[發明專利]一種碳納米管膜前驅、碳納米管膜及其制造方法以及具有該碳納米管膜的發光器件

有效

• 申請號: 200910106938.0
• 申請日: 2009-04-27
• 公開（公告）號: CN101870591A
• 公開（公告）日: 2010-10-27
• 發明（設計）人: 劉鍇;孫穎慧;姜開利;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司
• 主分類號: C04B41/50
• 分類號: C04B41/50;C04B41/52
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種碳納米管膜制造技術，特別是關于一種碳納米管膜前驅，碳納米管膜及其制造方法以及具有該碳納米管膜的發光器件。

背景技術

自從碳納米管的發現以來，由于其具有優越的機械、導電及導熱性而得到大量的關注。由多根碳納米管組成的碳納米管膜也是一種較為熟知的納米材料，其是一種由很多碳納米管連續排列而形成的膜狀結構。碳納米管膜可以用作導電材料、發熱材料或者是用作光源的發光元件等等多種應用領域。但是一些應用領域，如發光光源，要求碳納米管膜的分布具有一定的規律性以獲得更好的性能，如發光光源的偏振度。通常廣泛應用的偏振光源，為一種普通光源再加載一個偏振片。該偏振片為一可吸收偏振片，即其可吸收一個偏振態的光，而另一偏振態的光則通過該偏振片。偏振度是用于表征偏振光源的重要參數之一，即所發出的光的偏振化程度，其用于描述一偏振光源所發出的光束的偏振性質。而通過控制碳納米管膜中碳納米管的分布規律可以控制該碳納米管膜的各種參數，如偏振度。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種可控制碳納米管膜中碳納米管分布規律的碳納米管膜前驅，碳納米管膜及其制造方法以及具有該碳納米管膜的發光器件。

一種碳納米管膜前驅，包括一個基底，一個形成于該基底上的碳納米管陣列，以及至少一個與該碳納米管陣列相連接的碳納米管膜。所述碳納米管陣列包括多個大致沿其同一個生長方向排列的碳納米管。所述碳納米管膜中碳納米管的軸向與所述碳納米管的生長方向之間的銳角的角度小于等于80度，且該碳納米管膜包括多個大致沿同一個方向排列的碳納米管。該碳納米管膜還包括多個間隔設置的第一區域和多個分別設置在相鄰的兩個第一區域之間的第二區域。所述第一區域中的碳納米管的分布密度大于第二區域中的碳納米管的分布密度。

一種碳納米管膜，其包括由多個大致沿同一個方向排列的碳納米管形成碳納米管膜。該碳納米管膜包括多個間隔設置的第一區域和多個分別設置在相鄰的兩個第一區域之間的第二區域，所述第一區域中的碳納米管的分布密度大于第二區域中的碳納米管的分布密度。

一種制造碳納米管膜的方法，其包括：

提供一個形成于一基底上且包括多個大致沿其同一個生長方向排列的碳納米管的碳納米管陣列以及一個抽取裝置；

使所述抽取裝置靠近所述碳納米管陣列以選定多個碳納米管；

用所述抽取裝置沿遠離碳納米管陣列拉該多個碳納米管以獲取一碳納米管膜，其中該抽取裝置的抽取方向與碳納米管的生長方向之間的銳角的角度小于等于80度。

一種發光器件，其包括一碳納米管膜。該碳納米管膜由多個大致沿同一個方向排列的碳納米管形成，并且包括多個間隔設置的第一區域和多個分別設置在相鄰的兩個第一區域之間的第二區域。所述第一區域中的碳納米管的分布密度大于第二區域中的碳納米管的分布密度。

相較與現有技術，在上述制造碳納米管膜的方法中，使抽取裝置的抽取方向與碳納米管的生長方向之間的銳角的角度小于等于80度以抽取得一碳納米管膜，從而制造出一可控制該碳納米管膜中的碳納米管的分布規律的碳納米管膜，即該碳納米管膜中的第一區域中的碳納米管的分布密度大于第二區域的碳納米管的分布密度的分布規律。

附圖說明

圖1是制造本發明所述的碳納米管膜的方法流程圖。

圖2是在圖1的制造方法中所形成的碳納米管膜前驅的結構示意圖。

圖3是制備用于拉取圖1的碳納米管膜的碳納米管陣列的方法流程圖。

圖4A-4C是圖1的制造方法所制備的碳納米管膜在不同分取環節的結構示意圖。

圖5是圖1的制造方法所制備的碳納米管膜的結構示意圖。

圖6是圖1的制造方法所制備的一種碳納米管膜的電鏡圖。

圖7是圖1的制造方法所制備的另一種碳納米管膜的電鏡圖。

圖8是從不同高度的碳納米管陣列拉出的碳納米管膜的拉出角度與其偏振度的關系圖。

具體實施方式

為了對本發明作更進一步的說明，舉以下具體實施方式并配合附圖詳細描述如下。

請參閱圖1及圖2，為所述碳納米管膜20的制造方法。該制造方法包括下列步驟：

步驟S101：提供一個形成于一基底22上且包括多個大致沿其同一個生長方向排列的碳納米管的碳納米管陣列以及一個抽取裝置30；

步驟S102：使所述抽取裝置30靠近所述碳納米管陣列以選定多個碳納米管；

步驟S103：用所述抽取裝置30沿遠離碳納米管陣列拉該多個碳納米管以獲取一碳納米管膜20，其中，該抽取裝置30的抽取方向與碳納米管的生長方向之間的銳角的角度小于等于80度。