[發(fā)明專利]用助熔劑制備Mg-Si-Sn基熱電材料的方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910096536.7 | 申請(qǐng)日： | 2009-03-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101503765A | 公開（公告）日： | 2009-08-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 朱鐵軍;劉鑫鑫;張倩;趙新兵;高洪利 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 浙江大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C22C1/05 | 分類號(hào)： | C22C1/05;B22F1/02;C22C23/00;H01L35/34 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 熔劑 制備 mg si sn 熱電 材料 方法 | ||
1.一種用助熔劑制備Mg-Si-Sn基熱電材料的方法，包括：
在原料中加入助熔劑B2O3，真空密封后加熱至400～600℃，保溫1～3 h，使B2O3熔體包裹原料，繼續(xù)加熱至900～1000℃，保溫反應(yīng)10～12h， 冷卻至室溫后去除包裹反應(yīng)物的B2O3層，即制得等化學(xué)計(jì)量比的Mg-Si-Sn 基熱電材料；
其中，所述原料為至少含有Mg、Si和Sn的混合物；
所述的Mg-Si-Sn基熱電材料的成分為Mg2Si1-xSnx，其中0＜x＜1；
或者，所述的Mg-Si-Sn基熱電材料的成分為Mg1.9945La0.0055Si0.45Sn0.55；
或者，所述的Mg-Si-Sn基熱電材料的成分為Mg2Si0.4415Sb0.0085Sn0.55。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：將原料置于氧化鋁坩堝中， 把助熔劑B2O3平鋪覆蓋在原料表面，再將坩堝真空密封于石英管內(nèi)加熱。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于：真空密封時(shí)，石英管內(nèi) 的氣壓≤10-3Pa。
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