[發明專利]一種應用隨機微觀三維結構圖形的防偽方法

無效

• 申請號: 200910111570.7
• 申請日: 2009-04-23
• 公開（公告）號: CN101546496A
• 公開（公告）日: 2009-09-30
• 發明（設計）人: 孫道恒;吳德志;王凌云
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: G09F3/02
• 分類號: G09F3/02;G09F3/03;B81C5/00;G06Q30/00
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所
• 代理人: 馬應森

1.一種應用隨機微觀三維結構圖形的防偽方法，其特征在于包括以下步驟：

1)在平板正電極上表面旋涂微米或亞微米級的高分子液體后干燥，得到高分子薄膜；

2)將三角形楔體置于高分子薄膜上，將平板負電極平行放在三角形楔體上；

3)將平板正電極和平板負電極分別連接直流電壓源的正負電極；

4)加熱樣品，開啟電壓源，并調節平板正電極與平板負電極之間的間隙，使場強至10⁷～10⁸V/m，高分子薄層液體產生明顯的不穩定波動，形成隨機微觀三維結構圖形；

5)冷卻后關閉電壓源；

6)剝離平板負電極和三角形楔體后確定隨機微觀三維結構圖形的觀察位置并作上標志；

7)放大攝影，對準標志區域放大到50～400倍，拍攝圖形并將其存入聯網的數據庫；

8)按照查詢方式說明，顧客對附在產品上的平板正電極標志處的三維結構圖形觀察后，聯網登錄到數據庫進行圖形比對，確定產品的真偽。

2.如權利要求1所述的一種應用隨機微觀三維結構圖形的防偽方法，其特征在于所述加熱樣品的溫度高于高分子薄膜的玻璃化溫度。

3.如權利要求1所述的一種應用隨機微觀三維結構圖形的防偽方法，其特征在于所述使場強至10⁷～10⁸V/m后保持溫度和電壓不變至少10min。

4.如權利要求1所述的一種應用隨機微觀三維結構圖形的防偽方法，其特征在于所述冷卻后關閉電壓源的溫度為30℃。