[發(fā)明專利]LED封裝模塊及其制備方法

無效

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• 申請日: 2009-07-10
• 公開（公告）號: CN101691909A
• 公開（公告）日: 2010-04-07
• 發(fā)明（設計）人: 李金明
• 申請（專利權）人: 東莞市萬豐納米材料有限公司
• 主分類號: F21S2/00
• 分類號: F21S2/00;F21V23/00;F21V29/00;F21V7/00;F21V7/22;H01L23/373;H01L33/00;F21Y101/02
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1.一種LED封裝模塊，包括基板，該基板具有固晶面和布線面，其特征在于：所述布線面具有線路部分，所述線路部分構成所述基板上的電路，所述線路部分設置于所述布線面的表層；所述線路部分具有層狀結構，由內向外，所述線路部分包括導熱絕緣膠層、導電鍍層。

2.根據權利要求1所述的LED封裝模塊，其特征在于：所述固晶面與所述布線面平行設置，所述固晶面之高度底于所述布線面，所述固晶面與所述布線面之間設有反射過度面。

3.根據權利要求2所述的LED封裝模塊，其特征在于：所述基板還包括一層反射膜，所述反射膜設置于所述固晶面表面、所述布線面最內層、及所述反射過度面表面；所述反射膜的膜系結構為Ni-Ag-Ni；所述Ni-Ag-Ni結構各層的厚度分別為8nm、15nm、8nm。

4.根據權利要求1所述的LED封裝模塊，其特征在于：所述導熱絕緣膠層的材料為環(huán)氧樹脂與α-Al₂O₃的混合物，所述導熱絕緣膠層的厚度為0.02mm-0.06mm。

5.根據權利要求1所述的LED封裝模塊，其特征在于：所述導熱絕緣膠層的材料為聚酰亞胺與α-Al₂O₃的混合物，所述導熱絕緣膠層的厚度為0.02mm-0.06mm。

6.根據權利要求1所述的LED封裝模塊，其特征在于：所述導電鍍層是0.002mm-0.018mm厚度的納米電沉積Cu。

7.根據權利要求1所述的LED封裝模塊，其特征在于：所述導電鍍層還包括一設置在所述納米電沉積Cu底部的真空鍍底層，所述真空鍍底層為5nm-10nm的電沉積Ni。

8.根據權利要求1所述的LED封裝模塊，其特征在于：所述固晶面與所述布線面平行設置，所述固晶面之高度底于所述布線面，所述固晶面與所述布線面之間設有反射過度面；所述基板還包括一層反射膜，所述反射膜設置于所述固晶面表面、所述布線面最內層、及所述反射過度面表面；所述反射膜的膜系結構為Ni-Ag-Ni；所述Ni-Ag-Ni結構各層的厚度分別為8nm、15nm、8nm；所述導熱絕緣膠層的材料為聚酰亞胺與α-Al₂O₃的混合物，所述導熱絕緣膠層的厚度為0.02mm-0.06mm；所述導電鍍層是0.002mm-0.018mm厚度的納米電沉積Cu；所述導電鍍層還包括一設置在所述納米電沉積層底部的真空鍍底層，所述真空鍍底層為5nm-10nm的電沉積Ni。

9.一種LED封裝模塊的制備方法，該LED封裝模塊包括基板，基板具有布線面，布線面包括線路部分；該方法包括線路部分制作工序，其特征在于，所述線路部分制作工序包括以下步驟：

(1)絲印導熱絕緣膠層，

(2)烘干，

(3)貼保護膜，

(4)真空鍍底，

(5)納米電沉積Cu，

其中，

第(1)步所述的導熱絕緣膠層的厚度為0.02mm-0.06mm，所述導熱絕緣膠層的材料為環(huán)氧樹脂與α-Al₂O₃的混合物，或聚酰亞胺與α-Al₂O₃的混合物；

第(2)步所述的烘干為熱風烘干，當所述導熱絕緣膠層的材料采用環(huán)氧樹脂與α-Al₂O₃的混合物時，該烘干步驟采用的溫度為180℃-200℃；當所述導熱絕緣膠層的材料采用聚酰亞胺與α-Al₂O₃的混合物時，該烘干步驟采用的溫度為180℃-400℃；

第(3)步所述的保護膜，是PVC膜加橡膠粘結，或PET膜加硅膠粘結，或PP膜加亞克力膠粘結；

第(4)步所述的真空鍍底，是以真空濺射或真空蒸鍍方式沉積5nm-10nm的Ni；

第(5)步所述的納米電沉積Cu，是以真空濺射或真空蒸鍍金方式沉積0.002mm-0.018mm的Cu。