[發明專利]LED封裝模塊及其制備方法

無效

• 申請號: 200910108735.5
• 申請日: 2009-07-10
• 公開（公告）號: CN101691910A
• 公開（公告）日: 2010-04-07
• 發明（設計）人: 李金明
• 申請（專利權）人: 東莞市萬豐納米材料有限公司
• 主分類號: F21S2/00
• 分類號: F21S2/00;F21V19/00;F21V7/22;F21V29/00;F21V9/10;H01L23/373;H01L25/075;H01L33/00;F21Y101/02
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• 代理人: 暫無信息

1.一種LED封裝模塊，包括基板和LED芯片，其特征在于：該基板具有固晶面和布線面，所述固晶面與所述布線面平行設置，所述固晶面之高度底于所述布線面，所述固晶面與所述布線面之間設有反射過渡面；所述LED芯片設置于所述固晶面，所述固晶面與所述LED芯片之間還具有一熱沉層，所述熱沉層的材料為AuSn合金，其中Au的含量為1%-10%,Sn的含量為90%-99%，所述熱沉層的厚度為0.001mm-0.05mm。

2.根據權利要求1所述的LED封裝模塊，其特征在于：所述AuSn合金的組分為，Au含量為4%-9%，Sn的含量為91%-96%，所述熱沉層的厚度為0.005mm-0.02mm。

3.根據權利要求1所述的LED封裝模塊，其特征在于：以AgSn合金代替AuSn合金，且Ag的含量為1%-25%，Sn的含量為75%-99%?。

4.根據前述任意一項權利要求所述的LED封裝模塊，其特征在于：所述LED芯片表面還設置一熒光層。

5.根據權利要求1所述的LED封裝模塊，其特征在于：所述布線面設置于所述基板的頂面，所述反射過渡面有二個，二個反射過渡面分別設置在所述固晶面的二側，所述固晶面與所述反射過渡面組成一長條狀的溝槽。

6.根據權利要求5所述的LED封裝模塊，其特征在于：所述二個反射過渡面均為平面，對稱地設置于所述固晶面的二側。

7.根據權利要求1所述的LED封裝模塊，其特征在于：所述AuSn合金的組分為，Au含量為6%，Sn的含量為94%，所述熱沉層的厚度為0.01mm；所述LED芯片表面還設置一熒光層；所述布線面設置于所述基板的頂面，所述反射過渡面有二個，二個反射過渡面分別設置在所述固晶面的二側，所述固晶面與所述反射過渡面組成一長條狀的溝槽；所述二個反射過渡面均為平面，對稱地設置于所述固晶面的二側。

8.根據權利要求1所述的LED封裝模塊，其特征在于：以AgSn合金代替AuSn合金，且Ag的含量為9%，Sn的含量為91%；所述熱沉層的厚度為0.01mm；所述LED芯片表面還設置一熒光層；所述布線面設置于所述基板的頂面，所述反射過渡面有二個，二個反射過渡面分別設置在所述固晶面的二側，所述固晶面與所述反射過渡面組成一長條狀的溝槽；所述二個反射過渡面均為平面，對稱地設置于所述固晶面的二側。

9.一種LED封裝模塊的制備方法，用于權利要求1所述的LED封裝模塊的制作，該方法包括固晶工序，其特征在于，該固晶工序包括以下步驟：

（1）設置熱沉層，

（2）放置LED芯片，

（3）焊接，

（4）冷卻，

其中，

第（1）步所述的設置熱沉層采用真空濺射的方式；所述熱沉層的材料為AuSn合金，其中Au含量為4%-9%，Sn的含量為91%-96%，所述熱沉層的厚度為0.005mm-0.02mm；

第（2）步所述的放置LED芯片是將LED芯片置于熱沉層上；

第（3）步所述的焊接，是指將第（2）步制成的半成品過焊接爐，焊接爐的溫度為250°C-300°C；

第（4）步所述的冷卻是指常溫風冷卻。