[發明專利]一種太陽能級單晶硅棒的拋光處理方法無效
| 申請號： | 200910095528.0 | 申請日： | 2009-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN101498055A | 公開（公告）日： | 2009-08-05 |
| 發明（設計）人： | 郜勇軍;方建和 | 申請（專利權）人： | 郜勇軍 |
| 主分類號： | C30B33/10 | 分類號： | C30B33/10;B28D5/00;B24B7/22;B24B9/06 |
| 代理公司： | 杭州天正專利事務所有限公司 | 代理人： | 舒 良 |
| 地址： | 324300浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽 能級 單晶硅 拋光 處理 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種太陽能級單晶硅棒的拋光處理方法，其特征在于將太陽能級單晶硅棒置于氫氟酸配比濃度較低的酸液中浸泡，除去損傷層，消除棒的應力后，再用拋光設備對太陽能級單晶硅棒表面進行機械打磨拋光。
2、根據權利要求1所述的一種太陽能級單晶硅棒的拋光處理方法，其特征在于氫氟酸配比濃度較低的酸液為氫氟酸和硝酸比為1：5～8的酸液。
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