[發(fā)明專利]肖特基二極管測試方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910108301.5
• 申請日: 2009-06-16
• 公開（公告）號: CN101587163A
• 公開（公告）日: 2009-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高燕輝;廖志強(qiáng);鄧詠梅
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市晶導(dǎo)電子有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 何 平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種肖特基二極管測試方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，肖特基二極管(Schottky?Barrier?Diode，SBD)的設(shè)計(jì)制造和封裝制作工藝也不斷完善。其中，對肖特基二極管進(jìn)行反向電壓測試是生產(chǎn)工藝中很關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。

在測試中為防止器件損壞，一般所加載的測試電流比較小，只有幾毫安(一般為0.5-3mA)。在測試中相當(dāng)于給器件加了反向功率，按照功率P＝VI計(jì)算，其功率大小為22.5-135毫瓦(反向電壓一般為45伏)。

對于整個器件來說，雖然反向電壓達(dá)到參數(shù)要求，但反向功率相當(dāng)小。芯片在制作工藝中會受到N⁺陰極襯底、N^-外延層和金屬陽極等影響，會有極小部分芯片反向電壓在小電流下測試合格，卻因?yàn)樯a(chǎn)工藝過程的影響，芯片內(nèi)部有微缺陷，到了實(shí)際使用中，在大電流沖擊下，芯片內(nèi)部發(fā)生變化，從而引起器件失效。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，有必要針對上述問題，提供一種新的肖特基二極管測試方法。

一種肖特基二極管測試方法，包括：向肖特基二極管施加大于40mA且小于250mA的電流；向肖特基二極管施加反向電壓。

優(yōu)選的，所述電流是90mA。

優(yōu)選的，所述反向電壓是45V。

上述肖特基二極管測試方法的關(guān)鍵技術(shù)特征是向待測試的肖特基二極管施加一個較大的測試電流，在大電流沖擊下，內(nèi)部有微缺陷的芯片會發(fā)生變化，從而引起器件失效，這樣便可以去除部分參數(shù)達(dá)不到使用要求的不良品，提升產(chǎn)品性能和可靠性。

附圖說明

圖1是肖特基二極管測試裝置的示意圖。

圖2是肖特基二極管測試方法的示意圖。

具體實(shí)施方式

圖1是肖特基二極管測試裝置的示意圖。肖特基二極管測試裝置100包括高壓源11、恒流源13、電壓表14。待測試的肖特基二極管12與高壓源11并聯(lián)，恒流源13與肖特基二極管12的正極連接，恒流源13的另一端接地，電壓表14與肖特基二極管12的負(fù)極連接，電壓表14的另一端接地。

圖2是肖特基二極管測試方法的示意圖，肖特基二極管測試方法包括：

S1：向肖特基二極管施加大于40mA且小于250mA的電流。

該步驟由恒流源13實(shí)現(xiàn)，電流一般為90mA。

S2：向肖特基二極管施加反向電壓。

該步驟由高壓源11實(shí)現(xiàn)，反向電壓一般為大于45V。

上述步驟S1和S2是沒有時間先后順序的。

按照功率P＝VI計(jì)算，此時功率大小為4050mW，比傳統(tǒng)的測試方法大了30倍。在進(jìn)行了大批量測試后，有0.3％左右的成品器件因?yàn)檫@一大的反向功率測試不合格。下表為實(shí)際生產(chǎn)中的測試結(jié)果：

由上表可以看出，新添加的大電流測試項(xiàng)比原先的小電流測試項(xiàng)的測試結(jié)果平均值大了1.1-1.2V，說明在進(jìn)行肖特基二極管的反向電壓測試時，大的反向功率和小的反向功率對實(shí)際反向電壓結(jié)果沒有影響。大電流反向電壓測試僅僅只是進(jìn)行大反向功率的沖擊，用于去除因芯片生產(chǎn)過程中極少部分有微缺陷而可能引起后期失效的器件。

采用上述肖特基二極管測試方法可以去除部分參數(shù)達(dá)不到使用要求的不良品，提升產(chǎn)品性能和可靠性。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。