[發明專利]半導體硅片磷擴散后涂膠前表面處理工藝

無效

• 申請號: 200910117738.5
• 申請日: 2009-12-14
• 公開（公告）號: CN101710570A
• 公開（公告）日: 2010-05-19
• 發明（設計）人: 徐謙剛;王林;蒲耀川;李昊;張志向;張曉情;崔振華;楊保書;梁小龍;邵晏平
• 申請（專利權）人: 天水天光半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302;H01L21/306
• 代理公司: 甘肅省知識產權事務中心 62100
• 代理人: 鮮林

1.一種半導體硅片磷擴散后涂膠前表面處理工藝，其特征在于按下述工藝方法處理：

a、硅片在磷擴散后采用濃度為98％的濃硫酸，在115～125℃溫度下對硅片表面進行浸泡脫水處理9.5～10.5分鐘；

b、用電阻率15MΩ.CM的去離子水沖水10分鐘；

c、在轉速為600rpm的甩干機中旋轉甩干5分鐘；

d、將硅片懸置在異丙醇蒸氣中，用異丙醇蒸氣將硅片表面的水汽去除，懸置時間9-11分鐘；

e、用氮氣氣槍將附著在硅片表面的異丙醇吹除，吹除時間3-4分鐘，氮氣壓力2kg/cm²，氮氣流量24-26L/min。

2.根據權利要求1所述的半導體硅片磷擴散后涂膠前表面處理工藝，其特征在于按下述工藝方法處理：

a、硅片在磷擴散后采用濃度為98％的濃硫酸，在120℃溫度下對硅片表面進行浸泡脫水處理10分鐘；

b、用電阻率15MΩ.CM的去離子水沖水10分鐘；

c、在轉速為600rpm的甩干機中旋轉甩干5分鐘；

d、將硅片懸置在異丙醇蒸氣中，用異丙醇蒸氣將硅片表面的水汽取代，去除硅片表面的水汽，懸置時間10分鐘；

e、用氮氣氣槍將附著在硅片表面的異丙醇吹除，吹除時間3分鐘，氮氣壓力2kg/cm²，氮氣流量25L/min。