[發(fā)明專利]工作溫度可控混合集成電路的集成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910102783.3 | 申請日: | 2009-09-09 |
| 公開(公告)號: | CN101692428A | 公開(公告)日: | 2010-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊成剛;蘇貴東;殷坤文 | 申請(專利權(quán))人: | 貴州振華風(fēng)光半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/48;G05D23/24 |
| 代理公司: | 貴陽中工知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 52106 | 代理人: | 劉安寧 |
| 地址: | 550018 貴*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 工作溫度 可控 混合 集成電路 集成 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路,進(jìn)一步來說,涉及工作溫度可控混合集成電路,尤其涉及混合集成電路的集成方法。
背景技術(shù)
原有的混合電路集成技術(shù)中,是將厚膜基片或薄膜基片直接裝貼在管殼基座上,然后在厚膜基片或薄膜基片上裝貼半導(dǎo)體芯片、片式元器件,再采用鍵合絲(金絲或硅鋁絲)進(jìn)行鍵合,完成整個(gè)電路連接,最后在特定的氣氛中將管基和管帽進(jìn)行密封而成。器件的工作環(huán)境溫度分別為:民品級0℃~70℃、工業(yè)級-25℃~85℃,軍用級-55℃~125℃。在器件規(guī)定的溫度范圍內(nèi),實(shí)現(xiàn)器件所規(guī)定的功能和性能。傳統(tǒng)方法存在的主要問題是半導(dǎo)體元器件,包括其它元器件,通常情況下,對溫度較為敏感,且會(huì)產(chǎn)生如下影響:①集成電路是溫度敏感器件,集成電路構(gòu)成中的元器件的某些性能參數(shù)指標(biāo)隨工作溫度的變化會(huì)發(fā)生較大的漂移,甚至超出規(guī)定的使用范圍,導(dǎo)致器件不能在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)正常工作,特別是高精密器件。必要時(shí),被迫更換新器件、或降級使用、或采用其他外部散熱(或降溫)措施進(jìn)行溫度控制。②隨著溫度的升高,器件的可靠性會(huì)下降,例如,溫度每升高10℃,半導(dǎo)體器件的可靠性就要下降一倍。在工作環(huán)境溫度較嚴(yán)酷的使用場合,器件的長期可靠性會(huì)大幅下降。③功率混合集成電路在正常使用情況下,會(huì)產(chǎn)生大量的熱量,使器件內(nèi)部工作溫度迅速上升,除影響器件的可靠性外,如無可靠的泄熱通道,器件將會(huì)迅速燒毀,給器件的正常使用帶來嚴(yán)重的影響。④在一般的使用場合,根據(jù)半導(dǎo)體PN結(jié)結(jié)溫的物理特性,器件最高工作溫度限定為125℃,超出此溫度,器件的工作就會(huì)不穩(wěn)定,超出結(jié)溫(150℃)就會(huì)產(chǎn)生永久性的損壞;在要求大于125℃以上的如150℃、200℃等高溫環(huán)境中工作時(shí),這類器件已無法滿足。另一方面,器件的最低工作溫度限定為-55℃,低于此溫度,器件的工作就會(huì)不穩(wěn)定,甚至失去作用。
經(jīng)檢索,目前涉及溫度可控集成電路的專利僅有1件,即CN201044511號“一種雙電壓多溫檔可控加熱電路”,但該專利與工作溫度可控混合集成電路并無關(guān)系,目前尚無工作溫度可控混合集成電路的集成方法的報(bào)道。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是提供一種工作溫度可控混合集成電路的集成方法,以解決半導(dǎo)體器件在不同環(huán)境溫度下能夠長期穩(wěn)定運(yùn)行的技術(shù)難題。
為達(dá)到上述發(fā)明目的,發(fā)明人經(jīng)過試驗(yàn)研究,提供的工作溫度可控混合集成電路的集成方法基本工藝是常規(guī)的制作工藝,發(fā)明的特點(diǎn)是:根據(jù)半導(dǎo)體PN結(jié)的致冷原理--帕爾貼效應(yīng)(Peltier?effect),采用微型熱電致冷(TEC:Thermoelectric?Cooler)與常規(guī)混合集成電路一體化集成技術(shù)進(jìn)行集成,具體做法是在正面襯底基片的正面進(jìn)行常規(guī)混合集成電路集成,在正面襯底基片的背面進(jìn)行半導(dǎo)體致冷器的集成;并分別從N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體的兩端引出連接線,再用硅鋁絲或金絲進(jìn)行鍵合,將整個(gè)電路連接起來;器件內(nèi)部有熱敏電阻,其位置緊靠對溫度較敏感的半導(dǎo)體芯片,用于檢測器件內(nèi)部工作環(huán)境溫度,通過跟蹤電阻的變化檢測電阻兩端電壓的變化,用于控制外部可控開關(guān)電路,以控制半導(dǎo)體致冷器的電流方向,控制升溫或降溫頻度,從而達(dá)到溫度控制的目的。其它工序則按照常規(guī)的方法實(shí)現(xiàn)工作溫度可控混合集成電路的集成。
上述正面襯底基片是氮化鋁(Al3N4)陶瓷基片。
上述N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的晶粒與頂層、底層氮化鋁陶瓷基片之間的連接采用合金焊連接。
上述溫度可控混合集成電路是將半導(dǎo)體熱電致冷與常規(guī)混合集成電路一體化集成,包括熱電致冷半導(dǎo)體PN結(jié)、導(dǎo)帶、阻帶、半導(dǎo)體芯片、小容量電感、電容、以及微型元器件的集成。
溫度控制的原理是:N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體構(gòu)成了半導(dǎo)體制冷器;當(dāng)PN結(jié)反偏工作時(shí)(即N型半導(dǎo)體引出端接正電源、P型半導(dǎo)體接負(fù)電源),混合集成面致冷,器件內(nèi)部工作溫度下降;當(dāng)PN結(jié)正偏工作時(shí)(即N型半導(dǎo)體引出端接負(fù)電源、P型半導(dǎo)體接正電源),混合集成面致熱,器件內(nèi)部工作溫度上升。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于貴州振華風(fēng)光半導(dǎo)體有限公司,未經(jīng)貴州振華風(fēng)光半導(dǎo)體有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910102783.3/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





