[發(fā)明專利]在氮?dú)庀氯诨嗑Ч柚苽鋼降T造單晶硅的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910099992.7 | 申請(qǐng)日： | 2009-06-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101597788A | 公開（公告）日： | 2009-12-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 余學(xué)功;楊德仁 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 浙江大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C30B11/00 | 分類號(hào)： | C30B11/00;C30B27/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮?dú)?/a> 融化 多晶 制備 鑄造 單晶硅 方法 | ||
1.在氮?dú)庀氯诨嗑Ч柚苽鋼降T造單晶硅的方法，包括：
(1)將無位錯(cuò)的原料單晶硅塊鋪滿坩堝底部，再將多晶硅置于原料 單晶硅塊上，加入電活性摻雜劑，裝爐；
其中，所述的電活性摻雜劑為硼、鎵或磷；
(2)將爐室抽成真空后直接通入氮?dú)猓獨(dú)獾膲毫?～200Torr， 流量為1～200L/min；調(diào)整爐內(nèi)保溫罩的位置并加熱到1400℃以上，使得 電活性摻雜劑、多晶硅和靠近多晶硅的部分原料單晶硅塊融化成液體；
其中，所述的融化的部分原料單晶硅塊的厚度為原料單晶硅塊的總厚 度的10％～90％；
(3)將氮?dú)鈸Q成氬氣，以1～4mm/min的速度提升爐內(nèi)保溫罩并冷 卻坩鍋底部，以在坩堝底部下部未融化的部分原料單晶硅塊作為籽晶，定 向凝固形成含氮濃度為1×1013～5×1015/cm3的摻氮鑄造單晶硅；
所述的電活性摻雜劑的加入量以形成的摻氮鑄造單晶硅中含有的硼、 鎵或磷濃度為1×1015～1×1017/cm3計(jì)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟(1)中，所述的無 位錯(cuò)的原料單晶硅塊的厚度為5～20mm。
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