[發明專利]一種四甲基硅烷提純工藝有效
| 申請號： | 200910100374.X | 申請日： | 2009-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN101955496A | 公開（公告）日： | 2011-01-26 |
| 發明（設計）人： | 周婷婷;陳關喜;吳清洲;柴子斌 | 申請（專利權）人： | 嘉興聯合化學有限公司;浙江大學 |
| 主分類號： | C07F7/20 | 分類號： | C07F7/20;B01D53/02 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 314201 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 甲基 硅烷 提純 工藝 | ||
1.一種四甲基硅烷提純工藝，其特征在于，包括如下步驟：
(1)對直接法合成甲基氯硅烷的低沸物餾分預處理，分離去除含Si-Cl鍵的化合物；
(2)將步驟(1)分離得到的餾分進行分子篩吸附，提純得到四甲基硅烷；所述的分子篩的孔道直徑為
2.如權利要求1所述的四甲基硅烷提純工藝，其特征在于：步驟(1)中預處理的過程為，將直接法合成甲基氯硅烷的低沸物餾分水解，水解物進行蒸餾或精餾，分離出沸點不高于40℃的餾分；或者將直接法合成甲基氯硅烷的低沸物餾分蒸餾或精餾，對分離出的沸點不高于35℃的餾分進行水解，水解物進行蒸餾或精餾，分離出沸點不高于35℃的餾分。
3.如權利要求2所述的四甲基硅烷提純工藝，其特征在于：預處理得到的最終餾分沸點不高于30℃。
4.如權利要求1所述的四甲基硅烷提純工藝，其特征在于：所述的分子篩的孔道直徑為
5.如權利要求4所述的四甲基硅烷提純工藝，其特征在于：所述的分子篩的孔道直徑為
6.如權利要求1所述的四甲基硅烷提純工藝，其特征在于：所述的分子篩吸附采用氣固吸附方式，吸附系統的溫度為30℃～100℃。
7.如權利要求6所述的四甲基硅烷提純工藝，其特征在于：吸附系統的溫度為35℃～70℃。
8.如權利要求1所述的四甲基硅烷提純工藝，其特征在于：所述的分子篩吸附采用液固吸附方式，吸附系統的溫度不高于40℃。
9.如權利要求8所述的四甲基硅烷提純工藝，其特征在于：吸附系統的溫度為10℃～35℃。
10.如權利要求1-9任一所述的四甲基硅烷提純工藝，其特征在于：吸附飽和的分子篩再生后重復利用。
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