[發(fā)明專利]一種太陽能級(jí)單晶硅棒的拋光處理方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910095528.0
• 申請(qǐng)日: 2009-01-19
• 公開（公告）號(hào): CN101498055A
• 公開（公告）日: 2009-08-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郜勇軍;方建和
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 郜勇軍
• 主分類號(hào): C30B33/10
• 分類號(hào): C30B33/10;B28D5/00;B24B7/22;B24B9/06
• 代理公司: 杭州天正專利事務(wù)所有限公司
• 代理人: 舒 良

所屬技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種太陽能級(jí)單晶硅棒的拋光處理方法。

背景技術(shù)

目前，我們?cè)趯?duì)太陽能級(jí)單晶硅棒進(jìn)行拋光時(shí)，通常采用酸液腐蝕方法，即將太陽能級(jí)單晶硅棒置于濃度在99％以上的酸液中浸泡，這種方法不僅對(duì)酸的濃度要求高，使用幾次后就作為廢酸處理，廢酸處理難度大，環(huán)保性差，且成本高，而且在浸泡過程中需要經(jīng)常翻動(dòng)，并需精確掌握腐蝕時(shí)間，否則腐蝕過度，易出現(xiàn)蝕坑現(xiàn)象，產(chǎn)品質(zhì)量的一致性差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供提高酸液利用率，且產(chǎn)品質(zhì)量一致性及成品率高的一種太陽能級(jí)單晶硅棒的拋光處理方法。

本發(fā)明采取的技術(shù)方案是：一種太陽能級(jí)單晶硅棒的拋光處理方法，其特征在于將太陽能級(jí)單晶硅棒置于氫氟酸配比濃度較低的酸液中浸泡，除去損傷層，消除棒的應(yīng)力后，再用拋光設(shè)備對(duì)太陽能級(jí)單晶硅棒表面進(jìn)行機(jī)械打磨拋光。

所述的氫氟酸配比濃度較低的酸液為氫氟酸和硝酸比為1：5～8的酸液。

采用本發(fā)明，由于對(duì)酸的腐蝕性要求不高，因此可以使用一些廢酸液生產(chǎn)，提高了利用率，降低了成本；同時(shí)，腐蝕時(shí)間不需要精確把握，不會(huì)出現(xiàn)蝕坑現(xiàn)象，提高了成品率。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。

1、將太陽能級(jí)單晶硅棒置于氫氟酸和硝酸比為1：8的酸液，即氫氟酸配比濃度較低的酸液中浸泡5～20分鐘后，除去損傷層，消除棒的應(yīng)力。

2、用軸向拋光機(jī)對(duì)太陽能級(jí)單晶硅棒表面進(jìn)行機(jī)械打磨拋光，直致拋光成鏡面為止。