[發明專利]一種CdS薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 200910109207.1 | 申請日： | 2009-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN101989633A | 公開（公告）日： | 2011-03-23 |
| 發明（設計）人： | 蔡志炬;曹文玉;周勇 | 申請（專利權）人： | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518118 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 cds 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種CdS薄膜的制備方法，其包括如下步驟：
(1)配制反應液；
(2)沉積薄膜：將襯底置于反應液中，使襯底繞豎直方向的軸旋轉，沉積薄膜；
(3)超聲處理：反應完成后，將襯底取出置于去離子水中超聲，后取出并烘干。
2.根據權利要求1所述的CdS薄膜的制備方法，其特征在于：步驟(2)中所述襯底的個數為六個，襯底位于正六棱柱的六個側面上；所述豎直方向的軸為所述正六棱柱的中心軸。
3.根據權利要求2所述的CdS薄膜的制備方法，其特征在于：所述襯底之間留有縫隙。
4.根據權利要求3所述的CdS薄膜的制備方法，其特征在于：所述縫隙的寬度為襯底底邊長的5-15％。
5.根據權利要求1所述的CdS薄膜的制備方法，其特征在于：所述旋轉的速率為100-1200rad/s。
6.根據權利要求5所述的CdS薄膜的制備方法，其特征在于：所述旋轉的速率為300-600rad/s。
7.根據權利要求1所述的CdS薄膜的制備方法，其特征在于：步驟(2)中反應液恒溫保持在60-95℃。
8.根據權利要求1所述的CdS薄膜的制備方法，其特征在于：所述沉積的時間為8-40min。
9.根據權利要求1所述的CdS薄膜的制備方法，其特征在于：所述配置反應液包括：在容器中加入鎘鹽及其同酸根的銨鹽，再加入去離子水形成溶液，并加入氨水形成溶液A；另外配制硫脲溶液并加熱到設定的溫度，在沉積時滴加到溶液A中形成反應液。
10.根據權利要求1所述的CdS薄膜的制備方法，其特征在于：所述超聲的時間為10-30min。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
