[發(fā)明專利]應(yīng)用于EEPROM的靈敏放大器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910107026.5 | 申請日： | 2009-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN101546604A | 公開（公告）日： | 2009-09-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王振華;武岳山;孔令榮;熊立志 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市遠(yuǎn)望谷信息技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/26 | 分類號： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 深圳市中知專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人： | 孫 皓;林 虹 |
| 地址： | 518057廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 應(yīng)用于 eeprom 靈敏 放大器 | ||
1.一種應(yīng)用于EEPROM的靈敏放大器，使能控制電路(106)連接負(fù)載控制電路(105)和判決電路(103)，其特征在于：所述判決電路(103)的輸入端連接有同步時(shí)鐘預(yù)充電路(104)；所述同步時(shí)鐘預(yù)充電路(104)由第三PMOS管(MP3)構(gòu)成，其柵極接同步時(shí)鐘信號，源極接電源，漏極連接使能控制電路(106)與判決電路(103)之間的位線(107)和判決電路(103)的輸入端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于EEPROM的靈敏放大器，其特征在于：所述使能控制電路(106)設(shè)有第一NMOS管(MN1)和第一PMOS管(MP1)；第一PMOS管的柵極接使能控制信號(ENB)，源極與負(fù)載控制電路(105)相連，漏極連接位線和判決電路輸入端；第一NMOS管的柵極接使能控制信號，漏極連接位線和判決電路輸入端，源極接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的應(yīng)用于EEPROM的靈敏放大器，其特征在于：所述負(fù)載控制電路(105)由第零PMOS管(MP0)構(gòu)成，柵極接偏置電壓(Vbias)，源極接電源，漏極連接使能控制電路(106)的第一PMOS管的源極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的應(yīng)用于EEPROM的靈敏放大器，其特征在于：所述判決電路(103)由第二NMOS管(MN2)和第二PMOS管(MP2)組成反相器(INV1)，兩柵極連接構(gòu)成反相器(INV1)的輸入端，連接位線(107)，兩漏極連接構(gòu)成輸出端，第二NMOS管源極接地，第二PMOS管源極接同步時(shí)鐘預(yù)充電路(104)的第三NMOS管的源極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的應(yīng)用于EEPROM的靈敏放大器，其特征在于：所述判決電路(103)的輸出端接數(shù)據(jù)鎖存器(108)的輸入端(109)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的應(yīng)用于EEPROM的靈敏放大器，其特征在于：所述判決電路(103)的輸入端經(jīng)譯碼電路(102)接存儲單元陣列(101)。
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