[發明專利]一種應用隨機微觀三維結構圖形的防偽方法無效
| 申請號: | 200910111570.7 | 申請日: | 2009-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN101546496A | 公開(公告)日: | 2009-09-30 |
| 發明(設計)人: | 孫道恒;吳德志;王凌云 | 申請(專利權)人: | 廈門大學 |
| 主分類號: | G09F3/02 | 分類號: | G09F3/02;G09F3/03;B81C5/00;G06Q30/00 |
| 代理公司: | 廈門南強之路專利事務所 | 代理人: | 馬應森 |
| 地址: | 361005福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 應用 隨機 微觀 三維 結構 圖形 防偽 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種防偽技術,尤其是涉及一種將隨機微觀三維結構圖形應用于產品的防偽方法。
背景技術
目前市場上的防偽產品主要有防偽標識、防偽材料、結構與包裝防偽技術產品和生物識別特征防偽技術產品等,但是很多防偽產品的制造設備昂貴,或者一些產品防偽程度低,比較容易仿造(如激光防偽等),可靠性低。
基于電液動力學機制,電極間距為微米級平行極板間的高分子薄層液體(如光刻膠,PDMS,PS和PMMA等)在強電場作用下產生波動不穩定,冷卻后可形成隨機微觀三維結構圖形(E.Schaffer,T.Thurn-Albrecht,T.P.Russelland?U.Steiner.Europhys.Lett.2001,53(4):518-524)??蒲腥藛T對負極進行光刻圖形化后利用該方法實現圖案轉移(1.E.Schaffer,T.Thurn-Albrecht,T.P.Russelland?U.Steiner.Nature?2000,403:874-877;2.Stephen?Y.Chou?andLei?Zhuang.J.Vac.Sci.Technol.B?1999,17(6):3197)。
發明內容
本發明的目的在于提供一種有別于二維的自然紋理防偽產品,制造方法簡單,仿造難度大的應用隨機微觀三維結構圖形的防偽方法。
本發明所述隨機微觀三維結構圖形是指所產生的三維結構圖形是隨機的,圖形結構尺寸在幾微米到幾十微米,高度為數微米以內。
本發明包括以下步驟:
1)在平板正電極上表面旋涂微米或亞微米級的高分子液體后干燥,得到高分子薄膜;
2)將三角形楔體置于高分子薄膜上,將平板負電極平行放在三角形楔體上;
3)將平板正電極和平板負電極分別連接直流電壓源的正負電極;
4)加熱樣品,開啟電壓源,并調節平板正電極與平板負電極之間的間隙,使場強至107~108V/m,高分子薄層液體產生明顯的不穩定波動,形成隨機微觀三維結構圖形;
5)冷卻后關閉電壓源;
6)剝離平板負電極和三角形楔體后確定隨機微觀三維結構圖形的觀察位置并作上標志;
7)放大攝影,對準標志區域放大到50~400倍,拍攝圖形并將其存入聯網的數據庫;
8)按照查詢方式說明,顧客對附在產品上的平板正電極標志處的三維結構圖形觀察后,聯網登錄到數據庫進行圖形比對,確定產品的真偽。
三角形楔體用于調節間隙大小。
所述加熱樣品的溫度最好略高于該高分子薄膜的玻璃化溫度,所述使場強至107~108V/m后最好保持溫度和電壓不變至少10min。
所述冷卻后關閉電壓源的溫度最好為30℃。
本發明將極小電極間距間隙中的一定高度高分子薄層液體在強電場作用下可產生的隨機微觀三維結構圖形在定點區域放大拍攝并將圖像存入計算機。鑒定時顯微鏡觀察待檢物品的微觀結構圖形,按照防偽說明聯網獲取相應的圖像并進行比對。每個三維結構圖形都是隨機的,獨特的,而且可以反復多次鑒定。將本發明應用于防偽領域,鑒定設備簡單,易于操作,成本低,仿造難度極大。
隨機微觀三維結構圖形產生所需的材料和裝置有高分子液體、平板正電極、三角形楔體、平板負電極、直流電壓源和加熱爐。平板正電極上表面和平板負電極下表面平整光滑且導電性良好;平板正電極上表面旋涂高分子液體形成亞微米的高分子薄膜后干燥。平板正負電極間距由絕緣的三角形楔體來調節。直流電壓源的正負極分別連接平板正負極。將平板正電極、高分子薄膜、三角形楔體和平板負電極置于加熱爐中加熱到略高于該高分子薄膜玻璃轉化溫度后保持十分鐘以上,確保固態高分子薄膜形成高分子薄層液體。開啟直流電壓源,調節電壓使兩個平板電極間隙中的場強達到107~108V/m左右時,高分子薄層液體產生明顯的不穩定波動,形成隨機微觀三維結構圖形。保持一段時間后,停止加熱,冷卻至低于玻璃轉化溫度30℃以上后斷開電源,得到固化后的隨機微觀三維結構圖形。
將平板負電極剝離后在平板正電極上隨機微觀三維結構圖形的某一確定位置做一標記,用顯微鏡將標記處的清晰隨機三維結構圖形的圖像保存在數據庫中,并在數據庫中說明圖形放大的倍數。顧客對附在產品上的平板正電極標志處的三維結構圖形按照產品上標明的倍數放大觀察后,聯網與數據庫中對應的圖形比對,確定產品的真偽。
附圖說明
圖1為本發明實施例制備隨機微觀三維結構圖形裝置的結構組成示意圖。
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