[發明專利]一種碳納米管膜前驅、碳納米管膜及其制造方法以及具有該碳納米管膜的發光器件有效
| 申請號: | 200910106938.0 | 申請日: | 2009-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN101870591A | 公開(公告)日: | 2010-10-27 |
| 發明(設計)人: | 劉鍇;孫穎慧;姜開利;范守善 | 申請(專利權)人: | 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | C04B41/50 | 分類號: | C04B41/50;C04B41/52 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100084 北京市海淀區清華園1*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 前驅 及其 制造 方法 以及 具有 發光 器件 | ||
1.一種碳納米管膜前驅,其特征在于,該碳納米管膜前驅包括一個基底,一個形成于該基底上的碳納米管陣列,以及至少一個與該碳納米管陣列相連接的碳納米管膜,所述碳納米管陣列包括多個大致沿其同一個生長方向排列的碳納米管,所述碳納米管膜中的碳納米管的軸向與所述碳納米管的生長方向之間的銳角的角度小于等于80度,且該碳納米管膜包括多個大致沿同一個方向排列的碳納米管,該碳納米管膜還包括多個間隔設置的第一區域和多個分別設置在相鄰的兩個第一區域之間的第二區域,所述第一區域中的碳納米管的分布密度大于第二區域中的碳納米管的分布密度。
2.如權利要求1所述的碳納米管膜前驅,其特征在于:所述基底為硅晶片或表面有一層氧化硅的硅晶片。
3.如權利要求1所述的碳納米管膜前驅,其特征在于:所述碳納米管的直徑為0.4nm~30nm.
4.如權利要求1所述的碳納米管膜前驅,其特征在于:所述碳納米管為多壁碳納米管、單壁碳納米管和雙壁碳納米管中的任意一種或幾種。
5.如權利要求1所述的碳納米管膜前驅,其特征在于:所述第一、第二區域的沿碳納米管軸向的長度與碳納米管陣列中的碳納米管的軸向長度相當。
6.一種碳納米管膜,其特征在于:該碳納米管膜包括由多個大致沿同一個方向排列的碳納米管,該碳納米管膜包括多個間隔設置的第一區域和多個分別設置在相鄰的兩個第一區域之間的第二區域,所述第一區域中的碳納米管的分布密度大于第二區域中的碳納米管的分布密度。
7.如權利要求6所述的碳納米管膜,其特征在于:所述碳納米管膜中碳納米管首尾相連地通過范德華力連接,且沿同一方向擇優取向排列。
8.如權利要求6所述的碳納米管膜,其特征在于:第一區域與第二區域沿碳納米管的軸向方向連續交替分布。
9.如權利要求6所述的碳納米管膜,其特征在于:所述第一、第二區域的沿碳納米管軸向的長度與碳納米管膜中的單根碳納米管的軸向長度相當。
10.一種發光器件,其包括至少一權利要求5-7任一項所述的碳納米管膜。
11.如權利要求10所述的發光器件,其特征在于:所述碳納米管膜還包括一支撐體用于支撐該碳納米管膜。
12.如權利要求10所述的發光器件,其特征在于:所述支撐體為一透明基板,所述碳納米管膜設置于該基板表面。
13.如權利要求10所述的發光器件,其特征在于:所述支撐體為一框形支架,至少部分碳納米管膜通過該框形支架懸空設置。
14.如權利要求10所述的發光器件,其特征在于:所述發光器件還包括至少兩個電極,且所述至少兩個電極沿碳納米管軸向方向間隔電性連接設置。
15.一種制造碳納米管膜的方法,其包括:
提供一個形成于一基底上且包括多個大致沿其同一個生長方向排列的碳納米管的碳納米管陣列以及一個抽取裝置;
使所述抽取裝置靠近所述碳納米管陣列以選定多個碳納米管;
用所述抽取裝置沿遠離碳納米管陣列拉該選定的多個碳納米管以獲取一碳納米管膜,其中,該抽取裝置的抽取方向與碳納米管的生長方向之間的銳角的角度小于等于80度。
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