[發明專利]像素結構、薄膜晶體管陣列基板、顯示面板以及顯示裝置

有效

• 申請號: 200910107055.1
• 申請日: 2009-05-05
• 公開（公告）號: CN101552270A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發明（設計）人: 顏思琳;黃金海;汪廣魁
• 申請（專利權）人: 深圳華映顯示科技有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/528;H01L29/92;H01L29/786;H01L29/41;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所
• 代理人: 張全文

技術領域

本發明屬于顯示面板技術領域，尤其涉及一種像素結構、薄膜晶體管陣列基板、顯示面板以及顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器主要由薄膜晶體管陣列基板、彩色濾光片(color?filter)和液晶層(liquid?crystal?layer)所構成。圖1為現有的薄膜晶體管陣列基板的示意圖。請參照圖1，薄膜晶體管陣列基板100主要是由數組排列的多個像素結構110所構成。其中，各個像素結構110分別包括掃描配線(scan?line)112、數據配線(date?line)114、薄膜晶體管116以及像素電極(pixel?electrode)118等組件。

承上所述，薄膜晶體管116是用來作為像素結構110的開關組件，而掃描配線112與數據配線114則是用來提供其所選定的像素結構110適當的操作電壓，以分別驅動各個像素結構110而顯示影像。

圖2為現有技術提供的一種薄膜晶體管液晶顯示器的單一像素的等效電路圖。請參照圖2，在現有薄膜晶體管液晶顯示器的單一像素中，通常包含一薄膜晶體管116、一液晶電容C_LC以及一儲存電容(storagecapacitance)C_st。

請同時參照圖1及圖2，液晶電容C_LC是由薄膜晶體管陣列基板100上的像素電極118與彩色濾光片上的共享電極(common?electrode)(未繪制)耦合而成。儲存電容C_st是位于薄膜晶體管陣列基板100上，且此儲存電容C_st是與液晶電容C_LC并聯。另外，薄膜晶體管116的閘極G、源極S以及汲極D分別與掃描配線112、數據配線114以及液晶電容C_LC中的像素電極118連接。而且，由于薄膜晶體管116的閘極G與汲極D之間有互相重迭的區域，因此在閘極G與汲極D之間會存有一閘極-汲極寄生電容(parasitic?capacitance)C_gd。

請再參照圖1及圖2，由于施加在液晶電容C_LC上的電壓(也就是施加于像素電極118與共享電極上的電壓)與液晶分子的光穿透率之間具有特定關系，因此只要依據所要顯示的畫面來控制施加在液晶電容C_LC上的電壓，即可使顯示器顯示預定的畫面。其中，當薄膜晶體管116關閉時，液晶電容C_LC上的電壓是保持一定值(也就是處于holding狀態)，但由于閘極-汲極寄生電容C_gd的存在，液晶電容C_LC上所保持的電壓將會隨著數據配線114上的信號變化而有所改變(也就是所謂的耦合效應)，因而使得液晶電容C_LC上所保持的電壓偏離原先設定的值。

在目前的薄膜晶體管陣列基板制程中，大多是以步進式曝光機的拼接式光罩來進行薄膜晶體管數組的曝光制程，因此在曝光過程中，機臺移動時的位移偏差量將導致各個曝光區域(shot)中所形成的圖案的位置有所差異。特別是當各個曝光區域之間，薄膜晶體管116的閘極G與汲極D(見圖1)的重迭面積不同時，將使得各個曝光區域中的閘極-汲極寄生電容C_gd不同，而在顯示過程中產生顯示亮度不均勻，即畫面閃爍(flicker)的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種像素結構，旨在解決現有技術在顯示過程中產生顯示亮度不均勻閘極汲極，出現畫面閃爍的問題。

本發明提供一種像素結構，其可改善相鄰兩像素結構之間因制程對位偏移造成的液晶電容變化，因而有助于提高顯示均勻度。

本發明另提供一種薄膜晶體管陣列基板，其應用所述的像素結構來補償因制程對位偏移造成的閘極-汲極寄生電容的變異，以提高顯示面板的顯示質量。

本發明還提供一種應用前述的薄膜晶體管陣列基板的顯示面板，其可有效避免因制程對位偏移造成的閘極-汲極寄生電容的變異，因而具有較佳的顯示質量。

本發明還提供一種應用前述的顯示面板的顯示裝置。