[發明專利]像素結構、薄膜晶體管陣列基板、顯示面板以及顯示裝置

有效

• 申請號: 200910107055.1
• 申請日: 2009-05-05
• 公開（公告）號: CN101552270A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發明（設計）人: 顏思琳;黃金海;汪廣魁
• 申請（專利權）人: 深圳華映顯示科技有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/528;H01L29/92;H01L29/786;H01L29/41;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所
• 代理人: 張全文

1.一種像素結構，其特征在于，所述像素結構包括：

一第一掃描配線；

一第二掃描配線，所述第一掃描配線的延伸方向與所述第二掃描配線的延伸方向相互平行；

一數據配線，與所述第一掃描配線以及所述第二掃描配線相交，而定義出一像素區；

一薄膜晶體管，位于所述像素區內，所述薄膜晶體管具有一閘極、一源極以及一汲極，其中所述閘極連接所述第一掃描配線，所述源極連接所述數據配線，且所述汲極與所述閘極在一垂直方向上具有一重迭區域而產生一閘極-汲極寄生電容；

一像素電極，位于所述像素區內，且所述像素電極電性連接至所述汲極；以及

一電容補償部，電性連接至所述像素電極，且所述電容補償部與所述第一掃描配線或所述第二掃描配線在一水平方向上維持一間距而誘發一補償電容，所述汲極以及所述電容補償部被設置為：

當所述重迭區域減小而導致所述閘極-汲極寄生電容降低時，所述間距相應地減小，以增加所述補償電容，且當所述重迭區域變大而導致所述閘極-汲極寄生電容增加時，所述間距相應地變大，以降低所述補償電容。

2.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述電容補償部是沿著所述第一掃描配線或所述第二掃描配線延伸的條狀結構；

所述電容補償部與所述像素電極分別位于所述第一掃描配線的相對兩側；所述像素結構還包括：

一連接部，橫越所述第一掃描配線，并且連接于所述電容補償部與所述汲極之間；

所述像素結構還包括：

一共享配線，位于所述像素區內，并且沿著所述像素電極的外圍配置。

3.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述電容補償部是沿著所述第一掃描配線或所述第二掃描配線延伸的塊狀結構；所述電容補償部位于所述像素區內，所述汲極鄰近所述第一掃描配線，而所述電容補償部鄰近所述第二掃描配線并與所述第二掃描配線在所述水平方向上維持所述間距；

所述像素結構還包括：

一共享配線，位于所述像素區內，并且沿著所述像素電極的外圍配置。

4.一種像素結構，其特征在于，所述像素結構包括：

一第一掃描配線；

一第二掃描配線，所述第一掃描配線的延伸方向與所述第二掃描配線的延伸方向相互平行；

一數據配線，與所述第一掃描配線以及所述第二掃描配線相交，而定義出相鄰的一第一像素區以及一第二像素區，所述第一像素區與所述第二像素區分別位于所述數據配線的相對兩側；

一第一薄膜晶體管，位于所述第一像素區內，所述第一薄膜晶體管具有一第一閘極、一第一源極以及一第一汲極，其中所述第一閘極連接所述第一掃描配線，所述第一源極連接所述數據配線，且所述第一汲極與所述第一閘極在一垂直方向上具有一第一重迭區域而產生一第一閘極-汲極寄生電容；

一第一像素電極，位于所述第一像素區內，且所述第一像素電極電性連接至所述第一汲極；

一第一電容補償部，電性連接至所述第一像素電極，且所述第一電容補償部與所述第一掃描配線或所述第二掃描配線在一水平方向上維持一第一間距而誘發一第一補償電容，所述第一汲極以及所述第一電容補償部被設置為：當所述第一重迭區域減小而導致所述第一閘極-汲極寄生電容降低時，所述第一間距相應地減小，以增加所述第一補償電容，且當所述第一重迭區域變大而導致所述第一閘極-汲極寄生電容增加時，所述第一間距相應地變大，以降低所述第一補償電容；

一第二薄膜晶體管，位于所述第二像素區內，所述第二薄膜晶體管具有一第二閘極、一第二源極以及一第二汲極，其中所述第二閘極連接所述第二掃描配線，所述第二源極連接所述數據配線，且所述第二汲極與所述第二閘極在所述垂直方向上具有一第二重迭區域而產生一第二閘極-汲極寄生電容；

一第二像素電極，位于所述第二像素區內，且所述第二像素電極電性連接至所述第二汲極；以及

一第二電容補償部，電性連接至所述第二像素電極，且所述第二電容補償部與所述第一掃描配線或所述第二掃描配線在所述水平方向上維持一第二間距而誘發一第二補償電容，所述第二汲極以及所述第二電容補償部被設置為：當所述第二重達區域減小而導致所述第二閘極-汲極寄生電容降低時，所述第二間距相應地減小，以增加所述第二補償電容，且當所述第二重迭區域變大而導致所述第二閘極-汲極寄生電容增加時，所述第二間距相應地變大，以降低所述第二補償電容。