[發明專利]LED封裝模塊及其制備方法

無效

• 申請號: 200910108734.0
• 申請日: 2009-07-10
• 公開（公告）號: CN101691909A
• 公開（公告）日: 2010-04-07
• 發明（設計）人: 李金明
• 申請（專利權）人: 東莞市萬豐納米材料有限公司
• 主分類號: F21S2/00
• 分類號: F21S2/00;F21V23/00;F21V29/00;F21V7/00;F21V7/22;H01L23/373;H01L33/00;F21Y101/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及照明用LED封裝。

背景技術

與傳統照明裝置相比，LED路燈不僅具有色度好、免維護、壽命長的特點，更重要的是比傳統路燈更節能。

中國發明專利文獻CN101101103、CN101101102、CN101101107分別公開了一種LED路燈，其散熱性能已經達到實用級。上述三種LED路燈代表了市面上LED照明技術的主流，包括遂道燈、室內照明燈，其核心技術與上述專利文獻公開的內容十分近似。上述技術均通過一個具有印刷電路的鋁基板，在鋁基板上設置多個單只LED燈泡，然后在鋁基板的背部緊貼一散熱體，散熱體的反面設置散熱翅，上述技術還采用了二次光學透鏡或反光杯進行二次光學處理，以控制光斑。

然而，上述現有技術仍有不足，制約了LED照明技術的推廣應用。上述現有技術采用單個封裝的LED燈泡，將單個LED燈泡焊接于表面具有印刷電路的鋁基板，組成發光模塊。現有鋁基板，其結構是在鋁板上涂布一層絕緣材料再貼合銅片構成，這種結構的銅片電路與鋁基板的結合力較小，隨著溫度的變化，印刷電路與鋁基板本體的熱膨脹系數差也會產生變化，所有此種技術在應用中，經常會產生印刷電路與鋁基板本體起層，基至斷線；同樣的原理，也會導致LED燈泡開焊。

發明內容

本發明的主要目的在于克服上述現有技術的不足，而提供一種導電層與基板結合牢固的、工作可靠的LED封裝模塊，本發明的目的還在于提供一種該LED封裝模塊的制備方法。

本發明的目的可以通過以下技術方案實現：

LED封裝模塊，包括基板，該基板具有固晶面和布線面，其特征在于：所述布線面具有線路部分，所述線路部分構成所述基板上的電路，所述線路部分設置于所述布線面的表層；所述線路部分具有層狀結構，由內向外，所述線路部分包括導熱絕緣膠層、導電鍍層。

LED封裝模塊，其特征在于：所述固晶面與所述布線面平行設置，所述固晶面之高度底于所述布線面，所述固晶面與所述布線面之間設有反射過度面。

LED封裝模塊，其特征在于：所述基板還包括一層反射膜，所述反射膜設置于所述固晶面表面、所述布線面最內層、及所述反射過度面表面；所述反射膜的膜系結構為Ni-Ag-Ni；所述Ni-Ag-Ni結構各層的厚度分別為8nm、15nm、8nm。

LED封裝模塊，其特征在于：所述導熱絕緣膠層的材料為環氧樹脂與α-Al₂O₃的混合物，所述導熱絕緣膠層的厚度為0.02mm-0.06mm。

LED封裝模塊，其特征在于：所述導熱絕緣膠層的材料為聚酰亞胺與α-Al₂O₃的混合物，所述導熱絕緣膠層的厚度為0.02mm-0.06mm。

LED封裝模塊，其特征在于：所述導電鍍層是0.002mm-0.018mm厚度的納米電沉積Cu。

LED封裝模塊，其特征在于：所述導電鍍層還包括一設置在所述納米電沉積Cu底部的真空鍍底層，所述真空鍍底層為5nm-10nm的電沉積Ni。

LED封裝模塊，其特征在于：所述固晶面與所述布線面平行設置，所述固晶面之高度底于所述布線面，所述固晶面與所述布線面之間設有反射過度面；所述基板還包括一層反射膜，所述反射膜設置于所述固晶面表面、所述布線面最內層、及所述反射過度面表面；所述反射膜的膜系結構為Ni-Ag-Ni；所述Ni-Ag-Ni結構各層的厚度分別為8nm、15nm、8nm；所述導熱絕緣膠層的材料為聚酰亞胺與α-Al₂O₃的混合物，所述導熱絕緣膠層的厚度為0.02mm-0.06mm；所述導電鍍層是0.002mm-0.018mm厚度的納米電沉積Cu；所述導電鍍層還包括一設置在所述納米電沉積層底部的真空鍍底層，所述真空鍍底層為5nm-10nm的電沉積Ni。

本發明的目的還可以通過以下技術方案實現：