: 甘肅省知識產權事務中心 62100
• 代理人: 鮮林

技術領域

本發明涉及半導體硅片表面處理工藝領域，特別是半導體硅片磷擴散后涂膠前的表面處理工藝。

背景技術

半導體硅片磷擴散后由于硅片表面含有磷成分，而磷具有強烈的吸水性，使得硅片表面吸潮，從而在后續光刻涂膠時使光刻膠與硅片表面的粘附性變差，導致出現光刻膠掉膠、氧化物腐蝕侵蝕問題的產生，嚴重影響光刻質量。目前公知的半導體硅片磷擴散后的表面處理一般采用烘箱烘焙的方法，這種方法在硅片流片后期，還是會出現光刻膠與表面粘附性差，氧化物腐蝕過程硅片表面容易掉膠，造成侵蝕等問題。

發明內容

本發明就是為了解決現有半導體硅片在磷擴散后腐蝕過程中的掉膠問題，提供一種能達到硅片表面脫水、疏水的效果，使硅片表面充分干燥的半導體硅片磷擴散后涂膠前的表面處理工藝。

本發明通過下述技術方案解決其技術問題：

一種半導體硅片磷擴散后涂膠前表面處理工藝，按下述工藝方法處理：

a、硅片在磷擴散后采用濃度為98％的濃硫酸，在115～125℃溫度下對硅片表面進行浸泡脫水處理9.5～10.5分鐘；

b、用電阻率≥15MΩ.CM的去離子水沖水10分鐘；

c、在轉速為600rpm的甩干機中旋轉甩干5分鐘；

d、將硅片懸置在異丙醇蒸氣中，用異丙醇蒸氣將硅片表面的水汽去除，懸置時間9-11分鐘；

e、用氮氣氣槍將附著在硅片表面的異丙醇吹除，吹除時間3-4分鐘，氮氣壓力≥2kg/cm²，氮氣流量24-26L/min。

所述處理工藝中最佳的技術參數如下：

a、硅片在磷擴散后采用濃度為98％的濃硫酸，在120℃溫度下對硅片表面進行浸泡脫水處理10分鐘；

b、用電阻率≥15MΩ.CM的去離子水沖水10分鐘；

c、在轉速為600rpm的甩干機中旋轉甩干5分鐘；

d、將硅片懸置在異丙醇蒸氣中，用異丙醇蒸氣將硅片表面的水汽去除，懸置時間10分鐘；

e、用氮氣氣槍將附著在硅片表面的異丙醇吹除，吹除時間3分鐘，氮氣壓力≥2kg/cm²，氮氣流量25L/min。

通過本發明工藝處理后的硅片表面充分干燥，硅片表面進行涂膠后硅片表面與光刻膠粘附性明顯改善，消除了腐蝕過程中出現的掉膠、侵蝕現象，光刻腐蝕質量得到了明顯提高。

具體實施方式

下面結合實施例對本發明進行進一步詳細說明。

實施例1

1、將磷擴散后的硅片在濃度為98％的濃硫酸中浸泡，對硅片表面進行脫水處理10分鐘，浸泡溫度115℃；

2、用電阻率≥15MΩ.CM的去離子水將浸泡后的硅片沖水10分鐘；

3、在轉速為600rpm的甩干機中旋轉甩干5分鐘；

4、將硅片懸置在異丙醇蒸氣中用異丙醇蒸氣將硅片表面的水汽去除，懸置10分鐘；

5、用氮氣氣槍將附著在硅片表面的異丙醇吹除，吹除時間3分鐘，氮氣壓力≥2kg/cm²，氮氣流量25L/min。

實施例2

1、將磷擴散后的硅片在濃度為98％的濃硫酸中浸泡，對硅片表面進行脫水處理9.5分鐘，浸泡溫度120℃；

2、用電阻率≥15MΩ.CM的去離子水將浸泡后的硅片沖水10分鐘；

3、在轉速為600rpm的甩干機中旋轉甩干5分鐘；

4、將硅片懸置在異丙醇蒸氣中，用異丙醇蒸氣將硅片表面的水汽去除，懸置時間9分鐘；

5、用氮氣氣槍將附著在硅片表面的異丙醇吹除，吹除時間3分鐘，氮氣壓力≥2kg/cm²，氮氣流量24L/min。

實施例3

1、將磷擴散后的硅片在濃度為98％的濃硫酸中浸泡，對硅片表面進行脫水處理10.5分鐘，浸泡溫度125℃；

2、用電阻率≥15MΩ.CM的去離子水將浸泡后的硅片沖水10分鐘；

3、在轉速為600rpm的甩干機中旋轉甩干5分鐘；

4、將硅片懸置在異丙醇蒸氣中，用異丙醇蒸氣將硅片表面的水汽去除，懸置時間11分鐘；

5、用氮氣氣槍將附著在硅片表面的異丙醇吹除，吹除時間3分鐘，氮氣壓力≥2kg/cm²，氮氣流量26L/min。